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  • Unidade: IF

    Subjects: EFEITO HALL, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FOTODETECTORES

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    • ABNT

      PAGNOSSIN, Ivan Ramos. Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/. Acesso em: 07 out. 2025.
    • APA

      Pagnossin, I. R. (2008). Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/
    • NLM

      Pagnossin IR. Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos [Internet]. 2008 ;[citado 2025 out. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/
    • Vancouver

      Pagnossin IR. Pontos-quânticos: fotodetectores, localização-fraca e estados de borda contra-rotativos [Internet]. 2008 ;[citado 2025 out. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-17052008-125518/
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: FILMES FINOS, POÇOS QUÂNTICOS

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PAGNOSSIN, Ivan Ramos et al. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 104, n. 7, p. 073723/1-073723/6, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2996034. Acesso em: 07 out. 2025.
    • APA

      Pagnossin, I. R., Meikap, A. K., Quivy, A. A., & Gusev, G. M. (2008). Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots. Journal of Applied Physics, 104( 7), 073723/1-073723/6. doi:10.1063/1.2996034
    • NLM

      Pagnossin IR, Meikap AK, Quivy AA, Gusev GM. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104( 7): 073723/1-073723/6.[citado 2025 out. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2996034
    • Vancouver

      Pagnossin IR, Meikap AK, Quivy AA, Gusev GM. Electron dephasing scattering rate in two-dimensional GaAs/InGaAs heterostructures with embedded InAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104( 7): 073723/1-073723/6.[citado 2025 out. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2996034
  • Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, EFEITO HALL, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PAGNOSSIN, Ivan Ramos. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs. 2004. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/. Acesso em: 07 out. 2025.
    • APA

      Pagnossin, I. R. (2004). Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/
    • NLM

      Pagnossin IR. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs [Internet]. 2004 ;[citado 2025 out. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/
    • Vancouver

      Pagnossin IR. Propriedades de transporte elétrico de gases bidimensionais de elétrons nas proximidades de pontos-quânticos de InAs [Internet]. 2004 ;[citado 2025 out. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-07072004-104036/

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