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Artigo de periodico
Influence of fixed electric charges on potential profile across the squid axon membrane (2008)
Cortez, C. M.; Cruz, F. A. O.; Silva, D.; Costa, Luciano da Fontoura
Fonte: Physica B. Unidade: IFSC
Assuntos: MEMBRANAS CELULARES, BIOLOGIA, DOENÇAS DEGENERATIVAS, POTENCIAL ELÉTRICO, FÍSICA
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ABNT
CORTEZ, C. M. et al. Influence of fixed electric charges on potential profile across the squid axon membrane. Physica B, v. 403, n. 4, p. 644-652, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2007.09.078. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Cortez, C. M., Cruz, F. A. O., Silva, D., & Costa, L. da F. (2008). Influence of fixed electric charges on potential profile across the squid axon membrane. Physica B, 403( 4), 644-652. doi:10.1016/j.physb.2007.09.078
NLM
Cortez CM, Cruz FAO, Silva D, Costa L da F. Influence of fixed electric charges on potential profile across the squid axon membrane [Internet]. Physica B. 2008 ; 403( 4): 644-652.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2007.09.078
Vancouver
Cortez CM, Cruz FAO, Silva D, Costa L da F. Influence of fixed electric charges on potential profile across the squid axon membrane [Internet]. Physica B. 2008 ; 403( 4): 644-652.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2007.09.078
Artigo de periodico
Native defects in germanium (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Native defects in germanium. Physica B, v. 302-303, p. 363-368, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Baierle, R. J., Mota, R., & Fazzio, A. (2001). Native defects in germanium. Physica B, 302-303, 363-368. doi:10.1016/s0921-4526(01)00455-0
NLM
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Vancouver
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Artigo de periodico
Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas (2001)
Bykov, A A; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Bakarov, A K; Toropov, A I; Maude, D K; Portal, J C
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BYKOV, A A et al. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Physica B, v. 298, n. 1-4, p. 79-82, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Bykov, A. A., Gusev, G. M., Leite, J. R., Moshegov, N. T., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., et al. (2001). Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Physica B, 298( 1-4), 79-82. doi:10.1016/s0921-4526(01)00264-2
NLM
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Portal JC. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 79-82.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2
Vancouver
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Portal JC. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 79-82.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2
Artigo de periodico
Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices (2001)
Henriques, André Bohomoletz; Oliveira, R. F.; Souza, P. L.; Yavich, B.
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices. Physica B, v. 298, n. 1-4, p. 320-323, 2001Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Henriques, A. B., Oliveira, R. F., Souza, P. L., & Yavich, B. (2001). Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices. Physica B, 298( 1-4), 320-323. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
NLM
Henriques AB, Oliveira RF, Souza PL, Yavich B. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 320-323.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
Henriques AB, Oliveira RF, Souza PL, Yavich B. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 320-323.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
Artigo de periodico
Magnetization steps from 'Ce POT.+3'-pairs in 'Pb IND.1-X''Ce IND.X' Se (2000)
Gratens, X; Bindilatti, V.; Haar, Ewout Ter; Oliveira Jr., N. F.; Shapira, Y; Golacki, Z
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
GRATENS, X et al. Magnetization steps from 'Ce POT.+3'-pairs in 'Pb IND.1-X''Ce IND.X' Se. Physica B, v. 284-288, n. 1-4, p. 1519-1520, 2000Tradução . . Disponível em: http://www.elsevier.nl/gej-ng/29/31/23/show/Products/CMW/frame.htt. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Gratens, X., Bindilatti, V., Haar, E. T., Oliveira Jr., N. F., Shapira, Y., & Golacki, Z. (2000). Magnetization steps from 'Ce POT.+3'-pairs in 'Pb IND.1-X''Ce IND.X' Se. Physica B, 284-288( 1-4), 1519-1520. Recuperado de http://www.elsevier.nl/gej-ng/29/31/23/show/Products/CMW/frame.htt
NLM
Gratens X, Bindilatti V, Haar ET, Oliveira Jr. NF, Shapira Y, Golacki Z. Magnetization steps from 'Ce POT.+3'-pairs in 'Pb IND.1-X''Ce IND.X' Se [Internet]. Physica B. 2000 ; 284-288( 1-4): 1519-1520.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.elsevier.nl/gej-ng/29/31/23/show/Products/CMW/frame.htt
Vancouver
Gratens X, Bindilatti V, Haar ET, Oliveira Jr. NF, Shapira Y, Golacki Z. Magnetization steps from 'Ce POT.+3'-pairs in 'Pb IND.1-X''Ce IND.X' Se [Internet]. Physica B. 2000 ; 284-288( 1-4): 1519-1520.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.elsevier.nl/gej-ng/29/31/23/show/Products/CMW/frame.htt
Artigo de periodico
Reversible and irreversible magnetization behavior in SmCo films (2000)
Cornejo, Daniel Reinaldo; Missell, Frank Patrick
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
CORNEJO, Daniel Reinaldo e MISSELL, Frank Patrick. Reversible and irreversible magnetization behavior in SmCo films. Physica B, v. 275, n. 1-3, p. 159-163, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00747-4. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Cornejo, D. R., & Missell, F. P. (2000). Reversible and irreversible magnetization behavior in SmCo films. Physica B, 275( 1-3), 159-163. doi:10.1016/s0921-4526(99)00747-4
NLM
Cornejo DR, Missell FP. Reversible and irreversible magnetization behavior in SmCo films [Internet]. Physica B. 2000 ; 275( 1-3): 159-163.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00747-4
Vancouver
Cornejo DR, Missell FP. Reversible and irreversible magnetization behavior in SmCo films [Internet]. Physica B. 2000 ; 275( 1-3): 159-163.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00747-4
Artigo de periodico
High equilibrium spin polarization in solid 'ANTPOT.129 Xe' (2000)
Honig, A; Wei, A Lewis; Haar, Ewout Ter; Seraji-Bozorgzad, K
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
HONIG, A et al. High equilibrium spin polarization in solid 'ANTPOT.129 Xe'. Physica B, v. 284-288, p. 2049-2050, 2000Tradução . . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Honig, A., Wei, A. L., Haar, E. T., & Seraji-Bozorgzad, K. (2000). High equilibrium spin polarization in solid 'ANTPOT.129 Xe'. Physica B, 284-288, 2049-2050.
