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Trabalho de evento-resumo
Spintronics with two-dimensional electron systems (2018)
Gonzales Hernández, Felix Guillermo
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro de Outono. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, SPINTRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
GONZALES HERNÁNDEZ, Felix Guillermo. Spintronics with two-dimensional electron systems. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0191-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Gonzales Hernández, F. G. (2018). Spintronics with two-dimensional electron systems. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0191-1.pdf
NLM
Gonzales Hernández FG. Spintronics with two-dimensional electron systems [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0191-1.pdf
Vancouver
Gonzales Hernández FG. Spintronics with two-dimensional electron systems [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0191-1.pdf
Trabalho de evento
Tunable band gap inversion in broken gap quantum wells (2017)
Sandoval, Marcelo A. Toloza; Campos, Tiago de; Sipahi, Guilherme Matos
Fonte: Resumo. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Assuntos: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANDOVAL, Marcelo A. Toloza e CAMPOS, Tiago de e SIPAHI, Guilherme Matos. Tunable band gap inversion in broken gap quantum wells. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: https://doi.org/10.17648/bwsp-2017-69992. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Sandoval, M. A. T., Campos, T. de, & Sipahi, G. M. (2017). Tunable band gap inversion in broken gap quantum wells. In Resumo. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. doi:10.17648/bwsp-2017-69992
NLM
Sandoval MAT, Campos T de, Sipahi GM. Tunable band gap inversion in broken gap quantum wells [Internet]. Resumo. 2017 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.17648/bwsp-2017-69992
Vancouver
Sandoval MAT, Campos T de, Sipahi GM. Tunable band gap inversion in broken gap quantum wells [Internet]. Resumo. 2017 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://doi.org/10.17648/bwsp-2017-69992
Trabalho de evento-resumo
Efeito da deposição em regime de subtensão de chumbo, bismuto ou cobre nas propriedades semicondutoras de um filme de selênio trigonal (2015)
Coelho, D; Luiz, G. M.; Machado, Sergio Antonio Spinola
Fonte: Resumo. Nome do evento: Simpósio Brasileiro de Eletroquímica e Eletroanalitica - SIBEE. Unidade: IQSC
Assuntos: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
COELHO, D e LUIZ, G. M. e MACHADO, Sergio Antonio Spinola. Efeito da deposição em regime de subtensão de chumbo, bismuto ou cobre nas propriedades semicondutoras de um filme de selênio trigonal. 2015, Anais.. Uberlândia: UFU, 2015. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1903314b-8e38-49ed-b33a-d5094d87fc11/P15843.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Coelho, D., Luiz, G. M., & Machado, S. A. S. (2015). Efeito da deposição em regime de subtensão de chumbo, bismuto ou cobre nas propriedades semicondutoras de um filme de selênio trigonal. In Resumo. Uberlândia: UFU. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/1903314b-8e38-49ed-b33a-d5094d87fc11/P15843.pdf
NLM
Coelho D, Luiz GM, Machado SAS. Efeito da deposição em regime de subtensão de chumbo, bismuto ou cobre nas propriedades semicondutoras de um filme de selênio trigonal [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1903314b-8e38-49ed-b33a-d5094d87fc11/P15843.pdf
Vancouver
Coelho D, Luiz GM, Machado SAS. Efeito da deposição em regime de subtensão de chumbo, bismuto ou cobre nas propriedades semicondutoras de um filme de selênio trigonal [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/1903314b-8e38-49ed-b33a-d5094d87fc11/P15843.pdf
Trabalho de evento-resumo
Curso 3: Nanoestruturas semicondutoras - técnicas experimentais (2012)
Hernandez, Felix
Fonte: Resumo. Nome do evento: Curso de Verão. Unidade: IF
Assuntos: NANOCIÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
HERNANDEZ, Felix. Curso 3: Nanoestruturas semicondutoras - técnicas experimentais. 2012, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, 2012. Disponível em: http://web.if.usp.br/pesquisa/node/331. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Hernandez, F. (2012). Curso 3: Nanoestruturas semicondutoras - técnicas experimentais. In Resumo. São Paulo: Instituto de Física. Recuperado de http://web.if.usp.br/pesquisa/node/331
NLM
Hernandez F. Curso 3: Nanoestruturas semicondutoras - técnicas experimentais [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://web.if.usp.br/pesquisa/node/331
Vancouver
