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Artigo de periodico
Excitonic effects in II-VI semiconductor heterostructures (1994)
Chitta, Valmir Antonio
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ELETRÔNICA (PROPRIEDADES), ÓPTICA
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ABNT
CHITTA, Valmir Antonio. Excitonic effects in II-VI semiconductor heterostructures. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1, p. 133-144, 1994Tradução . . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Chitta, V. A. (1994). Excitonic effects in II-VI semiconductor heterostructures. Brazilian Journal of Physics, 24( 1), 133-144.
NLM
Chitta VA. Excitonic effects in II-VI semiconductor heterostructures. Brazilian Journal of Physics. 1994 ; 24( 1): 133-144.[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Chitta VA. Excitonic effects in II-VI semiconductor heterostructures. Brazilian Journal of Physics. 1994 ; 24( 1): 133-144.[citado 2024 jun. 02 ]
Artigo de periodico
Single-triplet level crossings in matrix-isolated pentacene (1994)
Astilean, S.; Chitta, Valmir Antonio; Corval, A.; Miller, R. J. D.; Trommsdorff, H. P.
Source: Chemical Physics Letters. Unidade: IFQSC
Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA, MAGNETISMO
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ABNT
ASTILEAN, S. et al. Single-triplet level crossings in matrix-isolated pentacene. Chemical Physics Letters, v. 1/2, p. 95-100, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0009-2614(94)00064-6. Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Astilean, S., Chitta, V. A., Corval, A., Miller, R. J. D., & Trommsdorff, H. P. (1994). Single-triplet level crossings in matrix-isolated pentacene. Chemical Physics Letters, 1/2, 95-100. doi:10.1016/0009-2614(94)00064-6
NLM
Astilean S, Chitta VA, Corval A, Miller RJD, Trommsdorff HP. Single-triplet level crossings in matrix-isolated pentacene [Internet]. Chemical Physics Letters. 1994 ; 1/2 95-100.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0009-2614(94)00064-6
Vancouver
Astilean S, Chitta VA, Corval A, Miller RJD, Trommsdorff HP. Single-triplet level crossings in matrix-isolated pentacene [Internet]. Chemical Physics Letters. 1994 ; 1/2 95-100.[citado 2024 jun. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0009-2614(94)00064-6
Trabalho de evento
Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy (1991)
Notari, A. C.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Semicondutores Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SELÊNIO, TEMPERATURA
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ABNT
NOTARI, A. C. Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy. 1991, Anais.. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1991. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Notari, A. C. (1991). Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC. Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy. Proceedings. 1991 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Notari AC. Selenium delta doped in almost single monolayer grown by molecular beam epitaxy. Proceedings. 1991 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Trabalho de evento
MBE crystal growth (1991)
Basmaji, Pierre
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School Semicondutores Physics. Unidade: IFSC
Subjects: CRESCIMENTO DE CRISTAIS, MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FEIXES
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ABNT
BASMAJI, Pierre. MBE crystal growth. 1991, Anais.. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1991. . Acesso em: 02 jun. 2024.
APA
Basmaji, P. (1991). MBE crystal growth. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P. MBE crystal growth. Proceedings. 1991 ;[citado 2024 jun. 02 ]
Vancouver
Basmaji P. MBE crystal growth. Proceedings. 1991 ;[citado 2024 jun. 02 ]

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