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Dissertação (Mestrado)
Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs (2024)
Silva, Wenita de Lima; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS ANALÓGICOS
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ABNT
SILVA, Wenita de Lima. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs. 2024. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Silva, W. de L. (2024). Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php
NLM
Silva W de L. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php
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Silva W de L. Regulador linear de tensão de baixa queda projetado com Line-TFETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28052024-091329/pt-br.php
Dissertação (Mestrado)
Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)
Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO
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ABNT
CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
NLM
Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
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Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
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Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
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Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/
Dissertação (Mestrado)
Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Der Agopian, Paula Ghedini (Orientador) ; Martino, João Antonio (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, AMPLIFICADORES
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ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Sousa, J. C. S. (2022). Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
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Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
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Sousa JCS. Projeto de um amplificador operacional de transcondutância de dois estágios utilizando transistores de estruturas de nanofolha de silício [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-27052022-084749/
Dissertação (Mestrado)
Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor (2022)
Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SENSORES BIOMÉDICOS, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO
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ABNT
DUARTE, Pedro Henrique. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Duarte, P. H. (2022). Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
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Duarte PH. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
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Duarte PH. Estudo e fabricação de ISFET para aplicação em sensor/biossensor [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-102152/
Tese (Doutorado)
Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (2022)
Yojo, Leonardo Shimizu; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS, GLICOSE
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ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Yojo, L. S. (2022). Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
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Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
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Yojo LS. Otimização de transistores BESOI MOSFET como plataforma para aplicação em biossensores [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-084216/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (2022)
Zangaro, Henrique Araújo; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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ABNT
ZANGARO, Henrique Araújo. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Zangaro, H. A. (2022). Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
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Zangaro HA. Estudo de junções Schottky para aplicação em BESOI MOSFET [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21112022-095406/
Tese (Doutorado)
Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (2022)
Rangel, Ricardo Cardoso; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RANGEL, Ricardo Cardoso. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet. 2022. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Rangel, R. C. (2022). Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
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Rangel RC. Projeto e fabricação de transistores SOI com formação de fonte/dreno induzida por campo elétrico beSOI Mosfet [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09112023-151350/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (2022)
Leal, João Vitor da Costa; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA, BAIXA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEAL, João Vitor da Costa. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Leal, J. V. da C. (2022). Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
NLM
Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
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Leal JV da C. Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-082639/
Tese (Doutorado)
Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (2021)
Macambira, Christian Nemeth; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (coorient)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACAMBIRA, Christian Nemeth. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores. 2021. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2021. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Macambira, C. N. (2021). Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
NLM
Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
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Macambira CN. Estudo dos transistores de tunelamento por efeito de campo como biossensores [Internet]. 2021 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04032022-085035/
Dissertação (Mestrado)
Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI (2013)
Sasaki, Kátia Regina Akemi; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, MEMÓRIA RAM
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ABNT
SASAKI, Kátia Regina Akemi. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Sasaki, K. R. A. (2013). Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
NLM
Sasaki KRA. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
Vancouver
Sasaki KRA. Propostas de melhorias de desempenho de célula de memória dinâmica utilizando um único transistor UTBOX SOI [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072013-173443/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória (2013)
Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MEMÓRIA RAM, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NICOLETTI, Talitha. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Nicoletti, T. (2013). Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/
NLM
Nicoletti T. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/
Vancouver
Nicoletti T. Estudo de transistores UTBOX SOI não auto-alinhados como célula de memória [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10072014-012728/
Dissertação (Mestrado)
Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM (2013)
Nissimoff, Albert; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: MEMÓRIA (ELETRÔNICA DIGITAL)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NISSIMOFF, Albert. Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM. 2013. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06072014-193844/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Nissimoff, A. (2013). Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06072014-193844/
NLM
Nissimoff A. Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06072014-193844/
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Nissimoff A. Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06072014-193844/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores de porta tripla de Corpo (2012)
Andrade, Maria Glória Caño de; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Maria Glória Caño de. Estudo de transistores de porta tripla de Corpo. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10062013-150025/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Andrade, M. G. C. de. (2012). Estudo de transistores de porta tripla de Corpo (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10062013-150025/
NLM
Andrade MGC de. Estudo de transistores de porta tripla de Corpo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10062013-150025/
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Andrade MGC de. Estudo de transistores de porta tripla de Corpo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10062013-150025/
Tese (Doutorado)
Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (2012)
Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MEMÓRIA RAM, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALMEIDA, Luciano Mendes. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Almeida, L. M. (2012). Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
NLM
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Vancouver
Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/
Dissertação (Mestrado)
Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado (2011)
Pacheco, Vinicius Heltai; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PACHECO, Vinicius Heltai. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado. 2011. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Pacheco, V. H. (2011). Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/
NLM
Pacheco VH. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/
Vancouver
Pacheco VH. Influência do crescimento epitaxial seletivo (SEG) em transistores SOI de porta tripla de canal N tensionado [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26082011-145154/
Tese (Doutorado)
Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (2011)
Camillo, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAMILLO, Luciano Mendes. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Camillo, L. M. (2011). Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
NLM
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
Vancouver
Camillo LM. Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI MOSFET fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05042011-155808/
Dissertação (Mestrado)
Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (2010)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla. 2010. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Santos, S. D. dos. (2010). Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
NLM
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Vancouver
Santos SD dos. Influência da tensão mecânica (strain) no abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL) em FinFETs de porta tripla [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-12082010-124643/
Tese (Doutorado)
Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (2010)
Santos, Carolina Davanzzo Gomes dos; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, BAIXA TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Carolina Davanzzo Gomes dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Santos, C. D. G. dos. (2010). Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
NLM
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Vancouver
Santos CDG dos. Estudo da mobilidade em dispositivos SOI planares e de múltiplas portas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10012011-093657/
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
NLM
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Vancouver
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 jul. 03 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/

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