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Trabalho de evento-resumo
Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems (2018)
Poças, Luiz Carlos; Souza, M R de; Laureto, Edson; Fernandes, Ricardo Vignoto; Daldin, Mariana; Quivy, Alain André; Lourenco, Sidney Alves; Silva, Sidney Alves
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
POÇAS, Luiz Carlos et al. Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0692-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Poças, L. C., Souza, M. R. de, Laureto, E., Fernandes, R. V., Daldin, M., Quivy, A. A., et al. (2018). Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0692-1.pdf
NLM
Poças LC, Souza MR de, Laureto E, Fernandes RV, Daldin M, Quivy AA, Lourenco SA, Silva SA. Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0692-1.pdf
Vancouver
Poças LC, Souza MR de, Laureto E, Fernandes RV, Daldin M, Quivy AA, Lourenco SA, Silva SA. Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0692-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Mössbauer and raman spectroscopy analysis of archaeological pottery from maranhão, Brazil (2014)
Ikeoka, R. A.; Marcori, O. H.; Appoloni, C. R.; Bandeira, A. M.; Cohen, Renato; Partiti, Carmen Silvia de Moya
Source: SBF. Conference titles: Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA NUCLEAR, ESPECTROSCOPIA
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ABNT
IKEOKA, R. A. et al. Mössbauer and raman spectroscopy analysis of archaeological pottery from maranhão, Brazil. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0059-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Ikeoka, R. A., Marcori, O. H., Appoloni, C. R., Bandeira, A. M., Cohen, R., & Partiti, C. S. de M. (2014). Mössbauer and raman spectroscopy analysis of archaeological pottery from maranhão, Brazil. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0059-1.pdf
NLM
Ikeoka RA, Marcori OH, Appoloni CR, Bandeira AM, Cohen R, Partiti CS de M. Mössbauer and raman spectroscopy analysis of archaeological pottery from maranhão, Brazil [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0059-1.pdf
Vancouver
Ikeoka RA, Marcori OH, Appoloni CR, Bandeira AM, Cohen R, Partiti CS de M. Mössbauer and raman spectroscopy analysis of archaeological pottery from maranhão, Brazil [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xxxvii/sys/resumos/R0059-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001) (2012)
Sawata, Marcella Ferraz; Oliveira, Ana Flávia Ciríaco de; Poças, Luiz Carlos; Lourenço, Sidney Alves; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano
Source: Resumo. Conference titles: 2ª Conferência de Física da Comunidade dos Países de Língua Portuguesa. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, GÁLIO
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ABNT
SAWATA, Marcella Ferraz et al. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001). 2012, Anais.. Brasília: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Sawata, M. F., Oliveira, A. F. C. de, Poças, L. C., Lourenço, S. A., Laureto, E., Duarte, J. L., & Dias, I. F. L. (2012). Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001). In Resumo. Brasília: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf
NLM
Sawata MF, Oliveira AFC de, Poças LC, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001) [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf
Vancouver
Sawata MF, Oliveira AFC de, Poças LC, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001) [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf
Trabalho de evento
Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001) (2012)
Sawata, Marcella Ferraz; Oliveira, Ana Flávia Ciríaco de; Poças, Luiz Carlos; Lourenço, Sidney Alves; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A. A.
Source: Programa (Painéis). Conference titles: 2ª Conferência de Física da Comunidade de Países de Língua Portuguesa. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA - PESQUISA (CONGRESSOS)
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ABNT
SAWATA, Marcella Ferraz et al. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001). 2012, Anais.. São Paulo: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Sawata, M. F., Oliveira, A. F. C. de, Poças, L. C., Lourenço, S. A., Laureto, E., Duarte, J. L., et al. (2012). Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001). In Programa (Painéis). São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf
NLM
Sawata MF, Oliveira AFC de, Poças LC, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001) [Internet]. Programa (Painéis). 2012 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf
Vancouver
Sawata MF, Oliveira AFC de, Poças LC, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001) [Internet]. Programa (Painéis). 2012 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots (2012)
Poças, Luiz Carlos; Sawata, Marcella Ferraz; Lourenço, Sidney Alves; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
POÇAS, Luiz Carlos et al. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Poças, L. C., Sawata, M. F., Lourenço, S. A., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2012). Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf
NLM
Poças LC, Sawata MF, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf
Vancouver
Poças LC, Sawata MF, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures (2012)
Laureto, E.; Aquino, V. M. de; Iwamoto, H.; Silva, M. A. T. da; Fernandes, R. V.; Franchello, F.; Dias, I. F. L.; Duarte, J. L.; Maia, A. D. B.; Silva, E. C. F. da; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUORES
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ABNT
LAURETO, E. et al. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Laureto, E., Aquino, V. M. de, Iwamoto, H., Silva, M. A. T. da, Fernandes, R. V., Franchello, F., et al. (2012). Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf
NLM
Laureto E, Aquino VM de, Iwamoto H, Silva MAT da, Fernandes RV, Franchello F, Dias IFL, Duarte JL, Maia ADB, Silva ECF da, Quivy AA. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf
Vancouver
Laureto E, Aquino VM de, Iwamoto H, Silva MAT da, Fernandes RV, Franchello F, Dias IFL, Duarte JL, Maia ADB, Silva ECF da, Quivy AA. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells (2011)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Silva, M A T da; Lourenço, S A; Silva, E C F da; Quivy, A A; Cezar, D F
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Lourenço, S. A., et al. (2011). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Artigo de periodico
Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs (2010)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenço, S A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 40, n. 1, p. 15-21, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Lourenço, S. A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2010). Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 40( 1), 15-21. doi:10.1590/s0103-97332010000100003
