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  • Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., Pereyra, I., & Silva, C. R. S. da. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
    • NLM

      Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 nov. 07 ]
    • Vancouver

      Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 nov. 07 ]
  • Source: Thin Solids Films. Unidades: IF, EP

    Subjects: FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      SCOPEL, Wanderla Luis et al. Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films. Thin Solids Films, v. 425, n. 1-2, p. 275-281, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)01053-2. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2003). Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films. Thin Solids Films, 425( 1-2), 275-281. doi:10.1016/s0040-6090(02)01053-2
    • NLM

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films [Internet]. Thin Solids Films. 2003 ; 425( 1-2): 275-281.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)01053-2
    • Vancouver

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films [Internet]. Thin Solids Films. 2003 ; 425( 1-2): 275-281.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)01053-2
  • Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP

    Subjects: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPECTROMETRIA, FILMES FINOS

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    • ABNT

      SCOPEL, Wanderla Luis et al. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, v. 413, n. 1-2, p. 59-64, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, 413( 1-2), 59-64. doi:10.1016/s0040-6090(02)00346-2
    • NLM

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
    • Vancouver

      Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
  • Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP

    Subjects: FÍSICA DE PLASMAS, DIELÉTRICOS

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    • ABNT

      ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, v. 402, n. 1-2, p. 154-161, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2002). On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, 402( 1-2), 154-161. doi:10.1016/S0040-6090(01)01685-6
    • NLM

      Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6
    • Vancouver

      Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6
  • Source: Materials Science Forum. Unidades: IF, EP

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PRADO, Rogerio Junqueira et al. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum, v. 338-342, n. 1, p. 329-332, 2000Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Prado, R. J., Fantini, M. C. de A., Tabacniks, M. H., Pereyra, I., & Flank, A. M. (2000). Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum, 338-342( 1), 329-332.
    • NLM

      Prado RJ, Fantini MC de A, Tabacniks MH, Pereyra I, Flank AM. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342( 1): 329-332.[citado 2024 nov. 07 ]
    • Vancouver

      Prado RJ, Fantini MC de A, Tabacniks MH, Pereyra I, Flank AM. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342( 1): 329-332.[citado 2024 nov. 07 ]

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