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Artigo de periodico
Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires (2009)
Mohseni, P. K.; Rodrigues, A. D.; Galzerani, J. C.; Pusep, Yuri A.; LaPierre, R. R.
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
MOHSENI, P. K. et al. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 12, p. 124306-1-124306-7, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3269724. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Mohseni, P. K., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Pusep, Y. A., & LaPierre, R. R. (2009). Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 106( 12), 124306-1-124306-7. doi:10.1063/1.3269724
NLM
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Vancouver
Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724
Trabalho de evento-resumo
High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures (2009)
Pusep, Yuri A.; Gozzo, G. C.; La Pierre, R. R.; Gold, A.
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, NANOTECNOLOGIA, FÍSICA DE PARTÍCULAS
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2009, Anais.. Curitiba: Universidade Federal do Paraná, 2009. . Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., La Pierre, R. R., & Gold, A. (2009). High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. In Abstracts. Curitiba: Universidade Federal do Paraná.
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 jul. 03 ]
Trabalho de evento-resumo
High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures (2009)
Pusep, Yuri A.; Gozzo, G. C.; La Pierre, R. R.; Gold, A.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces - ICFSI. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, NANOTECNOLOGIA, FÍSICA DE PARTÍCULAS
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2009, Anais.. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2009. . Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., La Pierre, R. R., & Gold, A. (2009). High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. In Abstracts. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 jul. 03 ]
Artigo de periodico
Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices (2008)
Pusep, Yuri A.; Gozzo, G. C.; La Pierre, R. R.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA, MAGNETISMO
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ABNT
PUSEP, Yuri A. e GOZZO, G. C. e LA PIERRE, R. R. Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices. Applied Physics Letters, v. 93, n. 24, p. 242104-1-242104-3, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3050531. Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., & La Pierre, R. R. (2008). Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices. Applied Physics Letters, 93( 24), 242104-1-242104-3. doi:10.1063/1.3050531
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR. Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2008 ; 93( 24): 242104-1-242104-3.[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3050531
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR. Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2008 ; 93( 24): 242104-1-242104-3.[citado 2024 jul. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3050531
Trabalho de evento-resumo
Fotoluminescência de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2' (2008)
Borrero-Gonzalez, Luis José; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Pusep, Yuri A.; Rodrigues, Ariano De Giovanni; Galzerani, José Cláudio; Wojcik, Jacek; Mascher, Peter; Koropecki, Roberto Ronan; Arce, Roberto Delio; Comedi, David
Source: Caderno de Resumos. Conference titles: Workshop da Pós-Graduação em Física do IFSC. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
BORRERO-GONZALEZ, Luis José et al. Fotoluminescência de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2'. 2008, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2008. . Acesso em: 03 jul. 2024.
APA
Borrero-Gonzalez, L. J., Guimarães, F. E. G., Pusep, Y. A., Rodrigues, A. D. G., Galzerani, J. C., Wojcik, J., et al. (2008). Fotoluminescência de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2'. In Caderno de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.
NLM
Borrero-Gonzalez LJ, Guimarães FEG, Pusep YA, Rodrigues ADG, Galzerani JC, Wojcik J, Mascher P, Koropecki RR, Arce RD, Comedi D. Fotoluminescência de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2'. Caderno de Resumos. 2008 ;[citado 2024 jul. 03 ]
Vancouver
Borrero-Gonzalez LJ, Guimarães FEG, Pusep YA, Rodrigues ADG, Galzerani JC, Wojcik J, Mascher P, Koropecki RR, Arce RD, Comedi D. Fotoluminescência de nanocristais de silício embebidos em Si'O IND.2'. Caderno de Resumos. 2008 ;[citado 2024 jul. 03 ]

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