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Artigo de periodico
Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study (2010)
Silva, Antonio Jose Roque da ; Piquini, P; Arantes, José Tadeu; Baierle, Rogerio Jose; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195432, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195432. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Piquini, P., Arantes, J. T., Baierle, R. J., & Fazzio, A. (2010). Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study. Physical Review B, 81( 19), 195432. doi:https://doi.org/10.1103/PhysRevB.81.195432
NLM
Silva AJR da, Piquini P, Arantes JT, Baierle RJ, Fazzio A. Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195432.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195432
Vancouver
Silva AJR da, Piquini P, Arantes JT, Baierle RJ, Fazzio A. Mn-doped cubic BN as an atomiclike memory device: a density functional study [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195432.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195432
Artigo de periodico
First-principles study of the adsorption of atomic and molecular hydrogen on BC2N nanotubes (2008)
Rossato, J; Baierle, Rogerio Jose; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: NANOPARTÍCULAS
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ABNT
ROSSATO, J et al. First-principles study of the adsorption of atomic and molecular hydrogen on BC2N nanotubes. Physical Review B, v. 77, n. 3, p. 035129/1-035129/6, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.035129. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Rossato, J., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2008). First-principles study of the adsorption of atomic and molecular hydrogen on BC2N nanotubes. Physical Review B, 77( 3), 035129/1-035129/6. doi:10.1103/physrevb.77.035129
NLM
Rossato J, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of the adsorption of atomic and molecular hydrogen on BC2N nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 3): 035129/1-035129/6.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.035129
Vancouver
Rossato J, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of the adsorption of atomic and molecular hydrogen on BC2N nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 3): 035129/1-035129/6.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.035129
Artigo de periodico
Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes (2007)
Baierle, Rogerio Jose; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: VIDRO, VIDRO
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes. Solid State Communications, v. 141, n. 1-2, p. 49-53, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2007). Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes. Solid State Communications, 141( 1-2), 49-53. doi:10.1016/j.ssc.2007.01.036
NLM
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2007 ; 141( 1-2): 49-53.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036
Vancouver
Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Adsorption of CO and NO molecules on carbon doped boron nitride nanotubes [Internet]. Solid State Communications. 2007 ; 141( 1-2): 49-53.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2007.01.036
Artigo de periodico
Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube (2006)
Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Physical Chemistry. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, v. 110, n. 42, p. 21184-21188, 2006Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Baierle, R. J., Piquini, P., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2006). Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, 110( 42), 21184-21188. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
NLM
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Vancouver
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Artigo de periodico
Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach (2005)
Rossato, Jussane; Baierle, Rogerio Jose; Fazzio, Adalberto; Mota, R
Source: Nano Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
ROSSATO, Jussane et al. Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach. Nano Letters, v. 5, n. 1, p. 197-200, 2005Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Rossato, J., Baierle, R. J., Fazzio, A., & Mota, R. (2005). Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach. Nano Letters, 5( 1), 197-200. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf
NLM
Rossato J, Baierle RJ, Fazzio A, Mota R. Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach [Internet]. Nano Letters. 2005 ; 5( 1): 197-200.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf
Vancouver
Rossato J, Baierle RJ, Fazzio A, Mota R. Vacancy formation process in carbon nanotubes: first-principles approach [Internet]. Nano Letters. 2005 ; 5( 1): 197-200.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/sample.cgi/nalefd/2005/5/i01/pdf/nl048226d.pdf
Artigo de periodico
Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study (2005)
Piquini, P; Baierle, Rogerio Jose; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Source: Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
PIQUINI, P et al. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study. Nanotechnology, v. 16, n. 6, p. 827-831, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Piquini, P., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2005). Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study. Nanotechnology, 16( 6), 827-831. doi:10.1088/0957-4484/16/6/035
NLM
Piquini P, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2005 ; 16( 6): 827-831.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035
Vancouver
Piquini P, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2005 ; 16( 6): 827-831.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035
Artigo de periodico
Theoretical study of native defects in BN nanotubes (2003)
Schmidt, T M; Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, CRISTALOGRAFIA
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, v. 67, n. 11, p. 113407/1-113407/4, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Baierle, R. J., Piquini, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, 67( 11), 113407/1-113407/4. doi:10.1103/physrevb.67.113407
NLM
Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407
Vancouver
Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407
Trabalho de evento-resumo
Efeitos de deformações estruturais em nanotubos de carbono (2003)
Rossato, Jussane; Mota, Ronaldo; Baierle, Rogerio Jose; Fazzio, Adalberto
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Simpósio Brasileiro de Química Teórica, XII. Unidade: IF
Subjects: QUÍMICA TEÓRICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ROSSATO, Jussane et al. Efeitos de deformações estruturais em nanotubos de carbono. 2003, Anais.. Campinas: UNICAMP, 2003. . Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Rossato, J., Mota, R., Baierle, R. J., & Fazzio, A. (2003). Efeitos de deformações estruturais em nanotubos de carbono. In Livro de Resumos. Campinas: UNICAMP.
