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Artigo de periodico
Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs (2010)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenço, S A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 40, n. 1, p. 15-21, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Lourenço, S. A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2010). Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 40( 1), 15-21. doi:10.1590/s0103-97332010000100003
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
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Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
Artigo de periodico
Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors (2006)
Silva, Antonio José Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA, Antonio José Roque da et al. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3B, p. 813-816, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2006). Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors. Brazilian Journal of Physics, 36( 3B), 813-816. doi:10.1590/s0103-97332006000600004
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 813-816.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004
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Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 813-816.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004
Artigo de periodico
Surface properties of CdS nanoparticles (2006)
Favero, Paulo Roberto; Souza-Parise, M de; Fernandez, J R L; Miotto, R; Ferraz, A. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
FAVERO, Paulo Roberto et al. Surface properties of CdS nanoparticles. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3B, p. 1032-1034, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600062. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Favero, P. R., Souza-Parise, M. de, Fernandez, J. R. L., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2006). Surface properties of CdS nanoparticles. Brazilian Journal of Physics, 36( 3B), 1032-1034. doi:10.1590/s0103-97332006000600062
NLM
Favero PR, Souza-Parise M de, Fernandez JRL, Miotto R, Ferraz AC. Surface properties of CdS nanoparticles [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 1032-1034.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600062
Vancouver
Favero PR, Souza-Parise M de, Fernandez JRL, Miotto R, Ferraz AC. Surface properties of CdS nanoparticles [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 1032-1034.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600062
Artigo de periodico
Memory effects in backscattering of two-dimensional electrons in corrugated systems (2006)
Sotomayor, N M; Rocha Neto, José Francisco da; Gusev, Guennadii Michailovich
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SOTOMAYOR, N M e ROCHA NETO, José Francisco da e GUSEV, Guennadii Michailovich. Memory effects in backscattering of two-dimensional electrons in corrugated systems. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 340-342, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300028. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Sotomayor, N. M., Rocha Neto, J. F. da, & Gusev, G. M. (2006). Memory effects in backscattering of two-dimensional electrons in corrugated systems. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 340-342. doi:10.1590/s0103-97332006000300028
NLM
Sotomayor NM, Rocha Neto JF da, Gusev GM. Memory effects in backscattering of two-dimensional electrons in corrugated systems [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 340-342.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300028
Vancouver
Sotomayor NM, Rocha Neto JF da, Gusev GM. Memory effects in backscattering of two-dimensional electrons in corrugated systems [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 340-342.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300028
Artigo de periodico
Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400016
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Artigo de periodico
First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN (2004)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
PAIVA, R de et al. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2004). First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400008
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008
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Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008
Artigo de periodico
A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001) (2004)
Léon-Pérez, F de; Miotto, R; Ferraz, A. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LÉON-PÉREZ, F de e MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001). Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400052. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Léon-Pérez, F. de, Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2004). A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001). Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400052
NLM
Léon-Pérez F de, Miotto R, Ferraz AC. A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400052
Vancouver
Léon-Pérez F de, Miotto R, Ferraz AC. A theoretical study of acrylonitride adsorption on Si(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400052
Artigo de periodico
Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices (2004)
Oliveira, R F; Henriques, André Bohomoletz; Lamas, T E; Quivy, A. A.; Pires, M P; Souza, P L; Yavich, B; Abramof, E
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, LUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
OLIVEIRA, R F et al. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400032. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Pires, M. P., Souza, P. L., et al. (2004). Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400032
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Pires MP, Souza PL, Yavich B, Abramof E. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400032
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Pires MP, Souza PL, Yavich B, Abramof E. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400032
Artigo de periodico
Adsorption of 'C IND. 2''H IND. 2'-'C IND.2''O IND. 3' on Si(001) (2004)
