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Artigo de periodico
Structural investigation of the quasi-one-dimensional topological insulator Bi4I4 (2024)
Machuca, Cristhian David Hinostroza Vargas ; Faria, Leandro Rodrigues de ; Cassemiro, Gustavo Henrique ; Jimenez, Julio Antonio Larrea ; Machado, Antonio Jefferson da Silva ; Brito, Walber Hugo de ; Martelli, Valentina
Fonte: Physical Review B. Unidades: IF, EEL
Assuntos: ALTA TEMPERATURA, BAIXA TEMPERATURA, BISMUTO
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ABNT
MACHUCA, Cristhian David Hinostroza Vargas et al. Structural investigation of the quasi-one-dimensional topological insulator Bi4I4. Physical Review B, v. 109, 2024Tradução . . Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Machuca, C. D. H. V., Faria, L. R. de, Cassemiro, G. H., Jimenez, J. A. L., Machado, A. J. da S., Brito, W. H. de, & Martelli, V. (2024). Structural investigation of the quasi-one-dimensional topological insulator Bi4I4. Physical Review B, 109. doi:10.1103/PhysRevB.109.174105
NLM
Machuca CDHV, Faria LR de, Cassemiro GH, Jimenez JAL, Machado AJ da S, Brito WH de, Martelli V. Structural investigation of the quasi-one-dimensional topological insulator Bi4I4. Physical Review B. 2024 ; 109[citado 2024 jul. 26 ]
Vancouver
Machuca CDHV, Faria LR de, Cassemiro GH, Jimenez JAL, Machado AJ da S, Brito WH de, Martelli V. Structural investigation of the quasi-one-dimensional topological insulator Bi4I4. Physical Review B. 2024 ; 109[citado 2024 jul. 26 ]
Artigo de periodico
Thermal diffusivity and its lower bound in orthorhombic SnSe (2021)
Martelli, Valentina ; Abud, Fábio Santos Alves ; Jimenez, Julio Antonio Larrea ; Baggio-Saitovitch, Elisa ; Zhao, Li-Dong; Behnia, Kamran
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, TERMOELETRICIDADE, CONDUTIVIDADE TÉRMICA, CRISTALOGRAFIA, SELÊNIO, ESTANHO
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ABNT
MARTELLI, Valentina et al. Thermal diffusivity and its lower bound in orthorhombic SnSe. Physical Review B, v. 104, n. 3, p. 07 , 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.035208. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Martelli, V., Abud, F. S. A., Jimenez, J. A. L., Baggio-Saitovitch, E., Zhao, L. -D., & Behnia, K. (2021). Thermal diffusivity and its lower bound in orthorhombic SnSe. Physical Review B, 104( 3), 07 . doi:10.1103/PhysRevB.104.035208
NLM
Martelli V, Abud FSA, Jimenez JAL, Baggio-Saitovitch E, Zhao L-D, Behnia K. Thermal diffusivity and its lower bound in orthorhombic SnSe [Internet]. Physical Review B. 2021 ; 104( 3): 07 .[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.035208
Vancouver
Martelli V, Abud FSA, Jimenez JAL, Baggio-Saitovitch E, Zhao L-D, Behnia K. Thermal diffusivity and its lower bound in orthorhombic SnSe [Internet]. Physical Review B. 2021 ; 104( 3): 07 .[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.035208
Artigo de periodico
Nonlinear waves in a quark gluon plasma (2010)
Fogaça, D. A; Ferreira Filho, L G; Navarra, Fernando Silveira
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ÍONS PESADOS
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ABNT
FOGAÇA, D. A e FERREIRA FILHO, L G e NAVARRA, Fernando Silveira. Nonlinear waves in a quark gluon plasma. Physical Review B, v. 81, n. 5, p. 055211/1-055211/9, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevc.81.055211. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Fogaça, D. A., Ferreira Filho, L. G., & Navarra, F. S. (2010). Nonlinear waves in a quark gluon plasma. Physical Review B, 81( 5), 055211/1-055211/9. doi:10.1103/physrevc.81.055211
NLM
Fogaça DA, Ferreira Filho LG, Navarra FS. Nonlinear waves in a quark gluon plasma [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 5): 055211/1-055211/9.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevc.81.055211
Vancouver
Fogaça DA, Ferreira Filho LG, Navarra FS. Nonlinear waves in a quark gluon plasma [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 5): 055211/1-055211/9.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevc.81.055211
Artigo de periodico
Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system (2009)
Mammani, Niko Churata; Gusev, Guennadii Michailovich; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Raichev, O E; Quivy, A. A.; Bakarov, A K
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
MAMMANI, Niko Churata et al. Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system. Physical Review B, v. 80, n. 7, p. 085304-1/085304-5, 2009Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Mammani, N. C., Gusev, G. M., Silva, E. C. F. da, Raichev, O. E., Quivy, A. A., & Bakarov, A. K. (2009). Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system. Physical Review B, 80( 7), 085304-1/085304-5. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Mammani NC, Gusev GM, Silva ECF da, Raichev OE, Quivy AA, Bakarov AK. Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 7): 085304-1/085304-5.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Mammani NC, Gusev GM, Silva ECF da, Raichev OE, Quivy AA, Bakarov AK. Classical and quantum magnetoresistance in a two-subband electron system [Internet]. Physical Review B. 2009 ; 80( 7): 085304-1/085304-5.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000080000008085304000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field (2007)
Duarte, C A; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Bakarov, A K; Portal, J C
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL
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ABNT
DUARTE, C A et al. Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field. Physical Review B, v. 76, n. 7, p. 075346/1-075346/8, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075346. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Duarte, C. A., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Bakarov, A. K., & Portal, J. C. (2007). Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field. Physical Review B, 76( 7), 075346/1-075346/8. doi:10.1103/physrevb.76.075346
