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Artigo de periodico
A new approach to the prediction of partition coefficients in water/organic interfaces (2009)
Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Baptista, Maurício da Silva
Source: Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. Unidades: IF, IQ
Subjects: QUÍMICA SUPRAMOLECULAR, ELETROQUÍMICA
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ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. e BAPTISTA, Maurício da Silva. A new approach to the prediction of partition coefficients in water/organic interfaces. Journal of Computational and Theoretical Nanoscience, v. 6, n. 5, p. 1115-1119, 2009Tradução . . Disponível em: http://www.ingentaconnect.com/content/asp/jctn/2009/00000006/00000005/art00022?token=0043148b40497b76504c48763f255c495b2f246c632d386a333f25760cc9146dd68. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Baptista, M. da S. (2009). A new approach to the prediction of partition coefficients in water/organic interfaces. Journal of Computational and Theoretical Nanoscience, 6( 5), 1115-1119. Recuperado de http://www.ingentaconnect.com/content/asp/jctn/2009/00000006/00000005/art00022?token=0043148b40497b76504c48763f255c495b2f246c632d386a333f25760cc9146dd68
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Baptista M da S. A new approach to the prediction of partition coefficients in water/organic interfaces [Internet]. Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 2009 ; 6( 5): 1115-1119.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.ingentaconnect.com/content/asp/jctn/2009/00000006/00000005/art00022?token=0043148b40497b76504c48763f255c495b2f246c632d386a333f25760cc9146dd68
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Baptista M da S. A new approach to the prediction of partition coefficients in water/organic interfaces [Internet]. Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 2009 ; 6( 5): 1115-1119.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.ingentaconnect.com/content/asp/jctn/2009/00000006/00000005/art00022?token=0043148b40497b76504c48763f255c495b2f246c632d386a333f25760cc9146dd68
Artigo de periodico
Methanol adsorption on silicon (001) (2005)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G P e FERRAZ, A. C. Methanol adsorption on silicon (001). Surface Science, v. 575, p. 287-299, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.11.041. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2005). Methanol adsorption on silicon (001). Surface Science, 575, 287-299. doi:10.1016/j.susc.2004.11.041
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Methanol adsorption on silicon (001) [Internet]. Surface Science. 2005 ; 575 287-299.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.11.041
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Methanol adsorption on silicon (001) [Internet]. Surface Science. 2005 ; 575 287-299.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.11.041
Artigo de periodico
Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface (2003)
Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, v. 67, n. 4, p. 045325/1-045325/5, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miwa, R. H., Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2003). Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface. Physical Review B, 67( 4), 045325/1-045325/5. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
NLM
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Vancouver
Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Ab initio study of the GaAs(001)-In(4 X 2) surface [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 67( 4): 045325/1-045325/5.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000067000004045325000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
A theoretical study of the oxygen adsorption on CdTe(110) (2002)
Miotto, R.; Kiss, Ferenc Diniz; Ferraz, A. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, FILMES FINOS
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ABNT
MIOTTO, R. e KISS, Ferenc Diniz e FERRAZ, A. C. A theoretical study of the oxygen adsorption on CdTe(110). 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Kiss, F. D., & Ferraz, A. C. (2002). A theoretical study of the oxygen adsorption on CdTe(110). In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Miotto R, Kiss FD, Ferraz AC. A theoretical study of the oxygen adsorption on CdTe(110). Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 25 ]
Vancouver
Miotto R, Kiss FD, Ferraz AC. A theoretical study of the oxygen adsorption on CdTe(110). Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 25 ]
Artigo de periodico
Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study (2002)
Ferraz, A. C.; Miotto, R.
Source: Vacuum. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, VÁCUO
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ABNT
FERRAZ, A. C. e MIOTTO, R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, v. 67, n. 1, p. 31-35, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, 67( 1), 31-35. doi:10.1016/s0042-207x(02)00184-7
NLM
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7
Artigo de periodico
Acetylene adsorption on the Si(001) surface (2002)
Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G P. Acetylene adsorption on the Si(001) surface. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 75401/1-75401/11, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2002). Acetylene adsorption on the Si(001) surface. Physical Review B, 65( 7), 75401/1-75401/11. doi:10.1103/physrevb.65.075401
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Acetylene adsorption on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75401/1-75401/11.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Acetylene adsorption on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75401/1-75401/11.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401
Trabalho de evento-resumo
ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study (2002)
Morbec, F M O; Miwa, Roberto Hiroki; Miotto, R.; Ferraz, A. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MORBEC, F M O et al. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Morbec, F. M. O., Miwa, R. H., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2002). ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 25 ]
Vancouver
Morbec FMO, Miwa RH, Miotto R, Ferraz AC. ZnSe/Te/GaAs(001) interface: an ab initio study. Resumos. 2002 ;[citado 2024 maio 25 ]
Artigo de periodico
Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1) (2001)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Miwa, R H; Ferraz, A. C.
