Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces (2000)
- Authors:
- Autor USP: CALDAS, MARILIA JUNQUEIRA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Materials Science in Semiconductor Processing
- ISSN: 1369-8001
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 3, n. 1-2, p. 85-89, 2000
-
ABNT
DABROWSKI, J. et al. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing, v. 3, n. 1-2, p. 85-89, 2000Tradução . . Acesso em: 27 dez. 2025. -
APA
Dabrowski, J., Mussig, H. J., Baierle, R. J., Caldas, M. J., & Zavodinsky, V. (2000). Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing, 3( 1-2), 85-89. -
NLM
Dabrowski J, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ, Zavodinsky V. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing. 2000 ; 3( 1-2): 85-89.[citado 2025 dez. 27 ] -
Vancouver
Dabrowski J, Mussig HJ, Baierle RJ, Caldas MJ, Zavodinsky V. Segregation of phosphorus to Si'O IND.2'/Si(001) interfaces. Materials Science in Semiconductor Processing. 2000 ; 3( 1-2): 85-89.[citado 2025 dez. 27 ] - Electronic structure of catechol melanins
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