ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' (1991)
Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Schrappe, B.; Degani, Marcos Henrique; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Electronic Properties Two-Dimension Systems. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS'. 1991, Anais.. Nara: , Universidade de São Paulo, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Schrappe, B., Degani, M. H., Ioriatti Júnior, L. C., & Hipólito, O. (1991). Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS'. In Abstracts. Nara: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Schrappe B, Degani MH, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' [Internet]. Abstracts. 1991 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Schrappe B, Degani MH, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' [Internet]. Abstracts. 1991 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
Trabalho de evento
Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy (1991)
Notari, A. C.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Semicondutores Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SELÊNIO, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy. 1991, Anais.. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6965d6f-0a6c-4327-b891-6cfdba5f5ab4/PROD001230_1546967.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C. (1991). Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6965d6f-0a6c-4327-b891-6cfdba5f5ab4/PROD001230_1546967.pdf
NLM
Notari AC. Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Proceedings. 1991 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6965d6f-0a6c-4327-b891-6cfdba5f5ab4/PROD001230_1546967.pdf
Vancouver
Notari AC. Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Proceedings. 1991 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6965d6f-0a6c-4327-b891-6cfdba5f5ab4/PROD001230_1546967.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. 1990, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/26dd9ca2-0b18-432d-9566-e734afc378b9/PROD001538_2292939.pdf
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/55d88e59-315b-45cc-89b5-0c52dc4745ee/PROD001539_2292940.pdf
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f6d5ecf3-8a2e-41ab-ba98-4dd750c643ae/PROD001535_2292898.pdf
Trabalho de evento
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Basmaji, P.; Minondo, M.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Notari, A. C., Siu Li, M., Basmaji, P., & Minondo, M. (1990). Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf
NLM
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf
Vancouver
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) [Internet]. Anais. 1990 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5f726345-cac2-4498-abba-57dc78699a06/PROD001536_2292920.pdf
Trabalho de evento
Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular (1989)
Manzoli, J. E.; Scrappe, B. J.; Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo ; Basmaji, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANZOLI, J. E. et al. Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular. 1989, Anais.. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf. Acesso em: 28 abr. 2026.
APA
Manzoli, J. E., Scrappe, B. J., Notari, A. C., Ceschin, A. M., Siu Li, M., & Basmaji, P. (1989). Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular. In Anais. São José dos Campos: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf
NLM
Manzoli JE, Scrappe BJ, Notari AC, Ceschin AM, Siu Li M, Basmaji P. Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular [Internet]. Anais. 1989 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf
Vancouver
Manzoli JE, Scrappe BJ, Notari AC, Ceschin AM, Siu Li M, Basmaji P. Efeito Hall e condutividade eletrica em filmes de 'GA''AS' e 'AL IND. x''GA IND. 1-x''AS' crescidos por epitaxia de feixe molecular [Internet]. Anais. 1989 ;[citado 2026 abr. 28 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e19b7497-f233-446f-bb7e-ac9f4b6809d7/PROD001032_2288942.pdf

USP Schools

ReP

Filtros

Authors