Hernandez F. Curso 3: Nanoestruturas semicondutoras - técnicas experimentais [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://web.if.usp.br/pesquisa/node/331
Trabalho de evento-resumo
Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential (2012)
Caroena, Glaura; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
CAROENA, Glaura et al. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Caroena, G., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2012). Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf
NLM
Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf
Vancouver
Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections (2012)
Filho, Octavio Pereira da Silva; Marques, Marcelo; Teles, Lara Kuhl; Junior, Mauro Ribeiro; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: Resumo. Nome do evento: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
FILHO, Octavio Pereira da Silva et al. Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Filho, O. P. da S., Marques, M., Teles, L. K., Junior, M. R., & Ferreira, L. G. (2012). Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf
NLM
Filho OP da S, Marques M, Teles LK, Junior MR, Ferreira LG. Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf
Vancouver
Filho OP da S, Marques M, Teles LK, Junior MR, Ferreira LG. Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Reaction Pathways for H2O dissociation on Si(100)(2x1):H surface: an ab initio study (2012)
Lelis-Sousa, R; Caldas, M J
Fonte: Resumo. Nome do evento: XXX Encontro de Físicos do Norte e Nordeste / ID: 34-1 [EST]. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
LELIS-SOUSA, R e CALDAS, M J. Reaction Pathways for H2O dissociation on Si(100)(2x1):H surface: an ab initio study. 2012, Anais.. São Paulo: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0629-2.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Lelis-Sousa, R., & Caldas, M. J. (2012). Reaction Pathways for H2O dissociation on Si(100)(2x1):H surface: an ab initio study. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0629-2.pdf
NLM
Lelis-Sousa R, Caldas MJ. Reaction Pathways for H2O dissociation on Si(100)(2x1):H surface: an ab initio study [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0629-2.pdf
Vancouver
Lelis-Sousa R, Caldas MJ. Reaction Pathways for H2O dissociation on Si(100)(2x1):H surface: an ab initio study [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0629-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
The Flatland of the Topological Insulator (2012)
Fazzio, Adlaberto
Fonte: Resumo. Nome do evento: XXX Encontro de Físicos do Norte e Nordeste / ID: 34-1 [EST]. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
FAZZIO, Adlaberto. The Flatland of the Topological Insulator. 2012, Anais.. São Paulo: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Fazzio, A. (2012). The Flatland of the Topological Insulator. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf
NLM
Fazzio A. The Flatland of the Topological Insulator [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf
Vancouver
Fazzio A. The Flatland of the Topological Insulator [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/efnne/xxx/sys/resumos/R0209-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Optimally tuned hybrid functionals to improve the electronic properties of 1D organic semiconductors (2012)
Junior, José Maximiano F. Pinheiro; Caldas, Marília J.; Rinke, Patrick; Blum, Volker; Scheffler, Matthias
Fonte: Resumo. Nome do evento: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
JUNIOR, José Maximiano F. Pinheiro et al. Optimally tuned hybrid functionals to improve the electronic properties of 1D organic semiconductors. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R1159-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Junior, J. M. F. P., Caldas, M. J., Rinke, P., Blum, V., & Scheffler, M. (2012). Optimally tuned hybrid functionals to improve the electronic properties of 1D organic semiconductors. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R1159-1.pdf
NLM
Junior JMFP, Caldas MJ, Rinke P, Blum V, Scheffler M. Optimally tuned hybrid functionals to improve the electronic properties of 1D organic semiconductors [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R1159-1.pdf
Vancouver
Junior JMFP, Caldas MJ, Rinke P, Blum V, Scheffler M. Optimally tuned hybrid functionals to improve the electronic properties of 1D organic semiconductors [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R1159-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Low temperature transport properties of p-type Pb1-x EuxTe films in the insulator regime (2012)
Ribeiro, L. H.; Peres, M. L.; Rubinger, R. M.; Chitta, V. A.; Rappl, P. H. O.; Ribeiro, G. M.
