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Dissertação (Mestrado)
Estudos espectroscópicos de vidros sódio aluminofosfatos co-dopados com 'Yb IND. 3+' e 'Tm IND. 3+' (2007)
Terra, Idelma Aparecida Alves; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: ENGMAT
Subjects: ESPECTROSCOPIA ÓPTICA, VIDRO, LASER, MATERIAIS
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ABNT
TERRA, Idelma Aparecida Alves. Estudos espectroscópicos de vidros sódio aluminofosfatos co-dopados com 'Yb IND. 3+' e 'Tm IND. 3+'. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-21112007-132715/. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Terra, I. A. A. (2007). Estudos espectroscópicos de vidros sódio aluminofosfatos co-dopados com 'Yb IND. 3+' e 'Tm IND. 3+' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-21112007-132715/
NLM
Terra IAA. Estudos espectroscópicos de vidros sódio aluminofosfatos co-dopados com 'Yb IND. 3+' e 'Tm IND. 3+' [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-21112007-132715/
Vancouver
Terra IAA. Estudos espectroscópicos de vidros sódio aluminofosfatos co-dopados com 'Yb IND. 3+' e 'Tm IND. 3+' [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-21112007-132715/
Tese (Doutorado)
Estudo da mudança estrutural fotoinduzida em filmes de vidros a base de polifosfato de antimônio (2004)
De Vicente, Fábio Simões; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: ENGMAT
Subjects: ANTIMÔNIO, FILMES FINOS, VIDRO
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ABNT
DE VICENTE, Fábio Simões. Estudo da mudança estrutural fotoinduzida em filmes de vidros a base de polifosfato de antimônio. 2004. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2004. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-26052014-104432/. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
De Vicente, F. S. (2004). Estudo da mudança estrutural fotoinduzida em filmes de vidros a base de polifosfato de antimônio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-26052014-104432/
NLM
De Vicente FS. Estudo da mudança estrutural fotoinduzida em filmes de vidros a base de polifosfato de antimônio [Internet]. 2004 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-26052014-104432/
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De Vicente FS. Estudo da mudança estrutural fotoinduzida em filmes de vidros a base de polifosfato de antimônio [Internet]. 2004 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-26052014-104432/
Tese (Doutorado)
Estudo da fotoexpansão em vidros calcogenetos a base de sulfeto de arsênio e germânio (2003)
Messaddeq, Sandra Helena; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: ENGMAT
Subjects: VIDRO, TRATAMENTO TÉRMICO, FILMES FINOS
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ABNT
MESSADDEQ, Sandra Helena. Estudo da fotoexpansão em vidros calcogenetos a base de sulfeto de arsênio e germânio. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-143542/. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Messaddeq, S. H. (2003). Estudo da fotoexpansão em vidros calcogenetos a base de sulfeto de arsênio e germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-143542/
NLM
Messaddeq SH. Estudo da fotoexpansão em vidros calcogenetos a base de sulfeto de arsênio e germânio [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-143542/
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Messaddeq SH. Estudo da fotoexpansão em vidros calcogenetos a base de sulfeto de arsênio e germânio [Internet]. 2003 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-143542/
Tese (Doutorado)
Filmes policristalinos de (KCl + TlCl) e (KCl + Yb'Cl IND.3' + KCN): produção e caracterização (2000)
Rubo, Elisabete Aparecida Andrello; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: ENGMAT
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
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RUBO, Elisabete Aparecida Andrello. Filmes policristalinos de (KCl + TlCl) e (KCl + Yb'Cl IND.3' + KCN): produção e caracterização. 2000. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2000. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-160113/. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Rubo, E. A. A. (2000). Filmes policristalinos de (KCl + TlCl) e (KCl + Yb'Cl IND.3' + KCN): produção e caracterização (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-160113/
NLM
Rubo EAA. Filmes policristalinos de (KCl + TlCl) e (KCl + Yb'Cl IND.3' + KCN): produção e caracterização [Internet]. 2000 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-160113/
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Rubo EAA. Filmes policristalinos de (KCl + TlCl) e (KCl + Yb'Cl IND.3' + KCN): produção e caracterização [Internet]. 2000 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-160113/
Tese (Doutorado)
Relaxação do dipolar elétrica fotoinduzida em alexandritas sintética e natural (2000)
Scalvi, Rosa Maria Fernandes; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: ENGMAT
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), DIELÉTRICOS
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ABNT
SCALVI, Rosa Maria Fernandes. Relaxação do dipolar elétrica fotoinduzida em alexandritas sintética e natural. 2000. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2000. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-154119/. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Scalvi, R. M. F. (2000). Relaxação do dipolar elétrica fotoinduzida em alexandritas sintética e natural (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-154119/
NLM
Scalvi RMF. Relaxação do dipolar elétrica fotoinduzida em alexandritas sintética e natural [Internet]. 2000 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-154119/
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Scalvi RMF. Relaxação do dipolar elétrica fotoinduzida em alexandritas sintética e natural [Internet]. 2000 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-154119/
Tese (Doutorado)
Espectroscopia óptica de aglomerados 'Y b POT. 2+'/C'N POT. -' em haletos de potássio (1999)
Castro, Antonio Carlos de; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: ENGMAT
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESPECTROSCOPIA
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CASTRO, Antonio Carlos de. Espectroscopia óptica de aglomerados 'Y b POT. 2+'/C'N POT. -' em haletos de potássio. 1999. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1999. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-165356/. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Castro, A. C. de. (1999). Espectroscopia óptica de aglomerados 'Y b POT. 2+'/C'N POT. -' em haletos de potássio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-165356/
NLM
Castro AC de. Espectroscopia óptica de aglomerados 'Y b POT. 2+'/C'N POT. -' em haletos de potássio [Internet]. 1999 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-165356/
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Castro AC de. Espectroscopia óptica de aglomerados 'Y b POT. 2+'/C'N POT. -' em haletos de potássio [Internet]. 1999 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-14112014-165356/
Dissertação (Mestrado)
Uma contribuição para a caracterização elétrica e ótica de filmes finos de Sn'O IND.2' preparados a partir de soluções coloidais (1998)
Messias, Fábio Rogério; Scalvi, Luis Vicente de Andrade (Orientador); Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: ENGMAT
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MESSIAS, Fábio Rogério. Uma contribuição para a caracterização elétrica e ótica de filmes finos de Sn'O IND.2' preparados a partir de soluções coloidais. 1998. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-18082015-172923/. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Messias, F. R. (1998). Uma contribuição para a caracterização elétrica e ótica de filmes finos de Sn'O IND.2' preparados a partir de soluções coloidais (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-18082015-172923/
NLM
Messias FR. Uma contribuição para a caracterização elétrica e ótica de filmes finos de Sn'O IND.2' preparados a partir de soluções coloidais [Internet]. 1998 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-18082015-172923/
Vancouver
Messias FR. Uma contribuição para a caracterização elétrica e ótica de filmes finos de Sn'O IND.2' preparados a partir de soluções coloidais [Internet]. 1998 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/88/88131/tde-18082015-172923/
Trabalho de evento
Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' (1994)
Scalvi, L V A; Oliveira, L.; Siu Li, Máximo
Source: Materials Research Society Symposium Proceedings. Conference titles: MRS Fall Meeting. Unidade: IFQSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS), MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCALVI, L V A e OLIVEIRA, L. e SIU LI, Máximo. Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. 1994, Anais.. Pittsburgh: Materials Research Society - MRS, 1994. Disponível em: https://doi.org/10.1557/PROC-325-285. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Scalvi, L. V. A., Oliveira, L., & Siu Li, M. (1994). Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS'. In Materials Research Society Symposium Proceedings (Vol. 325). Pittsburgh: Materials Research Society - MRS. doi:10.1557/PROC-325-285
NLM
Scalvi LVA, Oliveira L, Siu Li M. Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1994 ; 325[citado 2024 jun. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-325-285
Vancouver
Scalvi LVA, Oliveira L, Siu Li M. Dipole relaxation current in n-type 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' [Internet]. Materials Research Society Symposium Proceedings. 1994 ; 325[citado 2024 jun. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1557/PROC-325-285
Tese (Doutorado)
Estudo de defeitos 'YB POT.2+/C'n pot.-' EM K'cl', transferencia de energia e ganho optico (1994)
Muller, Marcia; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: IFQSC
Subjects: ÓPTICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MULLER, Marcia. Estudo de defeitos 'YB POT.2+/C'n pot.-' EM K'cl', transferencia de energia e ganho optico. 1994. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1994. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-05022014-114232/. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Muller, M. (1994). Estudo de defeitos 'YB POT.2+/C'n pot.-' EM K'cl', transferencia de energia e ganho optico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, Sao Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-05022014-114232/
NLM
Muller M. Estudo de defeitos 'YB POT.2+/C'n pot.-' EM K'cl', transferencia de energia e ganho optico [Internet]. 1994 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-05022014-114232/
Vancouver
Muller M. Estudo de defeitos 'YB POT.2+/C'n pot.-' EM K'cl', transferencia de energia e ganho optico [Internet]. 1994 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-05022014-114232/
Tese (Doutorado)
Desenvolvimento de um espectrofotometro a laser de centro de cor aplicado ao estudo de cristais de 'NA'f: 'CU POT.+':O'H POT.-' (1994)
Fabris, Jose Luis; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: IFQSC
Assunto: ÓPTICA
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ABNT
FABRIS, Jose Luis. Desenvolvimento de um espectrofotometro a laser de centro de cor aplicado ao estudo de cristais de 'NA'f: 'CU POT.+':O'H POT.-'. 1994. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1994. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-05022014-111238/. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Fabris, J. L. (1994). Desenvolvimento de um espectrofotometro a laser de centro de cor aplicado ao estudo de cristais de 'NA'f: 'CU POT.+':O'H POT.-' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, Sao Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-05022014-111238/
NLM
Fabris JL. Desenvolvimento de um espectrofotometro a laser de centro de cor aplicado ao estudo de cristais de 'NA'f: 'CU POT.+':O'H POT.-' [Internet]. 1994 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-05022014-111238/
Vancouver
Fabris JL. Desenvolvimento de um espectrofotometro a laser de centro de cor aplicado ao estudo de cristais de 'NA'f: 'CU POT.+':O'H POT.-' [Internet]. 1994 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-05022014-111238/
Trabalho de evento-resumo
A caracterizacao e dominio da tecnica de producao de centros de cor (1993)
Oliveira, F.; Siu Li, Máximo
Source: Resumos. Conference titles: Simposio Estadual de Iniciacao Cientifica em Fisica. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, F. e SIU LI, Máximo. A caracterizacao e dominio da tecnica de producao de centros de cor. 1993, Anais.. Sao Carlos: Ifqsc-Usp, 1993. . Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Oliveira, F., & Siu Li, M. (1993). A caracterizacao e dominio da tecnica de producao de centros de cor. In Resumos. Sao Carlos: Ifqsc-Usp.