NLM
Duarte CA, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Bakarov AK, Portal JC. Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 76( 7): 075346/1-075346/8.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075346
Vancouver
Duarte CA, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Bakarov AK, Portal JC. Landau-level crossing in two-subband systems in a tilted magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 76( 7): 075346/1-075346/8.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.76.075346
Artigo de periodico
Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells (2007)
Ortiz de Zevallos, Angela M; Cano, Nilo Francisco; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Portal, J C
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
ORTIZ DE ZEVALLOS, Angela M et al. Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells. Physical Review B, v. 75, n. 20, p. 205324/1-205324/8, 2007Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Ortiz de Zevallos, A. M., Cano, N. F., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Portal, J. C. (2007). Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells. Physical Review B, 75( 20), 205324/1-205324/8. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 20): 205324/1-205324/8.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Enhanced Hall slope in wide 'Al IND.x''GaIND.x-1' As parabolic wells [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 20): 205324/1-205324/8.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000075000020205324000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors (2006)
Lim, H; Movaghar, B; Tsao , S; Taguchi, M; Zhang, W; Quivy, A. A.; Razeghi, M
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LIM, H et al. Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors. Physical Review B, v. 74, n. 20, p. 205321/1-205321/8, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.74.205321. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Lim, H., Movaghar, B., Tsao , S., Taguchi, M., Zhang, W., Quivy, A. A., & Razeghi, M. (2006). Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors. Physical Review B, 74( 20), 205321/1-205321/8. doi:10.1103/physrevb.74.205321
NLM
Lim H, Movaghar B, Tsao S, Taguchi M, Zhang W, Quivy AA, Razeghi M. Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 74( 20): 205321/1-205321/8.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.74.205321
Vancouver
Lim H, Movaghar B, Tsao S, Taguchi M, Zhang W, Quivy AA, Razeghi M. Gain and recombination dynamics of quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 74( 20): 205321/1-205321/8.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.74.205321
Artigo de periodico
Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates (2005)
Martini, S; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Silva, E C F da
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S et al. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates. Physical Review B, v. 72, n. 15, p. 153304/01-153304/04, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Silva, E. C. F. da. (2005). Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates. Physical Review B, 72( 15), 153304/01-153304/04. doi:10.1103/physrevb.72.153304
NLM
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva ECF da. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 15): 153304/01-153304/04.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva ECF da. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 15): 153304/01-153304/04.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304
Artigo de periodico
Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas (2005)
Gusev, Guennadii Michailovich; Duarte, C A; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Toropov, A I
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL
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ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311
NLM
Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
Vancouver
Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
Artigo de periodico
Surface-induced orientational phas transition in a lyotropic liquid crystal observed by nonlinear optical techniques (2004)
Bechtold, Ivan Helmuth; Gómez, S L; Bonvent, Jean-Jacques; Oliveira, Elisabeth Andreoli de; Hohlfeld, J; Rasing, The
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, CRISTAIS LÍQUIDOS, FÍSICA DE PLASMAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BECHTOLD, Ivan Helmuth et al. Surface-induced orientational phas transition in a lyotropic liquid crystal observed by nonlinear optical techniques. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physreve.69.061707. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Bechtold, I. H., Gómez, S. L., Bonvent, J. -J., Oliveira, E. A. de, Hohlfeld, J., & Rasing, T. (2004). Surface-induced orientational phas transition in a lyotropic liquid crystal observed by nonlinear optical techniques. Physical Review B. doi:10.1103/physreve.69.061707
NLM
Bechtold IH, Gómez SL, Bonvent J-J, Oliveira EA de, Hohlfeld J, Rasing T. Surface-induced orientational phas transition in a lyotropic liquid crystal observed by nonlinear optical techniques [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreve.69.061707
Vancouver
Bechtold IH, Gómez SL, Bonvent J-J, Oliveira EA de, Hohlfeld J, Rasing T. Surface-induced orientational phas transition in a lyotropic liquid crystal observed by nonlinear optical techniques [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreve.69.061707
Artigo de periodico
Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well (2003)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, v. 67, n. 155313/1-155313/8, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well. Physical Review B, 67( 155313/1-155313/8). doi:10.1103/physrevb.67.155313
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Quantum Hall ferromagnet in a parabolic well [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 155313/1-155313/8):[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.155313
Artigo de periodico
Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces (2002)
Dabrowski, J.; Müssig, H. -J.; Zavodinsky, V.; Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marília Junqueira
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DABROWSKI, J. et al. Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces. Physical Review B, v. 65, n. 24, p. 245305/1-245305/11, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Dabrowski, J., Müssig, H. -J., Zavodinsky, V., Baierle, R. J., & Caldas, M. J. (2002). Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces. Physical Review B, 65( 24), 245305/1-245305/11. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips
NLM
Dabrowski J, Müssig H-J, Zavodinsky V, Baierle RJ, Caldas MJ. Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 24): 245305/1-245305/11.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips
Vancouver
Dabrowski J, Müssig H-J, Zavodinsky V, Baierle RJ, Caldas MJ. Mechanism of dopant segregation to 'SiO IND.2'/Si(001) interfaces [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 24): 245305/1-245305/11.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000024245305000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si 'delta'-doped GaAs/'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As/GaAs quantum well (2002)
Cavalheiro, A; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Takahashi, E K; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Meneses, E A
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: EFEITO MOSSBAUER, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
CAVALHEIRO, A et al. Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si 'delta'-doped GaAs/'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As/GaAs quantum well. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 75320/1-75320/7, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007075320000001&idtype=cvips. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Cavalheiro, A., Silva, E. C. F. da, Takahashi, E. K., Quivy, A. A., Leite, J. R., & Meneses, E. A. (2002). Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si 'delta'-doped GaAs/'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As/GaAs quantum well. Physical Review B, 65( 7), 75320/1-75320/7. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007075320000001&idtype=cvips
NLM
Cavalheiro A, Silva ECF da, Takahashi EK, Quivy AA, Leite JR, Meneses EA. Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si 'delta'-doped GaAs/'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As/GaAs quantum well [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75320/1-75320/7.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007075320000001&idtype=cvips
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Cavalheiro A, Silva ECF da, Takahashi EK, Quivy AA, Leite JR, Meneses EA. Illumination as a tool to investigate the quantum mobility of the two-dimensional electron gas in a Si 'delta'-doped GaAs/'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As/GaAs quantum well [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75320/1-75320/7.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007075320000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level (2002)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Toropov, A I; Estibals, O; Portal, J C
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, FENÔMENO DE TRANSPORTE, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level. Physical Review B, v. 65, n. 20, p. 205316/1-205316/9, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.205316. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., et al. (2002). Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level. Physical Review B, 65( 20), 205316/1-205316/9. doi:10.1103/physrevb.65.205316
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 20): 205316/1-205316/9.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.205316
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI, Estibals O, Portal JC. Magnetotransport of a quasi-three-dimensional electron gas in the lowest Landau level [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 20): 205316/1-205316/9.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.205316
Artigo de periodico
Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in 'ro'-type Si 'delta'-doped GaAs(311)A layers (2000)
Frizzarini, M; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; cavalheiro, A; Leite, J. R.; Meneses, E A
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FRIZZARINI, M et al. Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in 'ro'-type Si 'delta'-doped GaAs(311)A layers. Physical Review B, v. 61, n. 20, p. 13923-13928, 2000Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000020013923000001&idtype=cvips. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Frizzarini, M., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., cavalheiro, A., Leite, J. R., & Meneses, E. A. (2000). Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in 'ro'-type Si 'delta'-doped GaAs(311)A layers. Physical Review B, 61( 20), 13923-13928. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000020013923000001&idtype=cvips
NLM
