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Artigo de periodico
Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well (2019)
Patricio, M. A. Tito; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PATRICIO, M. A. Tito e LAPIERRE, R. R. e PUSEP, Yuri A. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, v. 125, n. 15, p. 155703-01-155703-06, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5085493. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Patricio, M. A. T., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, 125( 15), 155703-01-155703-06. doi:10.1063/1.5085493
NLM
Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
Vancouver
Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
Artigo de periodico
Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells (2016)
Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Teodoro, M. D.; Marques, G. E.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
TITO, M. A. et al. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 9, p. 094301-1-094301-8, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4942854. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Tito, M. A., Pusep, Y. A., Gold, A., Teodoro, M. D., Marques, G. E., & LaPierre, R. R. (2016). Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells. Journal of Applied Physics, 119( 9), 094301-1-094301-8. doi:10.1063/1.4942854
NLM
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Vancouver
Tito MA, Pusep YA, Gold A, Teodoro MD, Marques GE, LaPierre RR. Recombination kinetics of photogenerated electrons in InGaAs/InP quantum wells [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 9): 094301-1-094301-8.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4942854
Artigo de periodico
Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers (2016)
Tavares, B. G. M.; Tito, M. A.; Pusep, Yuri A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
TAVARES, B. G. M. e TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 23, p. 234305-1-234305-4, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4954161. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Tavares, B. G. M., Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2016). Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, 119( 23), 234305-1-234305-4. doi:10.1063/1.4954161
NLM
Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
Vancouver
Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
Artigo de periodico
Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires (2013)
Pusep, Yuri A.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Rodrigues, A. D.; Haapamaki, C. M.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 16, p. 164311-1-164311-4, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4803494. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Rodrigues, A. D., Haapamaki, C. M., & LaPierre, R. R. (2013). Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, 113( 16), 164311-1-164311-4. doi:10.1063/1.4803494
NLM
Pusep YA, Arakaki H, Souza CA de, Rodrigues AD, Haapamaki CM, LaPierre RR. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 16): 164311-1-164311-4.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4803494
Vancouver
Pusep YA, Arakaki H, Souza CA de, Rodrigues AD, Haapamaki CM, LaPierre RR. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 16): 164311-1-164311-4.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4803494
Artigo de periodico
Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well (2012)
Santos, L. Fernandes dos; Pusep, Yuri A.; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SANTOS, L. Fernandes dos et al. Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well. Journal of Applied Physics, v. 111, n. 12, p. 123523-1-123523-6, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4730769. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Santos, L. F. dos, Pusep, Y. A., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2012). Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well. Journal of Applied Physics, 111( 12), 123523-1-123523-6. doi:10.1063/1.4730769
NLM
Santos LF dos, Pusep YA, Bakarov AK, Toropov AI. Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 111( 12): 123523-1-123523-6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4730769
Vancouver
Santos LF dos, Pusep YA, Bakarov AK, Toropov AI. Valence band tail states in disordered superlattices embedded in wide parabolic 'AL''GA''AS' well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2012 ; 111( 12): 123523-1-123523-6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4730769
Artigo de periodico
Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices (2011)
Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Mamani, N. C.; Godoy, M. P. F.; Gobato, Y. Galvão; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, v. 110, n. 7, p. 073706-1-073706-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3646365. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gold, A., Mamani, N. C., Godoy, M. P. F., Gobato, Y. G., & LaPierre, R. R. (2011). Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, 110( 7), 073706-1-073706-6. doi:10.1063/1.3646365
NLM
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Vancouver
Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365
Artigo de periodico
Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice (2011)
Pusep, Yuri A. ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.; Portal, J. C.
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL, SEMICONDUTORES (SISTEMAS), FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice. Journal of Applied Physics, v. 109, n. 10, p. 102403-1-102403-3, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3576134. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gusev, G. M., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., & Portal, J. C. (2011). Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice. Journal of Applied Physics, 109( 10), 102403-1-102403-3. doi:10.1063/1.3576134
NLM
Pusep YA, Gusev GM, Bakarov AK, Toropov AI, Portal JC. Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 109( 10): 102403-1-102403-3.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3576134
Vancouver
Pusep YA, Gusev GM, Bakarov AK, Toropov AI, Portal JC. Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 109( 10): 102403-1-102403-3.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3576134
Artigo de periodico
Universal resistance capacitance crossover in current-voltage characteristics for unshunted array of overdamped Nb-Al'O IND.x'-Nb Josephson junctions (2010)
Sergeenkov, S.; Rivera, V. A. G.; Marega Júnior, Euclydes; Moreira, F. M. Araújo
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SUPERCONDUTIVIDADE, ELETROMAGNETISMO, ELETRODINÂMICA, ELETRICIDADE E ELETRÔNICA
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ABNT
SERGEENKOV, S. et al. Universal resistance capacitance crossover in current-voltage characteristics for unshunted array of overdamped Nb-Al'O IND.x'-Nb Josephson junctions. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 9, p. 096102-1-096102-3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3407566. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Sergeenkov, S., Rivera, V. A. G., Marega Júnior, E., & Moreira, F. M. A. (2010). Universal resistance capacitance crossover in current-voltage characteristics for unshunted array of overdamped Nb-Al'O IND.x'-Nb Josephson junctions. Journal of Applied Physics, 107( 9), 096102-1-096102-3. doi:10.1063/1.3407566
NLM
Sergeenkov S, Rivera VAG, Marega Júnior E, Moreira FMA. Universal resistance capacitance crossover in current-voltage characteristics for unshunted array of overdamped Nb-Al'O IND.x'-Nb Josephson junctions [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 9): 096102-1-096102-3.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3407566
