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Trabalho de evento-resumo
Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties (2018)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Suomalainen, Soile; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Lupo, Donald; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Pizani, Paulo Sérgio; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidade: FZEA
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties. 2018, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2018. Disponível em: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Suomalainen, S., Souto, S. P. A., Galeti, H. V. A., Lupo, D., et al. (2018). Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Pizani PS, Gobato YG, Guina M. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties [Internet]. Proceedings. 2018 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Pizani PS, Gobato YG, Guina M. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties [Internet]. Proceedings. 2018 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf
Trabalho de evento-resumo
Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy (2018)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Suomalainen, Soile; Hakkarainen, Teemu; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Lupo, Donald; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Abstracts NSP. Nome do evento: International Workshop and School - Nanostructures for Photonics. Unidade: FZEA
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, NANOPARTÍCULAS, FOTÔNICA
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ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy. 2018, Anais.. Saint Petersburg: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo, 2018. Disponível em: http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Suomalainen, S., Hakkarainen, T., Souto, S. P. A., Galeti, H. V. A., et al. (2018). Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy. In Abstracts NSP. Saint Petersburg: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Gobato YG, Guina M. Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Abstracts NSP. 2018 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Gobato YG, Guina M. Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Abstracts NSP. 2018 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf
Trabalho de evento-resumo
Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties (2018)
Gobato, Yara Galvao; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Suomalainen, Soile; Hakkarainen, Teemu; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Pizani, Paulo Sérgio; Lupo, Donald; Guina, Mircea
Fonte: Proceedings ICPS. Nome do evento: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: FZEA
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, SEMICONDUTORES
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ABNT
GOBATO, Yara Galvao et al. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties. 2018, Anais.. Montpellier: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.icps2018.org/en/program/abstract. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Gobato, Y. G., Galeti, H. V. A., Piton, M. R., Koivusalo, E., Suomalainen, S., Hakkarainen, T., et al. (2018). Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties. In Proceedings ICPS. Montpellier: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.icps2018.org/en/program/abstract
NLM
Gobato YG, Galeti HVA, Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Rodrigues A de G, Pizani PS, Lupo D, Guina M. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties [Internet]. Proceedings ICPS. 2018 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.icps2018.org/en/program/abstract
Vancouver
Gobato YG, Galeti HVA, Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Rodrigues A de G, Pizani PS, Lupo D, Guina M. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties [Internet]. Proceedings ICPS. 2018 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: http://www.icps2018.org/en/program/abstract
Trabalho de evento
Optical and electrical characterization of Te and Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy (2017)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Suomalainen, Soile; Hakkarainen, Teemu; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Schramm, Andreas; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: FZEA
Assuntos: FÍSICA ÓPTICA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Optical and electrical characterization of Te and Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy. 2017, Anais.. Piscataway, NJ: IEEE, 2017. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2017.8113028. Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Suomalainen, S., Hakkarainen, T., Souto, S. P. A., Galeti, H. V. A., et al. (2017). Optical and electrical characterization of Te and Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy. In Proceedings. Piscataway, NJ: IEEE. doi:10.1109/SBMicro.2017.8113028
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Galeti HVA, Schramm A, Gobato YG, Guina M. Optical and electrical characterization of Te and Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2017.8113028
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Galeti HVA, Schramm A, Gobato YG, Guina M. Optical and electrical characterization of Te and Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy [Internet]. Proceedings. 2017 ;[citado 2024 ago. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2017.8113028
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si (2017)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Hakkarainen, Teemu; Suomalainen, Soile; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Optics & Photonics Days. Unidade: FZEA
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si. 2017, Anais.. Oulu: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo, 2017. . Acesso em: 10 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Hakkarainen, T., Suomalainen, S., Galeti, H. V. A., Souto, S. P. A., et al. (2017). Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si. In Abstracts. Oulu: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo.
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Galeti HVA, Souto SPA, Gobato YG, Guina M. Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si. Abstracts. 2017 ;[citado 2024 ago. 10 ]
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Suomalainen S, Galeti HVA, Souto SPA, Gobato YG, Guina M. Optical properties of Be and Te-doped GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on Si. Abstracts. 2017 ;[citado 2024 ago. 10 ]

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