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Tese (Doutorado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (2011)
Camillo, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
CAMILLO, Luciano Mendes. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Camillo, L. M. (2011). Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
NLM
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
Vancouver
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
Trabalho de evento
Influence of the drain bias and gate lenght of partially depleted SOI MOSFETs on the ZTC biasing point (2008)
Camillo, Luciano Mendes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: SBMICRO 2008: Anais. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
CAMILLO, Luciano Mendes et al. Influence of the drain bias and gate lenght of partially depleted SOI MOSFETs on the ZTC biasing point. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Camillo, L. M., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2008). Influence of the drain bias and gate lenght of partially depleted SOI MOSFETs on the ZTC biasing point. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Camillo LM, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Influence of the drain bias and gate lenght of partially depleted SOI MOSFETs on the ZTC biasing point. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Camillo LM, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Influence of the drain bias and gate lenght of partially depleted SOI MOSFETs on the ZTC biasing point. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Trabalho de evento
Influence of the N-type finFET width on the zero temperature coefficient (2007)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio ; Claeys, Cor ; Camillo, Luciano Mendes; Simoen, Eddy
Source: SBMicro 2007. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
BELLODI, Marcello et al. Influence of the N-type finFET width on the zero temperature coefficient. 2007, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2007. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Bellodi, M., Martino, J. A., Claeys, C., Camillo, L. M., & Simoen, E. (2007). Influence of the N-type finFET width on the zero temperature coefficient. In SBMicro 2007. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Bellodi M, Martino JA, Claeys C, Camillo LM, Simoen E. Influence of the N-type finFET width on the zero temperature coefficient. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA, Claeys C, Camillo LM, Simoen E. Influence of the N-type finFET width on the zero temperature coefficient. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Parte de monografia/livro
The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs (2005)
Camillo, Luciano Mendes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII: proceedings. Conference titles: International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
CAMILLO, Luciano Mendes et al. The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs. International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII: proceedings. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2005. . . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Camillo, L. M., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2005). The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs. In International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Camillo LM, Martino JA, Simoen E, Claeys C. The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs. In: International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society; 2005. [citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Camillo LM, Martino JA, Simoen E, Claeys C. The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs. In: International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII: proceedings. Pennington: The Electrochemical Society; 2005. [citado 2024 nov. 01 ]
Dissertação (Mestrado)
Simulação de dispositivos SOI MOSFETs utilizando SPICE (2000)
Camillo, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
CAMILLO, Luciano Mendes. Simulação de dispositivos SOI MOSFETs utilizando SPICE. 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. . Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Camillo, L. M. (2000). Simulação de dispositivos SOI MOSFETs utilizando SPICE (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Camillo LM. Simulação de dispositivos SOI MOSFETs utilizando SPICE. 2000 ;[citado 2024 nov. 01 ]
Vancouver
Camillo LM. Simulação de dispositivos SOI MOSFETs utilizando SPICE. 2000 ;[citado 2024 nov. 01 ]

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