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Artigo de periodico
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)
Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962
NLM
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Vancouver
Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962
Trabalho de evento-resumo
Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria (2022)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. 2022, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2022. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., & Sipahi, G. M. (2022). Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM. Método de fitting de estruturas de bandas a partir de estratégias envolvendo propriedades de simetria [Internet]. Livro de Resumos. 2022 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/608e9c08-af68-4af4-816c-aa99107232bb/3121396.pdf
Trabalho de evento-resumo
Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes (2020)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 03 out. 2024.
APA
Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2020). Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM, Silva JLF da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM, Silva JLF da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view

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