Source: Journal of Chemical Physics. Unidade: IF
Subjects: MICROSCOPIA, FEIXES, ABSORÇÃO, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MIOTTO, R. et al. Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1). Journal of Chemical Physics, v. 114, n. 21, p. 9549-9556, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., Miwa, R. H., & Ferraz, A. C. (2001). Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1). Journal of Chemical Physics, 114( 21), 9549-9556. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Miwa RH, Ferraz AC. Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2001 ; 114( 21): 9549-9556.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Miwa RH, Ferraz AC. Comparative study of dissociative adsorption of 'NH IND.3', 'PH IND.3', and 'AsH IND.3' on Si(001)-(2X1) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2001 ; 114( 21): 9549-9556.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JCPSA6000114000021009549000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
First-principles calculations of the adsorption and dissociation of 'PH IND.3' on Si(001)-(2 X 1) (2001)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ADSORÇÃO, QUÍMICA DE SUPERFÍCIE, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G P e FERRAZ, A. C. First-principles calculations of the adsorption and dissociation of 'PH IND.3' on Si(001)-(2 X 1). Surface Science, v. 482, p. 160-165, 2001Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v482-485inone_p1&article=160_fcotaadopos&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2001). First-principles calculations of the adsorption and dissociation of 'PH IND.3' on Si(001)-(2 X 1). Surface Science, 482, 160-165. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v482-485inone_p1&article=160_fcotaadopos&form=pdf&file=file.pdf
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. First-principles calculations of the adsorption and dissociation of 'PH IND.3' on Si(001)-(2 X 1) [Internet]. Surface Science. 2001 ; 482 160-165.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v482-485inone_p1&article=160_fcotaadopos&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. First-principles calculations of the adsorption and dissociation of 'PH IND.3' on Si(001)-(2 X 1) [Internet]. Surface Science. 2001 ; 482 160-165.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v482-485inone_p1&article=160_fcotaadopos&form=pdf&file=file.pdf
Artigo de periodico
Dissociative adsorption of 'PH IND.3' on the Si(001) surface (2001)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G P e FERRAZ, A. C. Dissociative adsorption of 'PH IND.3' on the Si(001) surface. Physical Review B, v. 63, n. 12, p. 5321/1-5321/9, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000063000012125321000001&idtype=cvips. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2001). Dissociative adsorption of 'PH IND.3' on the Si(001) surface. Physical Review B, 63( 12), 5321/1-5321/9. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000063000012125321000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Dissociative adsorption of 'PH IND.3' on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 12): 5321/1-5321/9.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000063000012125321000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Dissociative adsorption of 'PH IND.3' on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 12): 5321/1-5321/9.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000063000012125321000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1) (2000)
Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G P. Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1). Surface Science, v. 454, p. 152-156, 2000Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2000). Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1). Surface Science, 454, 152-156. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1) [Internet]. Surface Science. 2000 ; 454 152-156.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Dissociative adsorption of 'NF IND.3' on Si(001)-(2 X 1) [Internet]. Surface Science. 2000 ; 454 152-156.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00396028&issue=v454i0006&article=152_daonos&form=pdf&file=file.pdf
Artigo de periodico
Theoretical studies of the initial stages of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) (2000)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G P e FERRAZ, A. C. Theoretical studies of the initial stages of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Physical Review B, v. 62, n. 20, p. 13623-13630, 2000Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000020013623000001&idtype=cvips. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2000). Theoretical studies of the initial stages of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Physical Review B, 62( 20), 13623-13630. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000020013623000001&idtype=cvips
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Theoretical studies of the initial stages of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 20): 13623-13630.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000020013623000001&idtype=cvips
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Theoretical studies of the initial stages of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 62( 20): 13623-13630.[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000062000020013623000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
III-N(110) surface relaxation and its dependence on the chemical bonding (2000)
Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G P. III-N(110) surface relaxation and its dependence on the chemical bonding. Solid State Communications, v. 115, n. 1, p. 67-71, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00145-9. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2000). III-N(110) surface relaxation and its dependence on the chemical bonding. Solid State Communications, 115( 1), 67-71. doi:10.1016/s0038-1098(00)00145-9
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. III-N(110) surface relaxation and its dependence on the chemical bonding [Internet]. Solid State Communications. 2000 ; 115( 1): 67-71.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00145-9
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. III-N(110) surface relaxation and its dependence on the chemical bonding [Internet]. Solid State Communications. 2000 ; 115( 1): 67-71.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(00)00145-9
Artigo de periodico
Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) (2000)
Miotto, R.; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G P e FERRAZ, A. C. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Applied Physics Letters, v. 76, n. 25, p. 3735-3737, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.126766. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2000). Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4). Applied Physics Letters, 76( 25), 3735-3737. doi:10.1063/1.126766
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 25): 3735-3737.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.126766
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Structure of Zn adsorption on GaAs(001)-(2X4) [Internet]. Applied Physics Letters. 2000 ; 76( 25): 3735-3737.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.126766
Artigo de periodico
Effects of gradient and non-linear core corrections on structural and electronic properties of GaN bulk and (001) surfaces (2000)
Miotto, R.; DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS; Srivastava, G P; Ferraz, A. C.
