Menu

Filtros : "FISICA APLICADA" Limpar

Filtros

Refine with date range

  • 1

1 - 5 (5 records)

  • Artigo de periodico

    Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films (1997)

    Prado, Rogerio Junqueira; Bittencourt, Diomar da Rocha Santos; Tabacniks, Manfredo Harri ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés

    Source: Journal of Applied Crystallography. Unidades: IF, EP

    Assunto: FISICA APLICADA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PRADO, Rogerio Junqueira et al. Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films. Journal of Applied Crystallography, v. 30, n. 5, p. 659-663, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1107/S0021889897001349. Acesso em: 21 jan. 2026.

    • APA

      Prado, R. J., Bittencourt, D. da R. S., Tabacniks, M. H., Fantini, M. C. de A., Paez Carreño, M. N., & Pereyra, I. (1997). Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films. Journal of Applied Crystallography, 30( 5), 659-663. doi:10.1107/S0021889897001349

    • NLM

      Prado RJ, Bittencourt D da RS, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Paez Carreño MN, Pereyra I. Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 1997 ; 30( 5): 659-663.[citado 2026 jan. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1107/S0021889897001349

    • Vancouver

      Prado RJ, Bittencourt D da RS, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Paez Carreño MN, Pereyra I. Distribution of pores in a-Si1-xCx:H thin films [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 1997 ; 30( 5): 659-663.[citado 2026 jan. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1107/S0021889897001349

  • Artigo de periodico

    Carbon incorporation in 'PECVD''A-SI IND. 1-X''C ind. X': 'H' in the low power density regime (1997)

    Pereyra, Inés ; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Prado, Rogerio Junqueira; Tabacniks, Manfredo Harri ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu

    Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IF

    Assunto: FISICA APLICADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PEREYRA, Inés et al. Carbon incorporation in 'PECVD''A-SI IND. 1-X''C ind. X': 'H' in the low power density regime. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 150-153, 1997Tradução . . Acesso em: 21 jan. 2026.

    • APA

      Pereyra, I., Paez Carreño, M. N., Prado, R. J., Tabacniks, M. H., & Fantini, M. C. de A. (1997). Carbon incorporation in 'PECVD''A-SI IND. 1-X''C ind. X': 'H' in the low power density regime. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 150-153.

    • NLM

      Pereyra I, Paez Carreño MN, Prado RJ, Tabacniks MH, Fantini MC de A. Carbon incorporation in 'PECVD''A-SI IND. 1-X''C ind. X': 'H' in the low power density regime. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 150-153.[citado 2026 jan. 21 ]

    • Vancouver

      Pereyra I, Paez Carreño MN, Prado RJ, Tabacniks MH, Fantini MC de A. Carbon incorporation in 'PECVD''A-SI IND. 1-X''C ind. X': 'H' in the low power density regime. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 150-153.[citado 2026 jan. 21 ]

  • Artigo de periodico

    Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures (1997)

    Zhenrui, yu; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés ; D`Addio-Fazzio, T F; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu

    Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP

    Assunto: FISICA APLICADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ZHENRUI, yu et al. Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures. Brazilian Journal of Physics, v. 27/A, n. 4, p. 105-109, 1997Tradução . . Acesso em: 21 jan. 2026.

    • APA

      Zhenrui, yu, Paez Carreño, M. N., Pereyra, I., D`Addio-Fazzio, T. F., & Fantini, M. C. de A. (1997). Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures. Brazilian Journal of Physics, 27/A( 4), 105-109.

    • NLM

      Zhenrui yu, Paez Carreño MN, Pereyra I, D`Addio-Fazzio TF, Fantini MC de A. Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 105-109.[citado 2026 jan. 21 ]

    • Vancouver

      Zhenrui yu, Paez Carreño MN, Pereyra I, D`Addio-Fazzio TF, Fantini MC de A. Intrinsic and doped microcrystalline silicon films for application in double barrier structures. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A( 4): 105-109.[citado 2026 jan. 21 ]

  • Artigo de periodico

    Metallization of CVD diamond films and the manufacture of multilevel structures (1997)

    Monteiro, O R; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira ; Cattani, Mauro Sérgio Dorsa ; Mammana, V; Brow, I G

    Source: Thin Solid Films. Unidade: IF

    Assunto: FISICA APLICADA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MONTEIRO, O R et al. Metallization of CVD diamond films and the manufacture of multilevel structures. Thin Solid Films, v. 308-309, p. 215-218, 1997Tradução . . Acesso em: 21 jan. 2026.

    • APA

      Monteiro, O. R., Salvadori, M. C. B. da S., Cattani, M. S. D., Mammana, V., & Brow, I. G. (1997). Metallization of CVD diamond films and the manufacture of multilevel structures. Thin Solid Films, 308-309, 215-218.

    • NLM

      Monteiro OR, Salvadori MCB da S, Cattani MSD, Mammana V, Brow IG. Metallization of CVD diamond films and the manufacture of multilevel structures. Thin Solid Films. 1997 ; 308-309 215-218.[citado 2026 jan. 21 ]

    • Vancouver

      Monteiro OR, Salvadori MCB da S, Cattani MSD, Mammana V, Brow IG. Metallization of CVD diamond films and the manufacture of multilevel structures. Thin Solid Films. 1997 ; 308-309 215-218.[citado 2026 jan. 21 ]

  • Artigo de periodico

    Particle-in-cell simulation of nonlinear amplification of inverse bremsstrahlung electron acceleration (1997)

    Paes, A C J; Serbeto, A; Alves, M V; Galvão, Ricardo Magnus Osório ; Hussein, M S

    Source: Journal of Physics D. Unidade: IF

    Assunto: FISICA APLICADA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PAES, A C J et al. Particle-in-cell simulation of nonlinear amplification of inverse bremsstrahlung electron acceleration. Journal of Physics D, v. 30, n. 12, p. 1759-1762, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0022-3727/30/12/012. Acesso em: 21 jan. 2026.

    • APA

      Paes, A. C. J., Serbeto, A., Alves, M. V., Galvão, R. M. O., & Hussein, M. S. (1997). Particle-in-cell simulation of nonlinear amplification of inverse bremsstrahlung electron acceleration. Journal of Physics D, 30( 12), 1759-1762. doi:10.1088/0022-3727/30/12/012

    • NLM

      Paes ACJ, Serbeto A, Alves MV, Galvão RMO, Hussein MS. Particle-in-cell simulation of nonlinear amplification of inverse bremsstrahlung electron acceleration [Internet]. Journal of Physics D. 1997 ; 30( 12): 1759-1762.[citado 2026 jan. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/30/12/012

    • Vancouver

      Paes ACJ, Serbeto A, Alves MV, Galvão RMO, Hussein MS. Particle-in-cell simulation of nonlinear amplification of inverse bremsstrahlung electron acceleration [Internet]. Journal of Physics D. 1997 ; 30( 12): 1759-1762.[citado 2026 jan. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/30/12/012
  • 1

1 - 5 (5 records)

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2026