NLM
Rossato J, Mota R, Baierle RJ, Fazzio A. Efeitos de deformações estruturais em nanotubos de carbono. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 jul. 15 ]
Vancouver
Rossato J, Mota R, Baierle RJ, Fazzio A. Efeitos de deformações estruturais em nanotubos de carbono. Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 jul. 15 ]
Artigo de periodico
Ab initio study of an organic molecule interacting with a silicon-doped carbon nanotube (2003)
Fagan, Solange B; Mota, R; Baierle, Rogerio Jose; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Diamond and Related Materials. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
FAGAN, Solange B et al. Ab initio study of an organic molecule interacting with a silicon-doped carbon nanotube. Diamond and Related Materials, v. 12, n. 3-7, p. 861-863, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0925-9635(02)00394-1. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Ab initio study of an organic molecule interacting with a silicon-doped carbon nanotube. Diamond and Related Materials, 12( 3-7), 861-863. doi:10.1016/s0925-9635(02)00394-1
NLM
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of an organic molecule interacting with a silicon-doped carbon nanotube [Internet]. Diamond and Related Materials. 2003 ; 12( 3-7): 861-863.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0925-9635(02)00394-1
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio study of an organic molecule interacting with a silicon-doped carbon nanotube [Internet]. Diamond and Related Materials. 2003 ; 12( 3-7): 861-863.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0925-9635(02)00394-1
Artigo de periodico
Energetics and structural properties of adsorbed atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Baierle, Rogerio Jose; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Materials Characterization. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Energetics and structural properties of adsorbed atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Materials Characterization, v. 50, n. 2-3, p. 183-187, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1044-5803(03)00087-1. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Energetics and structural properties of adsorbed atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Materials Characterization, 50( 2-3), 183-187. doi:10.1016/s1044-5803(03)00087-1
NLM
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and structural properties of adsorbed atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Materials Characterization. 2003 ; 50( 2-3): 183-187.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1044-5803(03)00087-1
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Silva AJR da, Fazzio A. Energetics and structural properties of adsorbed atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Materials Characterization. 2003 ; 50( 2-3): 183-187.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1044-5803(03)00087-1
Artigo de periodico
Functionalization of carbon nanotubes through the chemical binding of atoms and molecules (2003)
Fagan, Solange B; Silva, Antonio Jose Roque da; Mota, R; Baierle, Rogerio Jose; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange B et al. Functionalization of carbon nanotubes through the chemical binding of atoms and molecules. Physical Review B, v. 67, n. 3, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.033405. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Fagan, S. B., Silva, A. J. R. da, Mota, R., Baierle, R. J., & Fazzio, A. (2003). Functionalization of carbon nanotubes through the chemical binding of atoms and molecules. Physical Review B, 67( 3). doi:10.1103/physrevb.67.033405
NLM
Fagan SB, Silva AJR da, Mota R, Baierle RJ, Fazzio A. Functionalization of carbon nanotubes through the chemical binding of atoms and molecules [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 3):[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.033405
Vancouver
Fagan SB, Silva AJR da, Mota R, Baierle RJ, Fazzio A. Functionalization of carbon nanotubes through the chemical binding of atoms and molecules [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 3):[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.033405
Trabalho de evento-resumo
Behavior of the P interstitial in Si (2002)
Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marília Junqueira
Source: Program e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose e CALDAS, Marília Junqueira. Behavior of the P interstitial in Si. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Baierle, R. J., & Caldas, M. J. (2002). Behavior of the P interstitial in Si. In Program e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Baierle RJ, Caldas MJ. Behavior of the P interstitial in Si. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 jul. 15 ]
Vancouver
Baierle RJ, Caldas MJ. Behavior of the P interstitial in Si. Program e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 jul. 15 ]
Trabalho de evento-resumo
Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes (2002)
Fagan, Solange Binotto; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto; Baierle, Rogerio Jose
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. 2002, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2002. . Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Fagan, S. B., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Baierle, R. J. (2002). Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fagan SB, Silva AJR da, Fazzio A, Baierle RJ. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 jul. 15 ]
Vancouver
Fagan SB, Silva AJR da, Fazzio A, Baierle RJ. Adsorption of atoms and molecules on silicon-doped carbon nanotubes. Programa e Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 jul. 15 ]
Artigo de periodico
Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces (2002)
Dabrowski, J.; Müssig, H. -J.; Zavodinsky, V.; Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marília Junqueira
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DABROWSKI, J. et al. Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces. Physical Review B, v. 65, n. 24, p. 245305/1-245305/11, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Dabrowski, J., Müssig, H. -J., Zavodinsky, V., Baierle, R. J., & Caldas, M. J. (2002). Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces. Physical Review B, 65( 24), 245305/1-245305/11. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips
