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Patente
Sensor de temperatura óptico (2019)
Zanatta, Antonio Ricardo ; Scocca, Diego; Alvarez, Fernando
Unidade: IFSC
Subjects: SENSORES ÓPTICOS, TEMPERATURA, LASER
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ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo e SCOCCA, Diego e ALVAREZ, Fernando. Sensor de temperatura óptico. . Rio de Janeiro: República Federativa do Brasil - Ministério do Desenvolvimento, Indústria e do Comércio Exterior - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5b5fe4e7-dc35-4334-a346-eceb13ba5019/3105076.pdf. Acesso em: 03 jul. 2024. , 2019
APA
Zanatta, A. R., Scocca, D., & Alvarez, F. (2019). Sensor de temperatura óptico. Rio de Janeiro: República Federativa do Brasil - Ministério do Desenvolvimento, Indústria e do Comércio Exterior - Instituto Nacional da Propriedade Industrial. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5b5fe4e7-dc35-4334-a346-eceb13ba5019/3105076.pdf
NLM
Zanatta AR, Scocca D, Alvarez F. Sensor de temperatura óptico [Internet]. 2019 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5b5fe4e7-dc35-4334-a346-eceb13ba5019/3105076.pdf
Vancouver
Zanatta AR, Scocca D, Alvarez F. Sensor de temperatura óptico [Internet]. 2019 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5b5fe4e7-dc35-4334-a346-eceb13ba5019/3105076.pdf
Artigo de periodico
Aluminium-induced nanocrystalline Ge formation at low temperatures (2007)
Muniz, L. R.; Ribeiro, C. T. M.; Zanatta, Antonio Ricardo; Chambouleyron, I.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC
Subjects: ALUMÍNIO, TEMPERATURA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, CRISTALIZAÇÃO, CRISTALOGRAFIA FÍSICA
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ABNT
MUNIZ, L. R. et al. Aluminium-induced nanocrystalline Ge formation at low temperatures. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 19, n. 7, p. 076206-1-076206-16, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/7/076206. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Muniz, L. R., Ribeiro, C. T. M., Zanatta, A. R., & Chambouleyron, I. (2007). Aluminium-induced nanocrystalline Ge formation at low temperatures. Journal of Physics: Condensed Matter, 19( 7), 076206-1-076206-16. doi:10.1088/0953-8984/19/7/076206
NLM
Muniz LR, Ribeiro CTM, Zanatta AR, Chambouleyron I. Aluminium-induced nanocrystalline Ge formation at low temperatures [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2007 ; 19( 7): 076206-1-076206-16.[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/7/076206
Vancouver
Muniz LR, Ribeiro CTM, Zanatta AR, Chambouleyron I. Aluminium-induced nanocrystalline Ge formation at low temperatures [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2007 ; 19( 7): 076206-1-076206-16.[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/7/076206
Trabalho de evento-resumo
Cristalização induzida em filmes de silício amorfo: influência da concentração de níquel e da espessura (2006)
Ferri, Fabio Aparecido; Zanatta, Antonio Ricardo
Source: Caderno de Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação do IFSC. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, SILÍCIO, CRISTALIZAÇÃO, TEMPERATURA
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ABNT
FERRI, Fabio Aparecido e ZANATTA, Antonio Ricardo. Cristalização induzida em filmes de silício amorfo: influência da concentração de níquel e da espessura. 2006, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2006. . Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Ferri, F. A., & Zanatta, A. R. (2006). Cristalização induzida em filmes de silício amorfo: influência da concentração de níquel e da espessura. In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.
NLM
Ferri FA, Zanatta AR. Cristalização induzida em filmes de silício amorfo: influência da concentração de níquel e da espessura. Caderno de Resumos. 2006 ;[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Ferri FA, Zanatta AR. Cristalização induzida em filmes de silício amorfo: influência da concentração de níquel e da espessura. Caderno de Resumos. 2006 ;[citado 2024 jul. 03 ]
Artigo de periodico
Metal-induced nanocrystalline structures in Ni-containing amorphous silicon thin films (2006)
Ferri, Fabio Aparecido; Zanatta, Antonio Ricardo; Chambouleyron, I.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN, FILMES FINOS, SILÍCIO, NÍQUEL, TEMPERATURA
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ABNT
FERRI, Fabio Aparecido e ZANATTA, Antonio Ricardo e CHAMBOULEYRON, I. Metal-induced nanocrystalline structures in Ni-containing amorphous silicon thin films. Journal of Applied Physics, v. No 2006, n. 9, p. 094311-1-094311-7, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2362877. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Ferri, F. A., Zanatta, A. R., & Chambouleyron, I. (2006). Metal-induced nanocrystalline structures in Ni-containing amorphous silicon thin films. Journal of Applied Physics, No 2006( 9), 094311-1-094311-7. doi:10.1063/1.2362877
NLM
Ferri FA, Zanatta AR, Chambouleyron I. Metal-induced nanocrystalline structures in Ni-containing amorphous silicon thin films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; No 2006( 9): 094311-1-094311-7.[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2362877
Vancouver
Ferri FA, Zanatta AR, Chambouleyron I. Metal-induced nanocrystalline structures in Ni-containing amorphous silicon thin films [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; No 2006( 9): 094311-1-094311-7.[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2362877

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