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  • Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      OLIVEIRA, R F et al. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf. Acesso em: 07 ago. 2024. , 2020
    • APA

      Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2020). Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
    • NLM

      Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
    • Vancouver

      Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
  • Source: Thin Solid Films. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

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    • ABNT

      LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 07 ago. 2024.
    • APA

      Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      SILVA, M A T et al. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. 2005, Anais.. São Paulo: SBF, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf. Acesso em: 07 ago. 2024.
    • APA

      Silva, M. A. T., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., & Lourenco, S. A. (2005). Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
    • NLM

      Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
    • Vancouver

      Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
  • Source: Journal of Physics D. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      OLIVEIRA, R F et al. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. Journal of Physics D, v. 37, n. 21, p. 2949-2953, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0022-3727/37/21/002. Acesso em: 07 ago. 2024.
    • APA

      Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2004). Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. Journal of Physics D, 37( 21), 2949-2953. doi:10.1088/0022-3727/37/21/002
    • NLM

      Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. Journal of Physics D. 2004 ; 37( 21): 2949-2953.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/37/21/002
    • Vancouver

      Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. Journal of Physics D. 2004 ; 37( 21): 2949-2953.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/37/21/002
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MICROSCOPIA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA, SUPERFÍCIE FÍSICA, TERMODINÂMICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      MARTINI, S. et al. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, v. 90, n. 5, p. 2280-2289, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1389336. Acesso em: 07 ago. 2024.
    • APA

      Martini, S., Quivy, A. A., Tabata, A., & Leite, J. R. (2001). Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces. Journal of Applied Physics, 90( 5), 2280-2289. doi:10.1063/1.1389336
    • NLM

      Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336
    • Vancouver

      Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Influence of the temperature and excitation power on the optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal GaAs(001) surfaces [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 90( 5): 2280-2289.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1389336

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