Cristalização induzida em filmes de silício amorfo: influência da concentração de níquel e da espessura (2006)
- Authors:
- Autor USP: ZANATTA, ANTONIO RICARDO - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: FILMES FINOS; SILÍCIO; CRISTALIZAÇÃO; TEMPERATURA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Instituto de Física de São Carlos - USP
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2006
- Source:
- Título do periódico: Caderno de Resumos
- Volume/Número/Paginação/Ano: São Carlos : Instituto de Física de São Carlos - USP, 2006
- Conference titles: Workshop da Pós-Graduação do IFSC
-
ABNT
FERRI, Fabio Aparecido e ZANATTA, Antonio Ricardo. Cristalização induzida em filmes de silício amorfo: influência da concentração de níquel e da espessura. 2006, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2006. . Acesso em: 11 maio 2024. -
APA
Ferri, F. A., & Zanatta, A. R. (2006). Cristalização induzida em filmes de silício amorfo: influência da concentração de níquel e da espessura. In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP. -
NLM
Ferri FA, Zanatta AR. Cristalização induzida em filmes de silício amorfo: influência da concentração de níquel e da espessura. Caderno de Resumos. 2006 ;[citado 2024 maio 11 ] -
Vancouver
Ferri FA, Zanatta AR. Cristalização induzida em filmes de silício amorfo: influência da concentração de níquel e da espessura. Caderno de Resumos. 2006 ;[citado 2024 maio 11 ] - Structural investigation of cobalt oxide films grown by reactive DC magnetron sputtering
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