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Artigo de periodico
High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices (1999)
Henriques, André Bohomoletz; Hanamoto, L. K.; Oliveira, R. F.; Souza, P. L.; Gonçalves, L. C. D.; Yavich, B.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 707-710, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Henriques, A. B., Hanamoto, L. K., Oliveira, R. F., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 707-710. doi:10.1590/s0103-97331999000400017
NLM
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 707-710.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017
Vancouver
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. High magnetic field transport and photoluminescence in doped InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 707-710.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400017
Artigo de periodico
Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) (1999)
Silva, R. Claudino da; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, INTERFACE
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ABNT
SILVA, R. Claudino da e FERRAZ, A. C. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001). Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 823-827, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Silva, R. C. da, & Ferraz, A. C. (1999). Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001). Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 823-827. doi:10.1590/s0103-97331999000400045
NLM
Silva RC da, Ferraz AC. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 823-827.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045
Vancouver
Silva RC da, Ferraz AC. Tellurium: modified surface states of GaAs(001) and InAs(001) [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 823-827.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400045
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces (1999)
Miwa, R. H.; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
MIWA, R. H. e FERRAZ, A. C. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947. Acesso em: 30 jun. 2024. , 1999
APA
Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (1999). Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
NLM
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 814-816.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Vancouver
Miwa RH, Ferraz AC. Theoretical study of Si(001)/Te-(1X1), (2X1) and (3X1) surfaces [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 814-816.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.scielo.br/cgi-bin/fbpe/fball?got=all&pid=0103-9733&usr=fbpe&lng=pt&nrm=iso&sss=1&aut=71981947
Trabalho de evento-anais periodico
Electronic and structural properties of complex defects in GaAs (1998)
Janotti, A.; Fazzio, A; Piquini, P; Mota, R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 30 jun. 2024. , 1998
APA
Janotti, A., Fazzio, A., Piquini, P., & Mota, R. (1998). Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 jun. 30 ]
Vancouver
Janotti A, Fazzio A, Piquini P, Mota R. Electronic and structural properties of complex defects in GaAs. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 110-115.[citado 2024 jun. 30 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8 (1997)
Fazzio, Adalberto; Ferraz, A. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto e FERRAZ, A. C. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 30 jun. 2024. , 1997
APA
Fazzio, A., & Ferraz, A. C. (1997). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 344.[citado 2024 jun. 30 ]
Vancouver
Fazzio A, Ferraz AC. Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP-8. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27A( 4): 344.[citado 2024 jun. 30 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
The structure of Si/Ge superlattices (1997)
Fantini, Márcia ; Palacios, H. T.; Carvalho, C. A. M.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, SILÍCIO, GERMÂNIO, SUPERCONDUTIVIDADE, TERMOELETRICIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FANTINI, Márcia e PALACIOS, H. T. e CARVALHO, C. A. M. The structure of Si/Ge superlattices. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v27a_336.pdf. Acesso em: 30 jun. 2024. , 1997
APA
Fantini, M., Palacios, H. T., & Carvalho, C. A. M. (1997). The structure of Si/Ge superlattices. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v27a_336.pdf
NLM
Fantini M, Palacios HT, Carvalho CAM. The structure of Si/Ge superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A 336-339.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v27a_336.pdf
Vancouver
Fantini M, Palacios HT, Carvalho CAM. The structure of Si/Ge superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1997 ; 27/A 336-339.[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v27a_336.pdf

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