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Artigo de periodico
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells (2009)
Morais, R R O; Dias, I F L; Silva, M A T da; Cesar, D F; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 21, n. 15, p. 155601/1-155601/7, 2009Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Silva, M. A. T. da, Cesar, D. F., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., et al. (2009). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 21( 15), 155601/1-155601/7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Artigo de periodico
The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells (2008)
Silva, M A T da; Morais, R R O; Dias, I F L; Lourenço, S A; Duarte, J L; Laureto, E; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPALHAMENTO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M A T da et al. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 20, n. 25, p. 255246/1-255246/9, 2008Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Silva, M. A. T. da, Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Lourenço, S. A., Duarte, J. L., Laureto, E., et al. (2008). The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 20( 25), 255246/1-255246/9. Recuperado de http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
NLM
Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
Vancouver
Silva MAT da, Morais RRO, Dias IFL, Lourenço SA, Duarte JL, Laureto E, Quivy AA, Silva ECF da. The effect of confinement on the temperature dependence of the excitonic transition energy in GaAs/`Al IND.X´`Ga IND.1-X´As quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2008 ; 20( 25): 255246/1-255246/9.[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.iop.org/EJ/article/0953-8984/20/25/255246/cm8_25_255246.pdf?request-id=7151405b-ba22-44aa-98f1-6c2a21951c4d
Trabalho de evento-resumo
Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" (2008)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORAIS, R R O et al. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk". 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., Laureto, E., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2008). Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk". In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Estudo dos modelos de ajuste da variaão do "gap" com a temperatura em GaAs "bulk" [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0115-1.pdf
Artigo de periodico
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs (2004)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Poças, L C; Toginho Filho, D O; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, S A et al. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Poças, L. C., Toginho Filho, D. O., & Leite, J. R. (2004). Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000300031
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Poças LC, Toginho Filho DO, Leite JR. Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000300031
Artigo de periodico
Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Iwamoto, H; Meneses, E A; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, INTERAÇÕES NUCLEARES
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 29, n. 2, p. 225-231, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Iwamoto, H., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 29( 2), 225-231. Recuperado de http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Artigo de periodico
Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells (2001)
Lourenco, S A; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Duarte, J L; Toguinho Filho, D O; Meneses, E A; Leite, J. R.
Source: European Physical Journal B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
LOURENCO, S A et al. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, v. 21, n. 1, p. 11-17, 2001Tradução . . Disponível em: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Lourenco, S. A., Dias, I. F. L., Laureto, E., Duarte, J. L., Toguinho Filho, D. O., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells. European Physical Journal B, 21( 1), 11-17. Recuperado de http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
NLM
Lourenco SA, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Toguinho Filho DO, Meneses EA, Leite JR. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells [Internet]. European Physical Journal B. 2001 ; 21( 1): 11-17.[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
Vancouver
Lourenco SA, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Toguinho Filho DO, Meneses EA, Leite JR. Influence of Al content on temperature dependence of excitonic transitions in quantum wells [Internet]. European Physical Journal B. 2001 ; 21( 1): 11-17.[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://link.springer.de/link/service/journals/10051/papers/1021001/10210011.pdf
Artigo de periodico
Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Meneses, E A; Leite, J. R.; Mazzaro, I
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, ÓPTICA, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, v. 89, n. 11, p. 6159-6164, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1367875. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Meneses, E. A., Leite, J. R., & Mazzaro, I. (2001). Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs. Journal of Applied Physics, 89( 11), 6159-6164. doi:10.1063/1.1367875
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Meneses EA, Leite JR, Mazzaro I. Temperature dependence of optical transitions in AlGaAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 11): 6159-6164.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1367875
Trabalho de evento-resumo
Propriedades ópticas em pocos quânticos de 'Al IND. X''Ga IND. 1-X' As/GaAs (1999)
Lourenço, Sidney Alves; Laureto, Edson; Gelamo, Rogerio Valentim; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Duarte, Jose Leonil; Mazzaro, Irineu; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Propriedades ópticas em pocos quânticos de 'Al IND. X''Ga IND. 1-X' As/GaAs. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Laureto, E., Gelamo, R. V., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Mazzaro, I., & Leite, J. R. (1999). Propriedades ópticas em pocos quânticos de 'Al IND. X''Ga IND. 1-X' As/GaAs. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Lourenço SA, Laureto E, Gelamo RV, Dias IFL, Duarte JL, Mazzaro I, Leite JR. Propriedades ópticas em pocos quânticos de 'Al IND. X''Ga IND. 1-X' As/GaAs. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Lourenço SA, Laureto E, Gelamo RV, Dias IFL, Duarte JL, Mazzaro I, Leite JR. Propriedades ópticas em pocos quânticos de 'Al IND. X''Ga IND. 1-X' As/GaAs. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 05 ]

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