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Tese (Doutorado)
Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade (2012)
Oliveira, Glaura Caroena Azevedo de; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS
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ABNT
OLIVEIRA, Glaura Caroena Azevedo de. Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Oliveira, G. C. A. de. (2012). Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/
NLM
Oliveira GCA de. Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade [Internet]. 2012 ;[citado 2024 out. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/
Vancouver
Oliveira GCA de. Propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de terras raras em GaN e ZnO:: um estudo da correção do potencial U de Hubbard na teoria do funcional da densidade [Internet]. 2012 ;[citado 2024 out. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032013-151853/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização estrutural e eletrõnica da zircônia pura e com defeitos e impurezas (2011)
Santos, Michel Lacerda Marcondes dos; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, ZIRCÔNIO
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ABNT
SANTOS, Michel Lacerda Marcondes dos. Caracterização estrutural e eletrõnica da zircônia pura e com defeitos e impurezas. 2011. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-29022012-135344/. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Santos, M. L. M. dos. (2011). Caracterização estrutural e eletrõnica da zircônia pura e com defeitos e impurezas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-29022012-135344/
NLM
Santos MLM dos. Caracterização estrutural e eletrõnica da zircônia pura e com defeitos e impurezas [Internet]. 2011 ;[citado 2024 out. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-29022012-135344/
Vancouver
Santos MLM dos. Caracterização estrutural e eletrõnica da zircônia pura e com defeitos e impurezas [Internet]. 2011 ;[citado 2024 out. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-29022012-135344/
Artigo de periodico
Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400016
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Artigo de periodico
Electronic properties of isolated nickel in diamond (2004)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
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ABNT
LARICO, R et al. Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2004). Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400038
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
Artigo de periodico
A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects (2004)
Ayres, F; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
AYRES, F et al. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400042
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A first principles investigation of mercuric iodide: bulk properties and intrinsic defects [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400042
Artigo de periodico
"Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon (2000)
Capaz, R B; Assali, L. V. C. ; Kimerling, L C; Cho, K; Joannopoulos, J D
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
CAPAZ, R B et al. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 611-615, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (2000). "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 611-615. doi:10.1590/s0103-97331999000400002
NLM
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2000 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
Vancouver
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2000 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
Artigo de periodico
Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon (1999)
Capaz, R. B.; Assali, L. V. C. ; Kimerling, L. C.; Cho, K; Joannopoulos, J. D.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
CAPAZ, R. B. et al. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4898-4900, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (1999). Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Physical Review B, 59( 7), 4898-4900. doi:10.1103/physrevb.59.4898
NLM
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4898-4900.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898
Vancouver
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. Mechanism for hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4898-4900.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4898
Artigo de periodico
Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon (1999)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: International Journal of Modern Physics B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon. International Journal of Modern Physics B, v. 13, n. 18, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1142/S0217979299002472. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (1999). Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon. International Journal of Modern Physics B, 13( 18). doi:10.1142/S0217979299002472
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon [Internet]. International Journal of Modern Physics B. 1999 ; 13( 18):[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1142/S0217979299002472
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic properties of copper-3d transition-metal pairs in silicon [Internet]. International Journal of Modern Physics B. 1999 ; 13( 18):[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1142/S0217979299002472
Artigo de periodico
"Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon (1999)
Capaz, R. B.; Assali, L. V. C. ; Kimerling, L. C.; Cho, K.; Joannopoulos, J. D.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAPAZ, R. B. et al. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 611-615, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (1999). "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 611-615. doi:10.1590/s0103-97331999000400002
NLM
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
Vancouver
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 611-615.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002
Artigo de periodico
Assali and leite respond (1986)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Assali and leite respond. Physical Review Letters, v. 56, n. 4 , p. 403, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevlett.56.403. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Assali and leite respond. Physical Review Letters, 56( 4 ), 403. doi:10.1103/physrevlett.56.403
NLM
Assali LVC, Leite JR. Assali and leite respond [Internet]. Physical Review Letters. 1986 ;56( 4 ): 403.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevlett.56.403
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Assali and leite respond [Internet]. Physical Review Letters. 1986 ;56( 4 ): 403.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevlett.56.403
Artigo de periodico
Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon (1985)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Caldas, Marília Junqueira; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841-4, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x. Acesso em: 13 out. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., Caldas, M. J., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, 53, 841-4. doi:10.1016/0038-1098(85)90064-x
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 out. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x

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