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  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assunto: SILÍCIO

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    • ABNT

      HAHN, S et al. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon. Journal of Applied Physics, v. 64, n. 9 , p. 4454-65, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.341268. Acesso em: 03 maio 2026.
    • APA

      Hahn, S., Ponce, F. A., Tiller, W. A., Stojanoff, V., Bulla, D. A. P., & Castro Junior, W. E. (1988). Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon. Journal of Applied Physics, 64( 9 ), 4454-65. doi:10.1063/1.341268
    • NLM

      Hahn S, Ponce FA, Tiller WA, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon [Internet]. Journal of Applied Physics. 1988 ;64( 9 ): 4454-65.[citado 2026 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.341268
    • Vancouver

      Hahn S, Ponce FA, Tiller WA, Stojanoff V, Bulla DAP, Castro Junior WE. Effects of heavy boron doping upon oxygen precipitation in czochralski silicon [Internet]. Journal of Applied Physics. 1988 ;64( 9 ): 4454-65.[citado 2026 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.341268
  • Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF

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    • ABNT

      BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, v. 85, n. 1-2, p. 91-6, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9. Acesso em: 03 maio 2026.
    • APA

      Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., Ponce, F. A., Hahn, S., & Tiller, W. A. (1987). Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, 85( 1-2), 91-6. doi:10.1016/0022-0248(87)90208-9
    • NLM

      Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2026 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9
    • Vancouver

      Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2026 maio 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9
  • Source: Proceedings. Conference titles: International Symposium on Silicon Materials Science and Technology: Semiconductor Silicon. Unidade: IF

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    • ABNT

      STOJANOFF, Vivian et al. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. 1986, Anais.. Boston: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1986. . Acesso em: 03 maio 2026.
    • APA

      Stojanoff, V., Pimentel, C. A., Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Hahn, S., & Ponce, F. A. (1986). Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. In Proceedings. Boston: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Stojanoff V, Pimentel CA, Bulla DAP, Castro Junior WE, Hahn S, Ponce FA. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. Proceedings. 1986 ;[citado 2026 maio 03 ]
    • Vancouver

      Stojanoff V, Pimentel CA, Bulla DAP, Castro Junior WE, Hahn S, Ponce FA. Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon. Proceedings. 1986 ;[citado 2026 maio 03 ]

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