NLM
Dabrowski J, Müssig H-J, Zavodinsky V, Baierle RJ, Caldas MJ. Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 24): 245305/1-245305/11.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips
Vancouver
Dabrowski J, Müssig H-J, Zavodinsky V, Baierle RJ, Caldas MJ. Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 24): 245305/1-245305/11.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Native defects in germanium (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Native defects in germanium. Physica B, v. 302-303, p. 363-368, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Baierle, R. J., Mota, R., & Fazzio, A. (2001). Native defects in germanium. Physica B, 302-303, 363-368. doi:10.1016/s0921-4526(01)00455-0
NLM
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Vancouver
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Artigo de periodico
Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube (2001)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Baierle, Rogerio Jose; Paiva, C; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Journal of Molecular Structure-Theochem. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. Journal of Molecular Structure-Theochem, v. 539, p. 101-106, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Baierle, R. J., Paiva, C., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube. Journal of Molecular Structure-Theochem, 539, 101-106. doi:10.1016/s0166-1280(00)00777-6
NLM
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Paiva C, Silva AJR da, Fazzio A. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube [Internet]. Journal of Molecular Structure-Theochem. 2001 ; 539 101-106.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Baierle RJ, Paiva C, Silva AJR da, Fazzio A. Stability investigation and thermal behavior of a hypothetical silicon nanotube [Internet]. Journal of Molecular Structure-Theochem. 2001 ; 539 101-106.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0166-1280(00)00777-6
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes (2001)
Baierle, Rogerio Jose; Fagan, Solange Binotto; Mota, R.; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CLUSTERS
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes. Physical Review B, v. 64, n. 8, p. 5413/1-5413/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Baierle, R. J., Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes. Physical Review B, 64( 8), 5413/1-5413/4. doi:10.1103/physrevb.64.085413
NLM
Baierle RJ, Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 8): 5413/1-5413/4.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413
Vancouver
Baierle RJ, Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of silicon-doped carbon nanotubes [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 8): 5413/1-5413/4.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.085413
Artigo de periodico
Self-interstitial defect in germanium (2000)
Silva, Antonio J R da; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SILVA, Antonio J R da et al. Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, v. 61, n. 15, p. 9903-9906, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Janotti, A., Fazzio, A., Baierle, R. J., & Mota, R. (2000). Self-interstitial defect in germanium. Physical Review B, 61( 15), 9903-9906. doi:10.1103/physrevb.62.9903
NLM
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9903-9906.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Vancouver
Silva AJR da, Janotti A, Fazzio A, Baierle RJ, Mota R. Self-interstitial defect in germanium [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 15): 9903-9906.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.62.9903
Artigo de periodico
Mechanism of dopant segregation to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces (2000)
Dabrowski, J.; Casali, R A; Mussig, H. J.; Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marília Junqueira
Source: Journal of Vacuum Science & Technology B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
DABROWSKI, J. et al. Mechanism of dopant segregation to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Journal of Vacuum Science & Technology B, v. 18, n. 4, p. 2160-2164, 2000Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD9000018000004002160000001&idtype=cvips. Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Dabrowski, J., Casali, R. A., Mussig, H. J., Baierle, R. J., & Caldas, M. J. (2000). Mechanism of dopant segregation to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Journal of Vacuum Science & Technology B, 18( 4), 2160-2164. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD9000018000004002160000001&idtype=cvips
NLM
Dabrowski J, Casali RA, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ. Mechanism of dopant segregation to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2000 ; 18( 4): 2160-2164.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD9000018000004002160000001&idtype=cvips
Vancouver
Dabrowski J, Casali RA, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ. Mechanism of dopant segregation to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2000 ; 18( 4): 2160-2164.[citado 2024 jul. 15 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JVTBD9000018000004002160000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces (2000)
Dabrowski, J.; Mussig, H. J.; Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marilia Junqueira; Zavodinsky, V
Source: Materials Science in Semiconductor Processing. Unidade: IF
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DABROWSKI, J. et al. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing, v. 3, n. 1-2, p. 85-89, 2000Tradução . . Acesso em: 15 jul. 2024.
APA
Dabrowski, J., Mussig, H. J., Baierle, R. J., Caldas, M. J., & Zavodinsky, V. (2000). Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing, 3( 1-2), 85-89.
NLM
Dabrowski J, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ, Zavodinsky V. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing. 2000 ; 3( 1-2): 85-89.[citado 2024 jul. 15 ]
Vancouver
Dabrowski J, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ, Zavodinsky V. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing. 2000 ; 3( 1-2): 85-89.[citado 2024 jul. 15 ]

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