NLM
Honig A, Wei AL, Haar ET, Seraji-Bozorgzad K. High equilibrium spin polarization in solid 'ANTPOT.129 Xe'. Physica B. 2000 ; 284-288 2049-2050.[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Honig A, Wei AL, Haar ET, Seraji-Bozorgzad K. High equilibrium spin polarization in solid 'ANTPOT.129 Xe'. Physica B. 2000 ; 284-288 2049-2050.[citado 2024 set. 04 ]
Artigo de periodico
Distant neighbors exchange interactions in 'Cd IND.1-X''Mn IND.X' Te (2000)
Malarenko Junior, Henady; Bindilatti, V.; Oliveira Jr., N. F.; Liu, M T; Shapira, Y
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALARENKO JUNIOR, Henady et al. Distant neighbors exchange interactions in 'Cd IND.1-X''Mn IND.X' Te. Physica B, v. 284, p. 1523-1524, 2000Tradução . . Disponível em: http://www.elsevier.nl/gej-ng/29/31/23/show/Products/CMW/frame.htt. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Malarenko Junior, H., Bindilatti, V., Oliveira Jr., N. F., Liu, M. T., & Shapira, Y. (2000). Distant neighbors exchange interactions in 'Cd IND.1-X''Mn IND.X' Te. Physica B, 284, 1523-1524. Recuperado de http://www.elsevier.nl/gej-ng/29/31/23/show/Products/CMW/frame.htt
NLM
Malarenko Junior H, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Liu MT, Shapira Y. Distant neighbors exchange interactions in 'Cd IND.1-X''Mn IND.X' Te [Internet]. Physica B. 2000 ; 284 1523-1524.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.elsevier.nl/gej-ng/29/31/23/show/Products/CMW/frame.htt
Vancouver
Malarenko Junior H, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Liu MT, Shapira Y. Distant neighbors exchange interactions in 'Cd IND.1-X''Mn IND.X' Te [Internet]. Physica B. 2000 ; 284 1523-1524.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.elsevier.nl/gej-ng/29/31/23/show/Products/CMW/frame.htt
Artigo de periodico
A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si (1999)
Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marilia Junqueira; Dabrowski, J.; Mussig, H. J.; Zavodinsky, V.
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, INTERFACE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si. Physica B, v. 274, p. 260-263, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00477-9. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Baierle, R. J., Caldas, M. J., Dabrowski, J., Mussig, H. J., & Zavodinsky, V. (1999). A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si. Physica B, 274, 260-263. doi:10.1016/s0921-4526(99)00477-9
NLM
Baierle RJ, Caldas MJ, Dabrowski J, Mussig HJ, Zavodinsky V. A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 260-263.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00477-9
Vancouver
Baierle RJ, Caldas MJ, Dabrowski J, Mussig HJ, Zavodinsky V. A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 260-263.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00477-9
Artigo de periodico
Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon (1999)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, v. 274, p. 473-475, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1999). Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, 274, 473-475. doi:10.1016/s0921-4526(99)00528-1
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Artigo de periodico
Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto; Mota, R.
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, v. 273-274, p. 831-834, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (1999). Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, 273-274, 831-834. doi:10.1016/s0921-4526(99)00515-3
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium (1999)
Janotti, A.; Baierle, Rogerio Jose; Silva, Antônio J. R. da; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, v. 274, p. 575-578, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Janotti, A., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Fazzio, A. (1999). Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, 274, 575-578. doi:10.1016/s0921-4526(99)00576-1
NLM
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Vancouver
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE (1999)
Henriques, André Bohomoletz; Hanamoto, L. K.; Oliveira, R. F.; Souza, P. L.; Gonçalves, L. C. D.; Yavich, B.
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, INTERFACE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE. Physica B, v. 273-274, p. 835-838, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Henriques, A. B., Hanamoto, L. K., Oliveira, R. F., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE. Physica B, 273-274, 835-838. doi:10.1016/s0921-4526(99)00516-5
NLM
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 835-838.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5
Vancouver
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 835-838.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5
Artigo de periodico
Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers (1999)
Dalpian, G. M.; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto; Silva, Antônio J. R. da
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, G. M. et al. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, v. 273-274, p. 589-592, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Janotti, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (1999). Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, 273-274, 589-592. doi:10.1016/s0921-4526(99)00580-3
NLM
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3
Vancouver
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3

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