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Artigo de periodico
Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors (2022)
Alzeidan, A.; Cantalice, T. F.; Vallejo, K. D.; Gajjela, R. S. R.; Hendriks, A. L.; Simmonds, P. J.; Koenraad, P. M.; Quivy, Alain André
Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, NANOTECNOLOGIA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, FOTODETECTORES
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ABNT
ALZEIDAN, A. et al. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 334, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F., Vallejo, K. D., Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Simmonds, P. J., et al. (2022). Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 334. doi:10.1016/j.sna.2021.113357
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Relatorio tecnico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, Alain André
Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. . Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf. Acesso em: 09 nov. 2024. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2020). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0412254.pdf
Artigo de periodico
Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well (2020)
Naranjo, A.; Bragança, H.; Jacobsen, G. M.; Morais, R. R. O. de; Quivy, Alain André ; Marques, G. E.; Lopez-Richard, V.; Teodoro, M. D.
Source: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, NANOTECNOLOGIA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, SPIN, ASSIMETRIA
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ABNT
NARANJO, A. et al. Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114599. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Naranjo, A., Bragança, H., Jacobsen, G. M., Morais, R. R. O. de, Quivy, A. A., Marques, G. E., et al. (2020). Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. doi:10.1016/j.physe.2020.114599
NLM
Naranjo A, Bragança H, Jacobsen GM, Morais RRO de, Quivy AA, Marques GE, Lopez-Richard V, Teodoro MD. Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2020 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114599
Vancouver
Naranjo A, Bragança H, Jacobsen GM, Morais RRO de, Quivy AA, Marques GE, Lopez-Richard V, Teodoro MD. Magnetic and power tuning of spin-asymmetric multiple excitons in a GaAs quantum well [Internet]. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2020 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2020.114599
Trabalho de evento-resumo
Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures (2012)
Honda, B. S. L.; Henriques, A. B.; Maia, A. D. B.; Quivy, A. A.; Abramof, E.; Rappl, P. H. O.
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
HONDA, B. S. L. et al. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Honda, B. S. L., Henriques, A. B., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., Abramof, E., & Rappl, P. H. O. (2012). Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf
NLM
Honda BSL, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Abramof E, Rappl PHO. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf
Vancouver
Honda BSL, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Abramof E, Rappl PHO. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf
Artigo de periodico
Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 (2005)
Monte, A F G; Cunha, J F R; Soler, M A P; Silva, S W; Quivy, A. A.; Morais, P C
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MONTE, A F G et al. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Monte, A. F. G., Cunha, J. F. R., Soler, M. A. P., Silva, S. W., Quivy, A. A., & Morais, P. C. (2005). Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 194-196. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.003
NLM
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Vancouver
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Artigo de periodico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, A. A.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 219-222, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 219-222. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.010
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Artigo de periodico
Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells (2004)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells. Physica E, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Leite, J. R. (2004). Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells. Physica E. doi:10.1016/j.physe.2003.11.223
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223
Artigo de periodico
Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit (2004)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit. Physica E, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Leite, J. R. (2004). Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit. Physica E. doi:10.1016/j.physe.2003.12.015
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015

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