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Tese (Doutorado)
Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As (1998)
González-Borrero, Pedro Pablo; Basmaji, Pierre (Orientador)
Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GONZÁLEZ-BORRERO, Pedro Pablo. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/. Acesso em: 04 out. 2024.
APA
González-Borrero, P. P. (1998). Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/
NLM
González-Borrero PP. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As [Internet]. 1998 ;[citado 2024 out. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/
Vancouver
González-Borrero PP. Crescimento e caracterização de pontos quânticos naturais de In As e 'In IND.0.5.' 'Ga IND.0.5' As sobre diferentes orientações cristalográficas do substrato de Ga As [Internet]. 1998 ;[citado 2024 out. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-101056/
Artigo de periodico
Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots (1998)
Pusep, Yuri A ; Zanelatto, G.; Silva, S. W.; Galzerani, J. C.; González-Borrero, Pedro Pablo; Toropov, A. I.; Basmaji, Pierre
Fonte: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, v. 58, n. 4, p. R1770-R1773, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770. Acesso em: 04 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Zanelatto, G., Silva, S. W., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Toropov, A. I., & Basmaji, P. (1998). Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Physical Review B, 58( 4), R1770-R1773. doi:10.1103/physrevb.58.r1770
NLM
Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2024 out. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770
Vancouver
Pusep YA, Zanelatto G, Silva SW, Galzerani JC, González-Borrero PP, Toropov AI, Basmaji P. Raman study of interface modes subjected to strain in InAs/GaAs self-assembled quantum dots [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 4): R1770-R1773.[citado 2024 out. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.r1770
Trabalho de evento-anais periodico
Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas (1998)
Basmaji, Pierre; Gusev, G M; La Scala Junior, N; González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D I; Silva, M P A da; Maude, D K; Portal, J C; Pusep, Yuri A ; Rossi, J C
Fonte: Physics of Low-Dimensional Structures. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microructures and Microdevices. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 04 out. 2024. , 1998
APA
Basmaji, P., Gusev, G. M., La Scala Junior, N., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Silva, M. P. A. da, et al. (1998). Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P, Gusev GM, La Scala Junior N, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Silva MPA da, Maude DK, Portal JC, Pusep YA, Rossi JC. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ; 1-2 187-192.[citado 2024 out. 04 ]
Vancouver
Basmaji P, Gusev GM, La Scala Junior N, González-Borrero PP, Lubyshev DI, Silva MPA da, Maude DK, Portal JC, Pusep YA, Rossi JC. Interference effects in nonplanar wires with a two-dimensional electron gas. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ; 1-2 187-192.[citado 2024 out. 04 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures (1998)
Zanelatto, G; Pusep, Yuri A ; Galzerani, J C; González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D; Basmaji, Pierre
Fonte: Physics of Low-Dimensional Structures. Nome do evento: International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ZANELATTO, G et al. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 04 out. 2024. , 1998
APA
Zanelatto, G., Pusep, Y. A., Galzerani, J. C., González-Borrero, P. P., Lubyshev, D., & Basmaji, P. (1998). Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. Moscou: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Zanelatto G, Pusep YA, Galzerani JC, González-Borrero PP, Lubyshev D, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ;1/2 237-242.[citado 2024 out. 04 ]
Vancouver
Zanelatto G, Pusep YA, Galzerani JC, González-Borrero PP, Lubyshev D, Basmaji P. Kinetic limit of segregation during the molecular beam epitaxy of GaAs/AlAs heterostructures. Physics of Low-Dimensional Structures. 1998 ;1/2 237-242.[citado 2024 out. 04 ]
Artigo de periodico
Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates (1998)
González-Borrero, Pedro Pablo; Lubyshev, D I; Marega Júnior, Euclydes; Petitprez, E; Basmaji, Pierre
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONZÁLEZ-BORRERO, Pedro Pablo et al. Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 365-368, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0353. Acesso em: 04 out. 2024.
APA
González-Borrero, P. P., Lubyshev, D. I., Marega Júnior, E., Petitprez, E., & Basmaji, P. (1998). Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 365-368. doi:10.1006/spmi.1996.0353
NLM
González-Borrero PP, Lubyshev DI, Marega Júnior E, Petitprez E, Basmaji P. Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 365-368.[citado 2024 out. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0353
Vancouver
González-Borrero PP, Lubyshev DI, Marega Júnior E, Petitprez E, Basmaji P. Optical properties of vertically aligned self-assembled InGaAs quantum dot layers on (311)A/B and (100) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 365-368.[citado 2024 out. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1996.0353

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