Fonte: Resumo. Nome do evento: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RIBEIRO, L. H. et al. Low temperature transport properties of p-type Pb1-x EuxTe films in the insulator regime. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0227-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Ribeiro, L. H., Peres, M. L., Rubinger, R. M., Chitta, V. A., Rappl, P. H. O., & Ribeiro, G. M. (2012). Low temperature transport properties of p-type Pb1-x EuxTe films in the insulator regime. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0227-1.pdf
NLM
Ribeiro LH, Peres ML, Rubinger RM, Chitta VA, Rappl PHO, Ribeiro GM. Low temperature transport properties of p-type Pb1-x EuxTe films in the insulator regime [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0227-1.pdf
Vancouver
Ribeiro LH, Peres ML, Rubinger RM, Chitta VA, Rappl PHO, Ribeiro GM. Low temperature transport properties of p-type Pb1-x EuxTe films in the insulator regime [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0227-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots (2012)
Poças, Luiz Carlos; Sawata, Marcella Ferraz; Lourenço, Sidney Alves; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A. A.
Fonte: Resumo. Nome do evento: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
POÇAS, Luiz Carlos et al. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Poças, L. C., Sawata, M. F., Lourenço, S. A., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2012). Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf
NLM
Poças LC, Sawata MF, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf
Vancouver
Poças LC, Sawata MF, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide (2011)
Borges, Pablo Damasceno; L. M. R. Scolfaro, L M R; Alves, H W Leite; Assali, L. V. C.
Fonte: Resumo. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORGES, Pablo Damasceno et al. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Borges, P. D., L. M. R. Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., & Assali, L. V. C. (2011). Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
NLM
Borges PD, L. M. R. Scolfaro LMR, Alves HWL, Assali LVC. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
Vancouver
Borges PD, L. M. R. Scolfaro LMR, Alves HWL, Assali LVC. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well (2011)
Tabata, A; Basseto Jr, C A Z; Cavalcante, J S; Oliveira, J B B; Silva, E C F da; Gusev, G M; Lamas, T E
Fonte: Resumo. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Tabata, A., Basseto Jr, C. A. Z., Cavalcante, J. S., Oliveira, J. B. B., Silva, E. C. F. da, Gusev, G. M., & Lamas, T. E. (2011). Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
NLM
Tabata A, Basseto Jr CAZ, Cavalcante JS, Oliveira JBB, Silva ECF da, Gusev GM, Lamas TE. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
Vancouver
Tabata A, Basseto Jr CAZ, Cavalcante JS, Oliveira JBB, Silva ECF da, Gusev GM, Lamas TE. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100) (2011)
Lourenço, Sidney Alves; Poças, Luiz Carlos; Lopes, Joyce Marquini; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A A
Fonte: Resumo. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100). 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0113-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Poças, L. C., Lopes, J. M., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2011). Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100). In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0113-1.pdf
NLM
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100) [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0113-1.pdf
Vancouver
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100) [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0113-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Defects in amorphous hafnium silicate (2011)
Scopel, Wanderlã Luis; Silva, Antônio J.R. da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SCOPEL, Wanderlã Luis e SILVA, Antônio J.R. da e FAZZIO, Adalberto. Defects in amorphous hafnium silicate. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2011). Defects in amorphous hafnium silicate. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Defects in amorphous hafnium silicate [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Fazzio A. Defects in amorphous hafnium silicate [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2272-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Structural and magnetic properties of cobalt-doped ZnO bulk samples (2011)
Godoy, M P F de; Carvalho, H B de; Neves, P P; Mir, M; Chitta, V A; Ferraz, W B; Pais, R W D; Boselli, M A; Sabioni, A C S
Fonte: Resumo. Nome do evento: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GODOY, M P F de et al. Structural and magnetic properties of cobalt-doped ZnO bulk samples. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0496-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Godoy, M. P. F. de, Carvalho, H. B. de, Neves, P. P., Mir, M., Chitta, V. A., Ferraz, W. B., et al. (2011). Structural and magnetic properties of cobalt-doped ZnO bulk samples. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0496-1.pdf
