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  • Artigo de periodico

    Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments (2021)

    Vilas Bôas, Alexis C.; Melo, M.A.A. de; Santos, R. B. B.; Giacomini, R.; Medina, Nilberto H. ; Seixas, L. E.; Finco, S.; Palomo, F. R.; Romero-Maestre, A.; Guazzelli, Marcilei A.

    Fonte: Microelectronics Reliability. Unidade: IF

    Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, RADIAÇÃO IONIZANTE, ELETRÔNICA QUÂNTICA, NANOTECNOLOGIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      VILAS BÔAS, Alexis C. et al. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments. Microelectronics Reliability, v. 116, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000. Acesso em: 14 out. 2025.

    • APA

      Vilas Bôas, A. C., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R., Medina, N. H., Seixas, L. E., et al. (2021). Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments. Microelectronics Reliability, 116. doi:10.1016/j.microrel.2020.114000

    • NLM

      Vilas Bôas AC, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Romero-Maestre A, Guazzelli MA. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments [Internet]. Microelectronics Reliability. 2021 ; 116[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000

    • Vancouver

      Vilas Bôas AC, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Romero-Maestre A, Guazzelli MA. Ionizing radiation hardness tests of GaN HEMTs for harsh environments [Internet]. Microelectronics Reliability. 2021 ; 116[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2020.114000

  • Artigo de periodico

    Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs (2010)

    Bühler, Rudolf Theoderich; Giacomini, R.; Martino, João Antonio

    Fonte: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP

    Assunto: SIMULAÇÃO DE SISTEMAS

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BÜHLER, Rudolf Theoderich e GIACOMINI, R. e MARTINO, João Antonio. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 21-28, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474138. Acesso em: 14 out. 2025.

    • APA

      Bühler, R. T., Giacomini, R., & Martino, J. A. (2010). Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 21-28. doi:10.1149/1.3474138

    • NLM

      Bühler RT, Giacomini R, Martino JA. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 21-28.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474138

    • Vancouver

      Bühler RT, Giacomini R, Martino JA. Analog parameters of strained non-rectangular triplegate FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 21-28.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474138
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