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Trabalho de evento-resumo
ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, M D ; Gajjela, Raja Sekhar Reddy ; Hendriks, A L; Koenraad, P M
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Alzeidan, A., Quivy, A. A., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gajjela, R. S. R., et al. (2022). ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Vancouver
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors (2020)
García, Dennis Cabrera; Eirez Izquierdo, José Enrique ; Cavallari, Marco Roberto ; Quivy, Alain André; Fonseca, Fernando Josepetti
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: IF, EP
Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), FILMES FINOS, CAPACITORES, DIELÉTRICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
GARCÍA, Dennis Cabrera et al. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 15, n. 2, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
García, D. C., Eirez Izquierdo, J. E., Cavallari, M. R., Quivy, A. A., & Fonseca, F. J. (2020). Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 15( 2). doi:10.29292/jics.v15i2.170
NLM
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Vancouver
García DC, Eirez Izquierdo JE, Cavallari MR, Quivy AA, Fonseca FJ. Organic Dielectric Films for Flexible Transistors as Gas Sensors [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2020 ; 15( 2):[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v15i2.170
Artigo de periodico
The inﬂuence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped 'IN' IND. x' 'GA' IND. 1'−'ANTIND.x 'AS' quantum dots (2012)
Maia, A D B; Aquino, V M de; Dias, I F L; Silva, E C F da; Quivy, A A; Bindilatti, V
Source: JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
MAIA, A D B et al. The inﬂuence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped 'IN' IND. x' 'GA' IND. 1'−'ANTIND.x 'AS' quantum dots. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, v. 45, p. 225104, 2012Tradução . . Disponível em: http://iopscience.iop.org/0022-3727/45/22/225104/pdf/0022-3727_45_22_225104.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Maia, A. D. B., Aquino, V. M. de, Dias, I. F. L., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Bindilatti, V. (2012). The inﬂuence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped 'IN' IND. x' 'GA' IND. 1'−'ANTIND.x 'AS' quantum dots. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 45, 225104. Recuperado de http://iopscience.iop.org/0022-3727/45/22/225104/pdf/0022-3727_45_22_225104.pdf
NLM
Maia ADB, Aquino VM de, Dias IFL, Silva ECF da, Quivy AA, Bindilatti V. The inﬂuence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped 'IN' IND. x' 'GA' IND. 1'−'ANTIND.x 'AS' quantum dots [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. 2012 ;45 225104.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://iopscience.iop.org/0022-3727/45/22/225104/pdf/0022-3727_45_22_225104.pdf
Vancouver
Maia ADB, Aquino VM de, Dias IFL, Silva ECF da, Quivy AA, Bindilatti V. The inﬂuence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped 'IN' IND. x' 'GA' IND. 1'−'ANTIND.x 'AS' quantum dots [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. 2012 ;45 225104.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://iopscience.iop.org/0022-3727/45/22/225104/pdf/0022-3727_45_22_225104.pdf
Trabalho de evento
Sol-gel/POPOP supramolecular optoelectronic device (2006)
Costa, Sheila Cristina Santos; Silva, Sidicleia B C; Galembeck, Andre; Coutinho, Kaline Rabelo; Canuto, Sylvio
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
COSTA, Sheila Cristina Santos et al. Sol-gel/POPOP supramolecular optoelectronic device. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0043-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Costa, S. C. S., Silva, S. B. C., Galembeck, A., Coutinho, K. R., & Canuto, S. (2006). Sol-gel/POPOP supramolecular optoelectronic device. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0043-1.pdf
NLM
Costa SCS, Silva SBC, Galembeck A, Coutinho KR, Canuto S. Sol-gel/POPOP supramolecular optoelectronic device [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0043-1.pdf
Vancouver
Costa SCS, Silva SBC, Galembeck A, Coutinho KR, Canuto S. Sol-gel/POPOP supramolecular optoelectronic device [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0043-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
New optoeletronic multiblock copolymer: experimental and theoretical study (2004)
Giro, R; Ancalla Dávila, Liliana Yolanda; Paredes, A M M; Caldas, Marília Junqueira
Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, POLÍMEROS (MATERIAIS), ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
GIRO, R et al. New optoeletronic multiblock copolymer: experimental and theoretical study. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_%20c.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Giro, R., Ancalla Dávila, L. Y., Paredes, A. M. M., & Caldas, M. J. (2004). New optoeletronic multiblock copolymer: experimental and theoretical study. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_%20c.pdf
NLM
Giro R, Ancalla Dávila LY, Paredes AMM, Caldas MJ. New optoeletronic multiblock copolymer: experimental and theoretical study [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_%20c.pdf
Vancouver
Giro R, Ancalla Dávila LY, Paredes AMM, Caldas MJ. New optoeletronic multiblock copolymer: experimental and theoretical study [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_%20c.pdf
Artigo de periodico
Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices (2001)
Henriques, André Bohomoletz
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices. Applied Physics Letters, v. 78, n. 6, p. 691-693, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1346627. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Henriques, A. B. (2001). Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices. Applied Physics Letters, 78( 6), 691-693. doi:10.1063/1.1346627
NLM
Henriques AB. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 6): 691-693.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1346627
Vancouver
Henriques AB. Strong luminescence from Tamm states in modulation-doped superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 6): 691-693.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1346627
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' (1986)
Caldas, Marília Junqueira; Figueiredo, S K; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira e FIGUEIREDO, S K e FAZZIO, A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 33, n. 10, p. 7102-9, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Caldas, M. J., Figueiredo, S. K., & Fazzio, A. (1986). Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS'. Physical Review B, 33( 10), 7102-9. doi:10.1103/physrevb.33.7102
NLM
Caldas MJ, Figueiredo SK, Fazzio A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 10): 7102-9.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102
Vancouver
Caldas MJ, Figueiredo SK, Fazzio A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 10): 7102-9.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102

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