Miotto, R; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G P. Adsorption of 'C IND. 2''H IND. 2'-'C IND.2''O IND. 3' on Si(001). Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/Vol34/Num2b/v34_563.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2004). Adsorption of 'C IND. 2''H IND. 2'-'C IND.2''O IND. 3' on Si(001). Brazilian Journal of Physics. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/Vol34/Num2b/v34_563.pdf
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Adsorption of 'C IND. 2''H IND. 2'-'C IND.2''O IND. 3' on Si(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/Vol34/Num2b/v34_563.pdf
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Adsorption of 'C IND. 2''H IND. 2'-'C IND.2''O IND. 3' on Si(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/Vol34/Num2b/v34_563.pdf
Artigo de periodico
Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties (2002)
Mota, F de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 436-438, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2002). Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 436-438. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Defect centers in 'alfa'-Si'N IND.X': electronic and structural properties [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 436-438.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_436.pdf
Artigo de periodico
Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 448-451, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 448-451. doi:10.1590/s0103-97332002000200059
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 448-451.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 448-451.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200059
Artigo de periodico
First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys (2002)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 405-408, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 405-408. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 405-408.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 405-408.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
Artigo de periodico
First-principles study of the adsorption of 'PH IND.3' on Ge(001) and Si(001) surfaces (2002)
Miotto, R; Ferraz, A. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R e FERRAZ, A. C. First-principles study of the adsorption of 'PH IND.3' on Ge(001) and Si(001) surfaces. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 392-395, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200041. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). First-principles study of the adsorption of 'PH IND.3' on Ge(001) and Si(001) surfaces. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 392-395. doi:10.1590/s0103-97332002000200041
NLM
Miotto R, Ferraz AC. First-principles study of the adsorption of 'PH IND.3' on Ge(001) and Si(001) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 392-395.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200041
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Miotto R, Ferraz AC. First-principles study of the adsorption of 'PH IND.3' on Ge(001) and Si(001) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 392-395.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200041
Artigo de periodico
In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy (2002)
Martini, S; Quivy, A. A.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S e QUIVY, A. A. In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 359-361, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200031. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Martini, S., & Quivy, A. A. (2002). In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 359-361. doi:10.1590/s0103-97332002000200031
NLM
Martini S, Quivy AA. In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 359-361.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200031
Vancouver
Martini S, Quivy AA. In-situ determination of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 359-361.[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200031
Artigo de periodico
Anomalous blueshift in vertically coupled InAs/GaAs quantum dots using InGaAs strain-reducing layers (2002)
Silva, M J da; Quivy, A. A.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da e QUIVY, A. A. Anomalous blueshift in vertically coupled InAs/GaAs quantum dots using InGaAs strain-reducing layers. Brazilian Journal of Physics, v. 32, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200010. Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Silva, M. J. da, & Quivy, A. A. (2002). Anomalous blueshift in vertically coupled InAs/GaAs quantum dots using InGaAs strain-reducing layers. Brazilian Journal of Physics, 32. doi:10.1590/s0103-97332002000200010
NLM
Silva MJ da, Quivy AA. Anomalous blueshift in vertically coupled InAs/GaAs quantum dots using InGaAs strain-reducing layers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200010
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA. Anomalous blueshift in vertically coupled InAs/GaAs quantum dots using InGaAs strain-reducing layers [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32[citado 2024 nov. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332002000200010
Artigo de periodico
Magnetic quantum effects in degenerate superlattices (1997)
Henriques, André Bohomoletz; Gonçalves, L. C. D.; Souza, P. L.; Yavich, B
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Magnetic quantum effects in degenerate superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, 1997Tradução . . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Henriques, A. B., Gonçalves, L. C. D., Souza, P. L., & Yavich, B. (1997). Magnetic quantum effects in degenerate superlattices. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4).
NLM
Henriques AB, Gonçalves LCD, Souza PL, Yavich B. Magnetic quantum effects in degenerate superlattices. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4):[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Henriques AB, Gonçalves LCD, Souza PL, Yavich B. Magnetic quantum effects in degenerate superlattices. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4):[citado 2024 nov. 06 ]

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