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  • Artigo de periodico

    Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate (2006)

    Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; Cerdeira, F; Meneses, E A; Li, S F; As, D J; Lischka, K

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESPALHAMENTO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PACHECO-SALAZAR, D G et al. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 21, n. 7, p. 846-851, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003. Acesso em: 30 jun. 2024.

    • APA

      Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Li, S. F., As, D. J., & Lischka, K. (2006). Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, 21( 7), 846-851. doi:10.1088/0268-1242/21/7/003

    • NLM

      Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003

    • Vancouver

      Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003

  • Trabalho de evento-resumo

    Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions (2003)

    Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Potthast, A; Lischka, K

    Source: Programa e Libro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PACHECO-SALAZAR, D G et al. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 30 jun. 2024.

    • APA

      Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., As, D. J., Potthast, A., & Lischka, K. (2003). Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. In Programa e Libro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.

    • NLM

      Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 30 ]

    • Vancouver

      Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 30 ]
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