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Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Motisuke, P
Fonte: Bulletin of the American Physical Society. Nome do evento: March Meeting. Unidade: IFSC
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jun. 2024. , 1990
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., & Motisuke, P. (1990). Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2024 jun. 19 ]
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2024 jun. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe) (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar; Ranz, E; Portal, J C
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). 1990, Anais.. São Paulo: Sbf, 1990. . Acesso em: 19 jun. 2024.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Ioriatti Júnior, L. C., Hipólito, O., Ranz, E., & Portal, J. C. (1990). Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). In Programa e Resumos. São Paulo: Sbf.
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 jun. 19 ]
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O, Ranz E, Portal JC. Multi - 'DELTA' - doping 'SI': 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe). Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2024 jun. 19 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe (1989)
Ceschin, A M; Notari, A C; Manzoli, E; Sharappe, B; Siu Li, Máximo
Fonte: Ciência e Cultura. Nome do evento: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IFSC
Assuntos: SEMICONDUTORES, FOTÔNICA
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ABNT
CESCHIN, A M et al. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jun. 2024. , 1989
APA
Ceschin, A. M., Notari, A. C., Manzoli, E., Sharappe, B., & Siu Li, M. (1989). Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2024 jun. 19 ]
Vancouver
Ceschin AM, Notari AC, Manzoli E, Sharappe B, Siu Li M. Mobilidade hall e concentração de portadores em filmes semicondutores 'GA''AS': 'SI' crescidos por mbe. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 285.[citado 2024 jun. 19 ]

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