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Trabalho de evento-resumo
Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN (2012)
Rodrigues, S. C. P.; Oliveira, T. F.; Scolfaro, L. M. R.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices - ICSNN. Unidade: IFSC
Subjects: LUMINESCÊNCIA, EMISSÃO DA LUZ, GASES
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN. 2012, Anais.. Dresden: [s.n.], 2012. . Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Oliveira, T. F., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2012). Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN. In Abstracts. Dresden: [s.n.].
NLM
Rodrigues SCP, Oliveira TF, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Silva Junior EF. Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN. Abstracts. 2012 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Oliveira TF, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Silva Junior EF. Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN. Abstracts. 2012 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Investigation of vertical transport in thin layers based on group III-V semiconductors (2011)
Santos, O. F. P.; Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L. M. R.; Silva Junior, E. F.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices - LDSD. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FENÔMENOS DE TRANSPORTE, FILMES FINOS
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ABNT
SANTOS, O. F. P. et al. Investigation of vertical transport in thin layers based on group III-V semiconductors. 2011, Anais.. Melville: American Institute of Physics - AIP, 2011. . Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Santos, O. F. P., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2011). Investigation of vertical transport in thin layers based on group III-V semiconductors. In Book of Abstracts. Melville: American Institute of Physics - AIP.
NLM
Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. Investigation of vertical transport in thin layers based on group III-V semiconductors. Book of Abstracts. 2011 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Vancouver
Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. Investigation of vertical transport in thin layers based on group III-V semiconductors. Book of Abstracts. 2011 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Vertical transport in short-period superlattices (2011)
Santos, O. F. P.; Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L. M. R.; Silva Júnior, E. F.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IFSC
Subjects: FENÔMENOS DE TRANSPORTE, POÇOS QUÂNTICOS, SISTEMAS HAMILTONIANOS
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ABNT
SANTOS, O. F. P. et al. Vertical transport in short-period superlattices. 2011, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2222-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Santos, O. F. P., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Júnior, E. F. (2011). Vertical transport in short-period superlattices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2222-1.pdf
NLM
Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF. Vertical transport in short-period superlattices [Internet]. Resumos. 2011 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2222-1.pdf
Vancouver
Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Júnior EF. Vertical transport in short-period superlattices [Internet]. Resumos. 2011 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2222-1.pdf
Artigo de periodico
Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Kohler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K; Noriega, O. C.; Meneses, E. A.; Tabata, A.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Sipahi, Guilherme Matos ; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA
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ABNT
KOHLER, U. et al. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 192, n. 1, p. 129-134, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Kohler, U., As, D. J., Potthast, S., Khartchenko, A., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, 192( 1), 129-134. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A ; Silva, M. T. O.; Galzerani, J. C.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N. T.; Basmaji, Pierre
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurements of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Trabalho de evento-resumo
First-principles calculations of effective-mass parameters of silicon and group-III nitrides (1998)
Teles, L. K.; Rosa, A. L.; Scolfaro, L. M. R.; Leite, R.; Castineira, J. L. P.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
TELES, L. K. et al. First-principles calculations of effective-mass parameters of silicon and group-III nitrides. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Teles, L. K., Rosa, A. L., Scolfaro, L. M. R., Leite, R., & Castineira, J. L. P. (1998). First-principles calculations of effective-mass parameters of silicon and group-III nitrides. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Teles LK, Rosa AL, Scolfaro LMR, Leite R, Castineira JLP. First-principles calculations of effective-mass parameters of silicon and group-III nitrides. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Vancouver
Teles LK, Rosa AL, Scolfaro LMR, Leite R, Castineira JLP. First-principles calculations of effective-mass parameters of silicon and group-III nitrides. Resumos. 1998 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização (1989)
Scolfaro, L. M. R.; Fazzio, A.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FISICA (CONGRESSOS;CONFERÊNCIAS), IONIZAÇÃO DE GAZES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L. M. R. e FAZZIO, A. Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização. 1989, Anais.. São Paulo: Sbf, 1989. . Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1989). Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização. In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Defeitos nativos em 'GA''AS': estabilidade de carga e energias de excitação e ionização. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 02 ]

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