ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lía ; Mangiarotti, A. ; Martins, Marcos ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Source: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Relatorio tecnico
Performance of the ReD TPC, a novel double-phase LAr detector with silicon photomultiplier readout (2021)
Agnes, P.; Ave, M.; Sosa, A.; Albuquerque, Ivone
Unidade: IF
Subjects: DETETORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AGNES, P. et al. Performance of the ReD TPC, a novel double-phase LAr detector with silicon photomultiplier readout. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/2106.13168.pdf. Acesso em: 05 out. 2024. , 2021
APA
Agnes, P., Ave, M., Sosa, A., & Albuquerque, I. (2021). Performance of the ReD TPC, a novel double-phase LAr detector with silicon photomultiplier readout. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/2106.13168.pdf
NLM
Agnes P, Ave M, Sosa A, Albuquerque I. Performance of the ReD TPC, a novel double-phase LAr detector with silicon photomultiplier readout [Internet]. 2021 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2106.13168.pdf
Vancouver
Agnes P, Ave M, Sosa A, Albuquerque I. Performance of the ReD TPC, a novel double-phase LAr detector with silicon photomultiplier readout [Internet]. 2021 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2106.13168.pdf
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations (2021)
Mangiarotti, A. ; Petri, A. R.; Malafronte, A. A.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Fernández-Varea, José M. ; Maidana, Nora Lía ; Martins, Marcos ; Vanin, Vito
Source: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Subjects: FÍSICA DE PARTÍCULAS, FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), DIODOS, SILÍCIO, SIMULAÇÃO (ESTATÍSTICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANGIAROTTI, A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations. Radiation Physics and Chemistry, v. 182, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109102. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Mangiarotti, A., Petri, A. R., Malafronte, A. A., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations. Radiation Physics and Chemistry, 182. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109102
NLM
Mangiarotti A, Petri AR, Malafronte AA, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Fernández-Varea JM, Maidana NL, Martins M, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 182[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109102
Vancouver
Mangiarotti A, Petri AR, Malafronte AA, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Fernández-Varea JM, Maidana NL, Martins M, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 182[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109102
Artigo de periodico
Performance of the ReD TPC, a novel double-phase LAr detector with silicon photomultiplier readout (2021)
Agnes, P; Albuquerque, Ivone Freire da Mota e ; Ave, M
Source: European Physical Journal C. Unidade: IF
Subjects: DETETORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AGNES, P e ALBUQUERQUE, Ivone Freire da Mota e e AVE, M. Performance of the ReD TPC, a novel double-phase LAr detector with silicon photomultiplier readout. European Physical Journal C, v. 81, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1140/epjc/s10052-021-09801-6. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Agnes, P., Albuquerque, I. F. da M. e, & Ave, M. (2021). Performance of the ReD TPC, a novel double-phase LAr detector with silicon photomultiplier readout. European Physical Journal C, 81. doi:10.1140/epjc/s10052-021-09801-6
NLM
Agnes P, Albuquerque IF da M e, Ave M. Performance of the ReD TPC, a novel double-phase LAr detector with silicon photomultiplier readout [Internet]. European Physical Journal C. 2021 ; 81[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1140/epjc/s10052-021-09801-6
Vancouver
Agnes P, Albuquerque IF da M e, Ave M. Performance of the ReD TPC, a novel double-phase LAr detector with silicon photomultiplier readout [Internet]. European Physical Journal C. 2021 ; 81[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1140/epjc/s10052-021-09801-6
Artigo de periodico
Assessing the efficiency of SBA-15 as a nanocarrier for diphtheria anatoxin (2020)
Rasmussen, Martin Kjærulf; Bordallo, Heloisa N. ; Bordenalli, Marcela Aparecida; Akamatsu, M. A. ; Trezena, Aryene ; Tino-De-Franco, Milene; Sant'Anna, Osvaldo A.; Martins, Tereza da Silva; Lopes, J. L. S. ; Fantini, Marcia ; Oliveira, Cristiano
Source: Microporous and Mesoporous Materials. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, CRISTALOGRAFIA, BIOFÍSICA, SILÍCIO, TOXINAS, ANTÍGENOS, IMUNIZAÇÃO, DIFTERIA, VACINAS, ESPECTROSCOPIA, ESPALHAMENTO DE RAIOS X A BAIXOS ÂNGULOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RASMUSSEN, Martin Kjærulf et al. Assessing the efficiency of SBA-15 as a nanocarrier for diphtheria anatoxin. Microporous and Mesoporous Materials, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.micromeso.2020.110763. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Rasmussen, M. K., Bordallo, H. N., Bordenalli, M. A., Akamatsu, M. A., Trezena, A., Tino-De-Franco, M., et al. (2020). Assessing the efficiency of SBA-15 as a nanocarrier for diphtheria anatoxin. Microporous and Mesoporous Materials. doi:10.1016/j.micromeso.2020.110763
NLM
Rasmussen MK, Bordallo HN, Bordenalli MA, Akamatsu MA, Trezena A, Tino-De-Franco M, Sant'Anna OA, Martins T da S, Lopes JLS, Fantini M, Oliveira C. Assessing the efficiency of SBA-15 as a nanocarrier for diphtheria anatoxin [Internet]. Microporous and Mesoporous Materials. 2020 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micromeso.2020.110763
Vancouver
Rasmussen MK, Bordallo HN, Bordenalli MA, Akamatsu MA, Trezena A, Tino-De-Franco M, Sant'Anna OA, Martins T da S, Lopes JLS, Fantini M, Oliveira C. Assessing the efficiency of SBA-15 as a nanocarrier for diphtheria anatoxin [Internet]. Microporous and Mesoporous Materials. 2020 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micromeso.2020.110763
Apresentacao sonora/cenica/entrevista
Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] (2020)
Abramo, L. Raul ; Nussenzveig, Paulo
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, FOTÔNICA, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, FÍSICA, DIVULGAÇÃO CIENTÍFICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABRAMO, L. Raul e NUSSENZVEIG, Paulo. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento]. . São Paulo: USP. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be. Acesso em: 05 out. 2024. , 2020
APA
Abramo, L. R., & Nussenzveig, P. (2020). Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento]. São Paulo: USP. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
NLM
Abramo LR, Nussenzveig P. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