NLM
Oliveira F, Siu Li M. A caracterizacao e dominio da tecnica de producao de centros de cor. Resumos. 1993 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Vancouver
Oliveira F, Siu Li M. A caracterizacao e dominio da tecnica de producao de centros de cor. Resumos. 1993 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature (1993)
Scalvi, L V A; Siu Li, Máximo; Minami, E; Oliveira, L.
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian School of Semiconductor Physics. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCALVI, L V A et al. On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. 1993, Anais.. Sao Carlos: Usp/Ufscar, 1993. . Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Scalvi, L. V. A., Siu Li, M., Minami, E., & Oliveira, L. (1993). On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. In Abstracts. Sao Carlos: Usp/Ufscar.
NLM
Scalvi LVA, Siu Li M, Minami E, Oliveira L. On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. Abstracts. 1993 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Vancouver
Scalvi LVA, Siu Li M, Minami E, Oliveira L. On the photoconductivity of n-doped 'AL''GA''AS' around liquid 'HE' temperature. Abstracts. 1993 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
570 nm and 4.8 'mü' emissions in 'YB POT.2+' / C'N POT.-' double doped K'CL' (1993)
Muller, M; Fabris, J L; Hernandes, Antônio Carlos; Siu Li, Máximo
Source: Technical Digest. Conference titles: International Conference on Luminescence. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MULLER, M et al. 570 nm and 4.8 'mü' emissions in 'YB POT.2+' / C'N POT.-' double doped K'CL'. 1993, Anais.. Storrs: University of Connecticut, 1993. . Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Muller, M., Fabris, J. L., Hernandes, A. C., & Siu Li, M. (1993). 570 nm and 4.8 'mü' emissions in 'YB POT.2+' / C'N POT.-' double doped K'CL'. In Technical Digest. Storrs: University of Connecticut.
NLM
Muller M, Fabris JL, Hernandes AC, Siu Li M. 570 nm and 4.8 'mü' emissions in 'YB POT.2+' / C'N POT.-' double doped K'CL'. Technical Digest. 1993 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Vancouver
Muller M, Fabris JL, Hernandes AC, Siu Li M. 570 nm and 4.8 'mü' emissions in 'YB POT.2+' / C'N POT.-' double doped K'CL'. Technical Digest. 1993 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Tese (Doutorado)
Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS' (1992)
Ceschin, Artemis Marti; Siu Li, Máximo (Orientador)
Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CESCHIN, Artemis Marti. Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS'. 1992. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1992. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06022014-104232/. Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Ceschin, A. M. (1992). Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, Sao Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06022014-104232/
NLM
Ceschin AM. Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS' [Internet]. 1992 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06022014-104232/
Vancouver
Ceschin AM. Crescimento e caracterizacao de heteroestruturas tensionadas de 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS'/'GA''AS' [Internet]. 1992 ;[citado 2024 jun. 18 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/54/54132/tde-06022014-104232/
Trabalho de evento-anais periodico
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Iikawa, F.; Motisuke, Paulo; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Source: Proceedings of SPIE. Conference titles: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.20864. Acesso em: 18 jun. 2024. , 1990
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.20864
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2024 jun. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2024 jun. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Trabalho de evento
Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Siu Li, Máximo; Basmaji, P.; Minondo, M.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Notari, A. C., Siu Li, M., Basmaji, P., & Minondo, M. (1990). Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Vancouver
Notari AC, Siu Li M, Basmaji P, Minondo M. Análise in situ de semicondutores III-V durante o crescimento a partir de epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar
Source: Abstracts. Conference titles: Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. 1990, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990. . Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE.
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. Abstracts. 1990 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Trabalho de evento
Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular (1990)
Notari, A. C.; Ceschin, A. M.; Basmaji, P.; Siu Li, Máximo; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOTARI, A. C. et al. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 18 jun. 2024.
APA
Notari, A. C., Ceschin, A. M., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., et al. (1990). Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2024 jun. 18 ]
Vancouver
Notari AC, Ceschin AM, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Análise termodinâmica da deformação em 'GA''AS'/'SI' crescidos pela técnica de epitaxia por feixe molecular. Anais. 1990 ;[citado 2024 jun. 18 ]

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