Vancouver
Sergeenkov S, Rivera VAG, Marega Júnior E, Moreira FMA. Universal resistance capacitance crossover in current-voltage characteristics for unshunted array of overdamped Nb-Al'O IND.x'-Nb Josephson junctions [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 9): 096102-1-096102-3.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3407566
Artigo de periodico
Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure (2010)
Berengue, O. M.; Simon, R. A.; Chiquito, A. J.; Dalmaschio, C. J.; Leite, E. R.; Guerreiro, H. A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, OXIDAÇÃO, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BERENGUE, O. M. et al. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 3, p. 033717-1-033717-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3294613. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Berengue, O. M., Simon, R. A., Chiquito, A. J., Dalmaschio, C. J., Leite, E. R., Guerreiro, H. A., & Guimarães, F. E. G. (2010). Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure. Journal of Applied Physics, 107( 3), 033717-1-033717-4. doi:10.1063/1.3294613
NLM
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Vancouver
Berengue OM, Simon RA, Chiquito AJ, Dalmaschio CJ, Leite ER, Guerreiro HA, Guimarães FEG. Semiconducting 'Sn IND. 3''O IND.4' nanobelts: growth and electronic structure [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 3): 033717-1-033717-4.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3294613
Artigo de periodico
Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires (2009)
Mohseni, P. K.; Rodrigues, A. D.; Galzerani, J. C.; Pusep, Yuri A.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
MOHSENI, P. K. et al. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 12, p. 124306-1-124306-7, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3269724. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Mohseni, P. K., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Pusep, Y. A., & LaPierre, R. R. (2009). Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 106( 12), 124306-1-124306-7. doi:10.1063/1.3269724
NLM
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Vancouver
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Artigo de periodico
Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence (2009)
Castelano, L. K.; Hai, Guo Qiang; Partoens, B; Peeters, F. M.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, ENERGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTELANO, L. K. et al. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 7, p. 073702-1-073702-8, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3223360. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Castelano, L. K., Hai, G. Q., Partoens, B., & Peeters, F. M. (2009). Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence. Journal of Applied Physics, 106( 7), 073702-1-073702-8. doi:10.1063/1.3223360
NLM
Castelano LK, Hai GQ, Partoens B, Peeters FM. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 7): 073702-1-073702-8.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3223360
Vancouver
Castelano LK, Hai GQ, Partoens B, Peeters FM. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 7): 073702-1-073702-8.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3223360
Artigo de periodico
Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa (2008)
Teodoro, M. D.; Dias, I. F. L.; Laureto, E.; Duarte, J. L.; Borrero, P. P. González; Lourenço, S. A.; Mazzaro, I.; Marega Júnior, Euclydes; Salamo, G. J.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, GASES, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TEODORO, M. D. et al. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa. Journal of Applied Physics, v. 103, n. 9, p. 093508-1-093508-7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2913513. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Teodoro, M. D., Dias, I. F. L., Laureto, E., Duarte, J. L., Borrero, P. P. G., Lourenço, S. A., et al. (2008). Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa. Journal of Applied Physics, 103( 9), 093508-1-093508-7. doi:10.1063/1.2913513
NLM
Teodoro MD, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Borrero PPG, Lourenço SA, Mazzaro I, Marega Júnior E, Salamo GJ. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 103( 9): 093508-1-093508-7.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2913513
Vancouver
Teodoro MD, Dias IFL, Laureto E, Duarte JL, Borrero PPG, Lourenço SA, Mazzaro I, Marega Júnior E, Salamo GJ. Substrate orientation effect on potential fluctuations in multiquantum wells of GaAs/AlGa [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 103( 9): 093508-1-093508-7.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2913513
Artigo de periodico
Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers (2008)
Pusep, Yuri A.; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: EFEITO HALL, POÇOS QUÂNTICOS (ESTRUTURA), SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, v. 104, p. 063702-1-063702-6, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.036. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Arakaki, H., & Souza, C. A. de. (2008). Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, 104, 063702-1-063702-6. doi:10.1016/j.physe.2007.09.036
NLM
Pusep YA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de. Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104 063702-1-063702-6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.036
Vancouver
Pusep YA, Guimarães FEG, Arakaki H, Souza CA de. Spectroscopic evidence of extended states in the quantized Hall phase of weakly coupled GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2008 ; 104 063702-1-063702-6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2007.09.036
Artigo de periodico
Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings (2007)
Piacente, G.; Hai, Guo-Qiang
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROSCOPIA, CAMPO MAGNÉTICO, SEMICONDUTORES
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ABNT
PIACENTE, G. e HAI, Guo-Qiang. Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings. Journal of Applied Physics, v. 101, n. Ju 2007, p. 124308-1-124308-6, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2748715. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Piacente, G., & Hai, G. -Q. (2007). Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings. Journal of Applied Physics, 101( Ju 2007), 124308-1-124308-6. doi:10.1063/1.2748715
NLM
Piacente G, Hai G-Q. Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 124308-1-124308-6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2748715
Vancouver
Piacente G, Hai G-Q. Electron-acoustic-phonon scattering and electron relaxation in two-coupled quantum rings [Internet]. Journal of Applied Physics. 2007 ; 101( Ju 2007): 124308-1-124308-6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2748715
Artigo de periodico
High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices (2006)
Cornet, D. M.; LaPierre, R. R.; Comedi, D.; Pusep, Yuri A.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
CORNET, D. M. et al. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 4, p. 043518-1-043518-6, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2335689. Acesso em: 06 jul. 2024.
APA
Cornet, D. M., LaPierre, R. R., Comedi, D., & Pusep, Y. A. (2006). High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, 100( 4), 043518-1-043518-6. doi:10.1063/1.2335689
NLM
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689
Vancouver
Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 jul. 06 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689

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