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MIOTTO, R. et al. Effects of gradient and non-linear core corrections on structural and electronic properties of GaN bulk and (001) surfaces. Physica B, v. 292, n. 1-2, p. 97-108, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(00)00488-9. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS,, Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (2000). Effects of gradient and non-linear core corrections on structural and electronic properties of GaN bulk and (001) surfaces. Physica B, 292( 1-2), 97-108. doi:10.1016/s0921-4526(00)00488-9
NLM
Miotto R, DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS, Srivastava GP, Ferraz AC. Effects of gradient and non-linear core corrections on structural and electronic properties of GaN bulk and (001) surfaces [Internet]. Physica B. 2000 ; 292( 1-2): 97-108.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(00)00488-9
Vancouver
Miotto R, DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS, Srivastava GP, Ferraz AC. Effects of gradient and non-linear core corrections on structural and electronic properties of GaN bulk and (001) surfaces [Internet]. Physica B. 2000 ; 292( 1-2): 97-108.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(00)00488-9
Artigo de periodico
The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs (1999)
Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs. Surface Science, v. 435, p. 377-381, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1999). The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs. Surface Science, 435, 377-381. doi:10.1016/s0039-6028(99)00109-0
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs [Internet]. Surface Science. 1999 ; 435 377-381.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs [Internet]. Surface Science. 1999 ; 435 377-381.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0
Artigo de periodico
First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces (1999)
Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Surface Science. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces. Surface Science, v. 426, n. 1, p. 75-82, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00282-4. Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1999). First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces. Surface Science, 426( 1), 75-82. doi:10.1016/s0039-6028(99)00282-4
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces [Internet]. Surface Science. 1999 ; 426( 1): 75-82.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00282-4
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. First-principles pseudopotential study of GaN and BN (110) surfaces [Internet]. Surface Science. 1999 ; 426( 1): 75-82.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00282-4
Artigo de periodico
Dissociative adsorption of 'NH IND.3' on Si(001)-(2x1) (1998)
Miotto, R.; Srivastava, G. P.; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. Dissociative adsorption of 'NH IND.3' on Si(001)-(2x1). Physical Review B, v. 58, n. 12, p. 7944-7949, 1998Tradução . . Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1998). Dissociative adsorption of 'NH IND.3' on Si(001)-(2x1). Physical Review B, 58( 12), 7944-7949.
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Dissociative adsorption of 'NH IND.3' on Si(001)-(2x1). Physical Review B. 1998 ; 58( 12): 7944-7949.[citado 2024 maio 25 ]
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. Dissociative adsorption of 'NH IND.3' on Si(001)-(2x1). Physical Review B. 1998 ; 58( 12): 7944-7949.[citado 2024 maio 25 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo de pseudopotenciais de primeiros principios e sua aplicacao em semicondutores ii-vi (1996)
Miotto, R.; Ferraz, A. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. Estudo de pseudopotenciais de primeiros principios e sua aplicacao em semicondutores ii-vi. 1996, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1996. . Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (1996). Estudo de pseudopotenciais de primeiros principios e sua aplicacao em semicondutores ii-vi. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Estudo de pseudopotenciais de primeiros principios e sua aplicacao em semicondutores ii-vi. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 25 ]
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Estudo de pseudopotenciais de primeiros principios e sua aplicacao em semicondutores ii-vi. Resumos. 1996 ;[citado 2024 maio 25 ]
Trabalho de evento-resumo
Dependencia da estrutura eletronica de semicondutores ii-vi com a pressao hidrostatica e estudo das fases zinc-blend e wurtzita (1994)
Miotto, R.; Ferraz, A. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. Dependencia da estrutura eletronica de semicondutores ii-vi com a pressao hidrostatica e estudo das fases zinc-blend e wurtzita. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1994. . Acesso em: 25 maio 2024.
APA
Miotto, R., & Ferraz, A. C. (1994). Dependencia da estrutura eletronica de semicondutores ii-vi com a pressao hidrostatica e estudo das fases zinc-blend e wurtzita. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Miotto R, Ferraz AC. Dependencia da estrutura eletronica de semicondutores ii-vi com a pressao hidrostatica e estudo das fases zinc-blend e wurtzita. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 25 ]
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC. Dependencia da estrutura eletronica de semicondutores ii-vi com a pressao hidrostatica e estudo das fases zinc-blend e wurtzita. Resumos. 1994 ;[citado 2024 maio 25 ]

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