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Artigo de periodico
Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures (1997)
Zhenrui, yu; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés ; D`Addio-Fazzio, T F; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Assunto: FISICA APLICADA
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ABNT
ZHENRUI, yu et al. Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 105-109, 1997Tradução . . Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Zhenrui, yu, Paez Carreño, M. N., Pereyra, I., D`Addio-Fazzio, T. F., & Fantini, M. C. de A. (1997). Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 105-109.
NLM
Zhenrui yu, Paez Carreño MN, Pereyra I, D`Addio-Fazzio TF, Fantini MC de A. Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 105-109.[citado 2024 set. 25 ]
Vancouver
Zhenrui yu, Paez Carreño MN, Pereyra I, D`Addio-Fazzio TF, Fantini MC de A. Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 105-109.[citado 2024 set. 25 ]
Artigo de periodico
Carbon incorporation in 'PECVD''A-SI IND. 1-X''C ind. X': 'H' in the low power density regime (1997)
Pereyra, Inés ; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Prado, Rogerio Junqueira; Tabacniks, Manfredo Harri ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IF
Assunto: FISICA APLICADA
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ABNT
PEREYRA, Inés et al. Carbon incorporation in 'PECVD''A-SI IND. 1-X''C ind. X': 'H' in the low power density regime. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 150-153, 1997Tradução . . Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Pereyra, I., Paez Carreño, M. N., Prado, R. J., Tabacniks, M. H., & Fantini, M. C. de A. (1997). Carbon incorporation in 'PECVD''A-SI IND. 1-X''C ind. X': 'H' in the low power density regime. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 150-153.
NLM
Pereyra I, Paez Carreño MN, Prado RJ, Tabacniks MH, Fantini MC de A. Carbon incorporation in 'PECVD''A-SI IND. 1-X''C ind. X': 'H' in the low power density regime. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 150-153.[citado 2024 set. 25 ]
Vancouver
Pereyra I, Paez Carreño MN, Prado RJ, Tabacniks MH, Fantini MC de A. Carbon incorporation in 'PECVD''A-SI IND. 1-X''C ind. X': 'H' in the low power density regime. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 150-153.[citado 2024 set. 25 ]
Artigo de periodico
Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films (1997)
Prado, Rogerio Junqueira; Bittencourt, Diomar da Rocha Santos; Tabacniks, Manfredo Harri ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés
Source: Journal of Applied Crystallography. Unidades: IF, EP
Assunto: FISICA APLICADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PRADO, Rogerio Junqueira et al. Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films. Journal of Applied Crystallography, v. 30, n. 5, p. 659-663, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1107/S0021889897001349. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Prado, R. J., Bittencourt, D. da R. S., Tabacniks, M. H., Fantini, M. C. de A., Paez Carreño, M. N., & Pereyra, I. (1997). Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films. Journal of Applied Crystallography, 30( 5), 659-663. doi:10.1107/S0021889897001349
NLM
Prado RJ, Bittencourt D da RS, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Paez Carreño MN, Pereyra I. Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 1997 ; 30( 5): 659-663.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1107/S0021889897001349
Vancouver
Prado RJ, Bittencourt D da RS, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Paez Carreño MN, Pereyra I. Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 1997 ; 30( 5): 659-663.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1107/S0021889897001349

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