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  • Unidade: EP

    Assuntos: SILÍCIO, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteComo citar
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    • ABNT

      OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD. 2006. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/. Acesso em: 04 ago. 2024.
    • APA

      Oliveira, A. R. de. (2006). Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
    • NLM

      Oliveira AR de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
    • Vancouver

      Oliveira AR de. Estudo da viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício crescidos por PECVD [Internet]. 2006 ;[citado 2024 ago. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-142624/
  • Unidade: EP

    Assuntos: FILMES FINOS, SILÍCIO

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      OLIVEIRA, Alessandro Ricardo de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. . Acesso em: 04 ago. 2024.
    • APA

      Oliveira, A. R. de. (2002). Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Oliveira AR de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD. 2002 ;[citado 2024 ago. 04 ]
    • Vancouver

      Oliveira AR de. Dopagem elétrica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SIC:H) obtido por PECVD. 2002 ;[citado 2024 ago. 04 ]

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