Vancouver
Abramo LR, Nussenzveig P. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
Trabalho de evento-resumo periodico
Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski (1989)
Furtado, W W; Stojanoff, Vivian
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
Subjects: CARBONO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FURTADO, W W e STOJANOFF, Vivian. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 05 out. 2024. , 1989
APA
Furtado, W. W., & Stojanoff, V. (1989). Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 290.[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 290.[citado 2024 out. 05 ]
Artigo de periodico
Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI' (1989)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Shen, W M; Tomkiewicz, M; Gambino, J P
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics, v. 66, n. 5 , p. 2148-55, 1989Tradução . . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics, 66( 5 ), 2148-55.
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 5 ): 2148-55.[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 5 ): 2148-55.[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski (1989)
Furtado, W W; Stojanoff, Vivian
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: CARBONO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FURTADO, W W e STOJANOFF, Vivian. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Furtado, W. W., & Stojanoff, V. (1989). Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x (1989)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Stojanoff, Vivian
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
Subjects: RAIOS X, OXIGÊNIO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira e STOJANOFF, Vivian. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 05 out. 2024. , 1989
APA
Bulla, D. A. P., & Stojanoff, V. (1989). Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Bulla DAP, Stojanoff V. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 288.[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Bulla DAP, Stojanoff V. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 288.[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento-resumo
Proton emission cross sections of silicon isotopes (1989)
Dias, J. F.; Martins, Marcos Nogueira
Source: Contributed Papers. Conference titles: International Nuclear Physics Conference. Unidade: IF
Subjects: SILÍCIO, ISÓTOPOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIAS, J. F. e MARTINS, Marcos Nogueira. Proton emission cross sections of silicon isotopes. 1989, Anais.. Sao Paulo: If/Dfn, 1989. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Dias, J. F., & Martins, M. N. (1989). Proton emission cross sections of silicon isotopes. In Contributed Papers. Sao Paulo: If/Dfn.
NLM
Dias JF, Martins MN. Proton emission cross sections of silicon isotopes. Contributed Papers. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Dias JF, Martins MN. Proton emission cross sections of silicon isotopes. Contributed Papers. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Artigo de periodico
Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' (1989)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Shen, W M; Tomkiewicz, M; Gambino, J P
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics, v. 66, n. 10, p. 4846-53, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.343801. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics, 66( 10), 4846-53. doi:10.1063/1.343801
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 10): 4846-53.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343801
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 10): 4846-53.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343801
Artigo de periodico
Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface (1989)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Shen, W M; Tomkiewicz, M; Gambino, J P
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface. Journal of Applied Physics, v. 65, n. 12, p. 4884-90, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.343203. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface. Journal of Applied Physics, 65( 12), 4884-90. doi:10.1063/1.343203
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;65( 12): 4884-90.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343203
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;65( 12): 4884-90.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343203
Artigo de periodico
Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon (1988)
Silva, E C F; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Dal Pino Junior, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: HIDROGÊNIO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E C F et al. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon. Physical Review B, v. 37, n. 6 , p. 3113-6, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Silva, E. C. F., Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Dal Pino Junior, A. (1988). Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon. Physical Review B, 37( 6 ), 3113-6. doi:10.1103/physrevb.37.3113
NLM
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 6 ): 3113-6.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113
Vancouver
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Vibrational-mode theory of acceptor- hydrogen complexes in silicon [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 6 ): 3113-6.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.3113
Trabalho de evento-resumo periodico
Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos (1985)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Castro Junior, Walter Esteves de; Macchione, Eduardo Luiz Augusto ; Pimentel, C. A.; Stojanoff, Vivian
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
Subjects: SILÍCIO, TRATAMENTO TÉRMICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf. Acesso em: 05 out. 2024. , 1985
APA
Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E. de, Macchione, E. L. A., Pimentel, C. A., & Stojanoff, V. (1985). Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf
NLM
Bulla DAP, Castro Junior WE de, Macchione ELA, Pimentel CA, Stojanoff V. Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos [Internet]. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 249-250.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf
Vancouver
Bulla DAP, Castro Junior WE de, Macchione ELA, Pimentel CA, Stojanoff V. Defeitos em monocristais de 'SI': B induzidos ou modificados por tratamentos térmicos [Internet]. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 249-250.[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e18c98ab-a231-4310-af8d-398930845a3c/0750598.pdf

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Subjects

Source title

Funding Agencies