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  • Fonte: Journal of Physics: Conference Series. Nome do evento: Brazilian Workshop on Nuclear Physics. Unidade: IF

    Assunto: PARTÍCULAS (FÍSICA NUCLEAR)

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    • ABNT

      BÔAS, A C V et al. COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaN-based transistor 10 KeV X-ray Analysis. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. Disponível em: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012045. Acesso em: 14 out. 2025. , 2022
    • APA

      Bôas, A. C. V., Alberton, S. G. P. N., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R. C., Medina, N. H., et al. (2022). COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaN-based transistor 10 KeV X-ray Analysis. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. doi:10.1088/1742-6596/2340/1/012045
    • NLM

      Bôas ACV, Alberton SGPN, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Guazzelli MA. COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaN-based transistor 10 KeV X-ray Analysis [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012045
    • Vancouver

      Bôas ACV, Alberton SGPN, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Guazzelli MA. COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaN-based transistor 10 KeV X-ray Analysis [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012045
  • Fonte: Abstracts. Nome do evento: Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil. Unidade: IF

    Assunto: TRANSISTORES

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    • ABNT

      GUAZZELLI, Marcilei A et al. New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2019. . Acesso em: 14 out. 2025.
    • APA

      Guazzelli, M. A., Bôas, A. C. V., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R. C., Seixas, L. E., & Medina, N. H. (2019). New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. In Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
    • NLM

      Guazzelli MA, Bôas ACV, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Seixas LE, Medina NH. New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. Abstracts. 2019 ;[citado 2025 out. 14 ]
    • Vancouver

      Guazzelli MA, Bôas ACV, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Seixas LE, Medina NH. New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. Abstracts. 2019 ;[citado 2025 out. 14 ]
  • Fonte: Abstracts. Nome do evento: Brazilian Meeting on Nuclear Physics. Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, ÍONS PESADOS

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    • ABNT

      AGUIAR, Vitor Ângelo Paulino de et al. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/sys/resumos/R0013-1.pdf. Acesso em: 14 out. 2025.
    • APA

      Aguiar, V. Â. P. de, Medina, N. H., Added, N., Macchione, E. L. A., Leite, A. R., Silva, T. F. da, et al. (2018). Passivation layer and charge collection depth in electronic devices. In Abstracts. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/sys/resumos/R0013-1.pdf
    • NLM

      Aguiar VÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Leite AR, Silva TF da, Rodrigues CL, Escudeiro R, Allegro PRP, Santos HC dos, Alberton SGPN, Scarduelli VB, Silveira MAG da, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Oliveira JA, Leite FGH. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices [Internet]. Abstracts. 2018 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/sys/resumos/R0013-1.pdf
    • Vancouver

      Aguiar VÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Leite AR, Silva TF da, Rodrigues CL, Escudeiro R, Allegro PRP, Santos HC dos, Alberton SGPN, Scarduelli VB, Silveira MAG da, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Oliveira JA, Leite FGH. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices [Internet]. Abstracts. 2018 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/sys/resumos/R0013-1.pdf
  • Fonte: Resumo. Nome do evento: International Conference on Ion Beam Analysis. Unidade: IF

    Assunto: RAIOS X

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    • ABNT

      SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. 2011, Anais.. Itapema: IBA, 2011. Disponível em: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf. Acesso em: 14 out. 2025.
    • APA

      Silveira, M. A. G. da, Cirne, K. H., Seixas Jr, L. E., Lima, J. A. de, Barbosa, M. D. L., Tabacniks, M. H., et al. (2011). Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. In Resumo. Itapema: IBA. Recuperado de http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
    • NLM

      Silveira MAG da, Cirne KH, Seixas Jr LE, Lima JA de, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W, Santos RBB. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
    • Vancouver

      Silveira MAG da, Cirne KH, Seixas Jr LE, Lima JA de, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W, Santos RBB. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
  • Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      KIM, J I e SANTOS, R B B e NUSSENZVEIG, Paulo Alberto. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects. Physical Review Letters, v. 86, n. 8, p. 1474-1477, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000086000008001474000001&idtype=cvips. Acesso em: 14 out. 2025.
    • APA

      Kim, J. I., Santos, R. B. B., & Nussenzveig, P. A. (2001). Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects. Physical Review Letters, 86( 8), 1474-1477. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000086000008001474000001&idtype=cvips
    • NLM

      Kim JI, Santos RBB, Nussenzveig PA. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 86( 8): 1474-1477.[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000086000008001474000001&idtype=cvips
    • Vancouver

      Kim JI, Santos RBB, Nussenzveig PA. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 86( 8): 1474-1477.[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000086000008001474000001&idtype=cvips
  • Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA MATEMÁTICA

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    • ABNT

      KIM, J I e SANTOS, R B B e NUSSENZVEIG, Paulo Alberto. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://ttt.lanl.gov/PS_cache/quant-ph/pdf/0008/0008001.pdf. Acesso em: 14 out. 2025. , 2000
    • APA

      Kim, J. I., Santos, R. B. B., & Nussenzveig, P. A. (2000). Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://ttt.lanl.gov/PS_cache/quant-ph/pdf/0008/0008001.pdf
    • NLM

      Kim JI, Santos RBB, Nussenzveig PA. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects [Internet]. 2000 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://ttt.lanl.gov/PS_cache/quant-ph/pdf/0008/0008001.pdf
    • Vancouver

      Kim JI, Santos RBB, Nussenzveig PA. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects [Internet]. 2000 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://ttt.lanl.gov/PS_cache/quant-ph/pdf/0008/0008001.pdf
  • Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

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    • ABNT

      FRANÇA, Humberto de Menezes e SANTOS, R B B. Resonant paramagnetic enhancement of the thermal and zero-point nyquist noise. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1311.pdf. Acesso em: 14 out. 2025. , 1998
    • APA

      França, H. de M., & Santos, R. B. B. (1998). Resonant paramagnetic enhancement of the thermal and zero-point nyquist noise. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1311.pdf
    • NLM

      França H de M, Santos RBB. Resonant paramagnetic enhancement of the thermal and zero-point nyquist noise [Internet]. 1998 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1311.pdf
    • Vancouver

      França H de M, Santos RBB. Resonant paramagnetic enhancement of the thermal and zero-point nyquist noise [Internet]. 1998 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1311.pdf
  • Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA MATEMÁTICA

    Acesso à fonteComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      FRANÇA, Humberto de Menezes e SANTOS, R B B. Anomalous paramagnetic behavior: the role of the zeropoint electromagnetic fluctuations. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1273.pdf. Acesso em: 14 out. 2025. , 1997
    • APA

      França, H. de M., & Santos, R. B. B. (1997). Anomalous paramagnetic behavior: the role of the zeropoint electromagnetic fluctuations. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1273.pdf
    • NLM

      França H de M, Santos RBB. Anomalous paramagnetic behavior: the role of the zeropoint electromagnetic fluctuations [Internet]. 1997 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1273.pdf
    • Vancouver

      França H de M, Santos RBB. Anomalous paramagnetic behavior: the role of the zeropoint electromagnetic fluctuations [Internet]. 1997 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1273.pdf

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