The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs (1999)
- Authors:
- Autor USP: FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0039-6028(99)00109-0
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Surface Science
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 435, p. 377-381, 1999
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
MIOTTO, R. e SRIVASTAVA, G. P. e FERRAZ, A. C. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs. Surface Science, v. 435, p. 377-381, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Miotto, R., Srivastava, G. P., & Ferraz, A. C. (1999). The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs. Surface Science, 435, 377-381. doi:10.1016/s0039-6028(99)00109-0 -
NLM
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs [Internet]. Surface Science. 1999 ; 435 377-381.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0 -
Vancouver
Miotto R, Srivastava GP, Ferraz AC. The role of generalised gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'beta'-GaN and GaAs [Internet]. Surface Science. 1999 ; 435 377-381.[citado 2024 abr. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0039-6028(99)00109-0 - Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods
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- Role of generalized-gradient approximation in structural and electronic properties of bulk and surface of 'BETA'-GaN and GaAs
Informações sobre o DOI: 10.1016/s0039-6028(99)00109-0 (Fonte: oaDOI API)
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