Frizzarini M, Silva ECF da, Quivy AA, cavalheiro A, Leite JR, Meneses EA. Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in 'ro'-type Si 'delta'-doped GaAs(311)A layers [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 20): 13923-13928.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000020013923000001&idtype=cvips
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Frizzarini M, Silva ECF da, Quivy AA, cavalheiro A, Leite JR, Meneses EA. Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in 'ro'-type Si 'delta'-doped GaAs(311)A layers [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 20): 13923-13928.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000020013923000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers (1999)
Levine, A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Sipahi, Guilherme Matos; Quivy, A. A.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.; Lauretto, E.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Oliveira, A. G.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
LEVINE, A. et al. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4634-4637, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Sipahi, G. M., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (1999). Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, 59( 7), 4634-4637. doi:10.1103/physrevb.59.4634
NLM
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Artigo de periodico
Effect of a finite number of particles in the Bose-Einstein condensation of a trapped gas (1997)
Napolitano, Reginaldo de Jesus; De Luca, J; Bagnato, Vanderlei Salvador; Marques, Gil da Costa
Fonte: Physical Review B. Unidades: IF, IFSC
Assunto: FÍSICA MODERNA
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ABNT
NAPOLITANO, Reginaldo de Jesus et al. Effect of a finite number of particles in the Bose-Einstein condensation of a trapped gas. Physical Review B, v. 55, n. 5 , p. 3954-3956, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physreva.55.3954. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Napolitano, R. de J., De Luca, J., Bagnato, V. S., & Marques, G. da C. (1997). Effect of a finite number of particles in the Bose-Einstein condensation of a trapped gas. Physical Review B, 55( 5 ), 3954-3956. doi:10.1103/physreva.55.3954
NLM
Napolitano R de J, De Luca J, Bagnato VS, Marques G da C. Effect of a finite number of particles in the Bose-Einstein condensation of a trapped gas [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 55( 5 ): 3954-3956.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreva.55.3954
Vancouver
Napolitano R de J, De Luca J, Bagnato VS, Marques G da C. Effect of a finite number of particles in the Bose-Einstein condensation of a trapped gas [Internet]. Physical Review B. 1997 ; 55( 5 ): 3954-3956.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physreva.55.3954
Artigo de periodico
Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices (1996)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Silva, S W; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, v. 54, n. 19, p. 13927-31, 1996Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf. Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Silva, S. W., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., et al. (1996). Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices. Physical Review B, 54( 19), 13927-31. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Silva SW, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR. Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices [Internet]. Physical Review B. 1996 ;54( 19): 13927-31.[citado 2024 jul. 26 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/94574a2b-c2e8-49f9-9e2a-35dc2e9dcd9d/PhysRevB.54.13927.pdf
Artigo de periodico
Magnetic breakdown in periodically 'SI'-doped 'GA''AS' (1994)
Henriques, André Bohomoletz; Morgoon, V N; Souza, P. L.; Bindilatti, V.; Oliveira Jr., N. F.; Shibli, S M
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Magnetic breakdown in periodically 'SI'-doped 'GA''AS'. Physical Review B, v. 49, n. 16, p. 11248, 1994Tradução . . Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Henriques, A. B., Morgoon, V. N., Souza, P. L., Bindilatti, V., Oliveira Jr., N. F., & Shibli, S. M. (1994). Magnetic breakdown in periodically 'SI'-doped 'GA''AS'. Physical Review B, 49( 16), 11248.
NLM
Henriques AB, Morgoon VN, Souza PL, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Shibli SM. Magnetic breakdown in periodically 'SI'-doped 'GA''AS'. Physical Review B. 1994 ;49( 16): 11248.[citado 2024 jul. 26 ]
Vancouver
Henriques AB, Morgoon VN, Souza PL, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, Shibli SM. Magnetic breakdown in periodically 'SI'-doped 'GA''AS'. Physical Review B. 1994 ;49( 16): 11248.[citado 2024 jul. 26 ]
Artigo de periodico
Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures (1993)
Mendonca, C A C; Plentz, F; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E A; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Shibli, S M; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MENDONCA, C A C et al. Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B, v. 48, n. 16, p. 12316, 1993Tradução . . Acesso em: 26 jul. 2024.
APA
Mendonca, C. A. C., Plentz, F., Oliveira, J. B. B., Meneses, E. A., Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., et al. (1993). Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B, 48( 16), 12316.
NLM
Mendonca CAC, Plentz F, Oliveira JBB, Meneses EA, Scolfaro LMR, Beliaev D, Shibli SM, Leite JR. Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B. 1993 ;48( 16): 12316.[citado 2024 jul. 26 ]
Vancouver
Mendonca CAC, Plentz F, Oliveira JBB, Meneses EA, Scolfaro LMR, Beliaev D, Shibli SM, Leite JR. Evidence of a two-dimensional to three-dimensional transition in 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' structures. Physical Review B. 1993 ;48( 16): 12316.[citado 2024 jul. 26 ]

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