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Artigo de periodico
Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer (2010)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Physica Status Solidi (C). Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), v. 7, n. 3-4, p. 937-940, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2010). Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), 7( 3-4), 937-940. doi:10.1002/pssc.200982656
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656
Artigo de periodico
Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer (2009)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Journal of Vacuum Science and Technology B. Unidade: EP
Assunto: DIELÉTRICOS
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B, v. 27, n. ja/feb. 2009, p. 236-245, 2009Tradução . . Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2009). Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B, 27( ja/feb. 2009), 236-245.
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B. 2009 ; 27( ja/feb. 2009): 236-245.[citado 2024 jul. 26 ]
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer. Journal of Vacuum Science and Technology B. 2009 ; 27( ja/feb. 2009): 236-245.[citado 2024 jul. 26 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (2003)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, SILÍCIO, DIELÉTRICOS
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Albertin, K. F. (2003). Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
NLM
Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
Vancouver
Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
Artigo de periodico
On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films (2002)
Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés ; Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICA DE PLASMAS, DIELÉTRICOS
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ABNT
ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, v. 402, n. 1-2, p. 154-161, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2002). On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, 402( 1-2), 154-161. doi:10.1016/S0040-6090(01)01685-6
NLM
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6
Vancouver
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6

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