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Trabalho de evento-resumo
Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells (2017)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A ; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Program. Conference titles: International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems - EP2DS. Unidade: IFSC
Subjects: ELÉTRONS (SISTEMAS), FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
TITO, M. A. et al. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. 2017, Anais.. State College: Pennsylvania State University, 2017. Disponível em: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs. Acesso em: 07 out. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2017). Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. In Program. State College: Pennsylvania State University. Recuperado de https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 out. 07 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Program. 2017 ;[citado 2024 out. 07 ] Available from: https://sites.psu.edu/ep2ds2017/programs
Trabalho de evento-resumo
Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells (2017)
Pusep, Yuri A ; Tito, M. A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: ELÉTRONS (SISTEMAS), FOTOLUMINESCÊNCIA, CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 07 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2017). Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
NLM
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 out. 07 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 out. 07 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Artigo de periodico
Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A ; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
TITO, M. A. et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 9, p. 094301-1-094301-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4942854. Acesso em: 07 out. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, 119( 9), 094301-1-094301-8. doi:10.1063/1.4942854
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 out. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 out. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Trabalho de evento-resumo
Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? (2016)
Pusep, Yuri A ; Tito, M. A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? 2016, Anais.. Paris: Chimie ParisTech, 2016. Disponível em: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf. Acesso em: 07 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Tito, M. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? In Book of Abstracts. Paris: Chimie ParisTech. Recuperado de http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
NLM
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 out. 07 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
Vancouver
Pusep YA, Tito MA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Is there inter-valley Auger recombination in InGaAs/InP quantum wells? [Internet]. Book of Abstracts. 2016 ;[citado 2024 out. 07 ] Available from: http://dpc16.sciencesconf.org/conference/dpc16/pages/DPC_BOA_index.pdf
Trabalho de evento-resumo
Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A ; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
TITO, M. A. et al. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 07 out. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 out. 07 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Auger recombination processes in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 out. 07 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Artigo de periodico
Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices (2011)
Pusep, Yuri A ; Gold, A.; Mamani, N. C.; Godoy, M. P. F.; Gobato, Y. Galvão; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, v. 110, n. 7, p. 073706-1-073706-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3646365. Acesso em: 07 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gold, A., Mamani, N. C., Godoy, M. P. F., Gobato, Y. G., & LaPierre, R. R. (2011). Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, 110( 7), 073706-1-073706-6. doi:10.1063/1.3646365
NLM
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2024 out. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Vancouver
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2024 out. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Trabalho de evento-resumo
High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures (2009)
Pusep, Yuri A ; Gozzo, G. C.; La Pierre, R. R.; Gold, A.
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, NANOTECNOLOGIA, FÍSICA DE PARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2009, Anais.. Curitiba: Universidade Federal do Paraná, 2009. . Acesso em: 07 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., La Pierre, R. R., & Gold, A. (2009). High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. In Abstracts. Curitiba: Universidade Federal do Paraná.
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 out. 07 ]
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 out. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures (2009)
Pusep, Yuri A ; Gozzo, G. C.; La Pierre, R. R.; Gold, A.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces - ICFSI. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, NANOTECNOLOGIA, FÍSICA DE PARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2009, Anais.. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2009. . Acesso em: 07 out. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., La Pierre, R. R., & Gold, A. (2009). High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. In Abstracts. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 out. 07 ]
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 out. 07 ]

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