ReP USP - Resultado da busca

Tese (Doutorado)
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (2010)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, BAIXA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos. (2010). Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
NLM
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Vancouver
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Trabalho de evento
Carriers mobility extraction methods for triple-gate FinFET (2008)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (orient.)
Source: SBMICRO 2008: Anais. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Carriers mobility extraction methods for triple-gate FinFET. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos. (2008). Carriers mobility extraction methods for triple-gate FinFET. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Santos CDG dos. Carriers mobility extraction methods for triple-gate FinFET. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Santos CDG dos. Carriers mobility extraction methods for triple-gate FinFET. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Caracterização elétrica de Fotodiodo na tecnologia nMOS (2007)
Pacheco, Vinícius Heltai; Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio
Source: 15 SIICUSP: anais. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, SENSORES ÓPTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PACHECO, Vinícius Heltai e SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos e MARTINO, João Antonio. Caracterização elétrica de Fotodiodo na tecnologia nMOS. 2007, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha4741.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Pacheco, V. H., Santos, C. D. G. dos, & Martino, J. A. (2007). Caracterização elétrica de Fotodiodo na tecnologia nMOS. In 15 SIICUSP: anais. São Paulo: Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha4741.pdf
NLM
Pacheco VH, Santos CDG dos, Martino JA. Caracterização elétrica de Fotodiodo na tecnologia nMOS [Internet]. 15 SIICUSP: anais. 2007 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha4741.pdf
Vancouver
Pacheco VH, Santos CDG dos, Martino JA. Caracterização elétrica de Fotodiodo na tecnologia nMOS [Internet]. 15 SIICUSP: anais. 2007 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/15Siicusp/ficha4741.pdf
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura (2005)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos. (2005). Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Santos CDG dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Santos CDG dos. Caracterização elétrica de transistores SOI de porta circundante com estrutura de canal gradual em alta temperatura. 2005 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Behavior of graded channel SOI gate-all-around NMOSFET devices at high temperatures (2004)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Pavanello, Marcelo Antonio ; Martino, João Antonio ; Flandre, Denis ; Raskin, Jean-Pierre
Source: Microelectronic technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos et al. Behavior of graded channel SOI gate-all-around NMOSFET devices at high temperatures. 2004, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2004. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos, Pavanello, M. A., Martino, J. A., Flandre, D., & Raskin, J. -P. (2004). Behavior of graded channel SOI gate-all-around NMOSFET devices at high temperatures. In Microelectronic technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Santos CDG dos, Pavanello MA, Martino JA, Flandre D, Raskin J-P. Behavior of graded channel SOI gate-all-around NMOSFET devices at high temperatures. Microelectronic technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Santos CDG dos, Pavanello MA, Martino JA, Flandre D, Raskin J-P. Behavior of graded channel SOI gate-all-around NMOSFET devices at high temperatures. Microelectronic technology and Devices SBMicro 2004. Proceedings, v. 2004-03. 2004 ;[citado 2024 nov. 01 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

Subjects