NLM
Godoy MPF de, Carvalho HB de, Neves PP, Mir M, Chitta VA, Ferraz WB, Pais RWD, Boselli MA, Sabioni ACS. Structural and magnetic properties of cobalt-doped ZnO bulk samples [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0496-1.pdf
Vancouver
Godoy MPF de, Carvalho HB de, Neves PP, Mir M, Chitta VA, Ferraz WB, Pais RWD, Boselli MA, Sabioni ACS. Structural and magnetic properties of cobalt-doped ZnO bulk samples [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0496-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE (2008)
Cunha, J F R; Silva, S W da; Morais, P C; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CUNHA, J F R et al. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Cunha, J. F. R., Silva, S. W. da, Morais, P. C., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2008). Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
NLM
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
Vancouver
Cunha JFR, Silva SW da, Morais PC, Lamas TE, Quivy AA. Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0236-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Relaxation of the electrical resistivity in Cr doped `Nd IND.0.5´`Ca IND.0.5´`MnO IND.3´ single crystals (2008)
Carneiro, Alessandro de Souza; Jardim, R. F.; Fonseca, Fabio Coral; Kimura, Tsuyoshi
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
CARNEIRO, Alessandro de Souza et al. Relaxation of the electrical resistivity in Cr doped `Nd IND.0.5´`Ca IND.0.5´`MnO IND.3´ single crystals. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0385-2.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Carneiro, A. de S., Jardim, R. F., Fonseca, F. C., & Kimura, T. (2008). Relaxation of the electrical resistivity in Cr doped `Nd IND.0.5´`Ca IND.0.5´`MnO IND.3´ single crystals. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0385-2.pdf
NLM
Carneiro A de S, Jardim RF, Fonseca FC, Kimura T. Relaxation of the electrical resistivity in Cr doped `Nd IND.0.5´`Ca IND.0.5´`MnO IND.3´ single crystals [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0385-2.pdf
Vancouver
Carneiro A de S, Jardim RF, Fonseca FC, Kimura T. Relaxation of the electrical resistivity in Cr doped `Nd IND.0.5´`Ca IND.0.5´`MnO IND.3´ single crystals [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0385-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells (2008)
Cesar, Daniel Ferreira; Lopes, Èlder Mantovani; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Franchello, Flávio; Laureto, E; Guimarães, Paulo Sérgio Soares; Quivy, A. A.
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CESAR, Daniel Ferreira et al. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Cesar, D. F., Lopes, È. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Franchello, F., Laureto, E., et al. (2008). Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
NLM
Cesar DF, Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Franchello F, Laureto E, Guimarães PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
Vancouver
Cesar DF, Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Franchello F, Laureto E, Guimarães PSS, Quivy AA. Theoretical and experimental determination of the excitonic binding energy in AlGaAs/GaAs single and coupled double quantum wells [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0707-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Modification of the polaronic conduction regime associated with the average lattice symmetry in `La IND.0:7´`Ca IND.0:3´`MnO IND.3´ (2008)
Souza, José Antônio; Jardim, R. F.; Oliveira Jr., N. F.; Granado, Eduardo; Muccillo, Reginaldo
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, José Antônio et al. Modification of the polaronic conduction regime associated with the average lattice symmetry in `La IND.0:7´`Ca IND.0:3´`MnO IND.3´. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0949-1.pdf. Acesso em: 01 nov. 2024.
APA
Souza, J. A., Jardim, R. F., Oliveira Jr., N. F., Granado, E., & Muccillo, R. (2008). Modification of the polaronic conduction regime associated with the average lattice symmetry in `La IND.0:7´`Ca IND.0:3´`MnO IND.3´. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0949-1.pdf
NLM
Souza JA, Jardim RF, Oliveira Jr. NF, Granado E, Muccillo R. Modification of the polaronic conduction regime associated with the average lattice symmetry in `La IND.0:7´`Ca IND.0:3´`MnO IND.3´ [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0949-1.pdf
Vancouver
Souza JA, Jardim RF, Oliveira Jr. NF, Granado E, Muccillo R. Modification of the polaronic conduction regime associated with the average lattice symmetry in `La IND.0:7´`Ca IND.0:3´`MnO IND.3´ [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 01 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0949-1.pdf

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