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  • Source: Extended Abstracts. Conference titles: Workshop of SIBRATI. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      NAVIA, Alan Rodrigo e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Electrical characterization of MOS capacitors with gate of nickel/aluminum. 2001, Anais.. São Paulo: EPUSP, 2001. Disponível em: http://www.lsi.usp.br/. Acesso em: 28 ago. 2024.
    • APA

      Navia, A. R., & Santos Filho, S. G. dos. (2001). Electrical characterization of MOS capacitors with gate of nickel/aluminum. In Extended Abstracts. São Paulo: EPUSP. Recuperado de http://www.lsi.usp.br/
    • NLM

      Navia AR, Santos Filho SG dos. Electrical characterization of MOS capacitors with gate of nickel/aluminum [Internet]. Extended Abstracts. 2001 ;[citado 2024 ago. 28 ] Available from: http://www.lsi.usp.br/
    • Vancouver

      Navia AR, Santos Filho SG dos. Electrical characterization of MOS capacitors with gate of nickel/aluminum [Internet]. Extended Abstracts. 2001 ;[citado 2024 ago. 28 ] Available from: http://www.lsi.usp.br/
  • Source: Extended Abstracts. Conference titles: Eletrochemical Society Technical Meeting. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      FURLAN, Rogério e SWART, Jacobus Willibrordus. Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rtp in vacuum. Extended Abstracts. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 28 ago. 2024. , 1988
    • APA

      Furlan, R., & Swart, J. W. (1988). Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rtp in vacuum. Extended Abstracts. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
    • NLM

      Furlan R, Swart JW. Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rtp in vacuum. Extended Abstracts. 1988 ;88( 2 ): 377-8.[citado 2024 ago. 28 ]
    • Vancouver

      Furlan R, Swart JW. Titanium silicide formation and arsenic dopant behavior under rtp in vacuum. Extended Abstracts. 1988 ;88( 2 ): 377-8.[citado 2024 ago. 28 ]

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