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Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O' (2013)
Santos, Samuel Silva dos; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SANTOS, Samuel Silva dos e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O'. 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1103-1.pdf. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Santos, S. S. dos, Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2013). Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O'. In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1103-1.pdf
NLM
Santos SS dos, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O' [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1103-1.pdf
Vancouver
Santos SS dos, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O' [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1103-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3' (2013)
Santos, Michel Lacerda Marcondes dos; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SANTOS, Michel Lacerda Marcondes dos e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3'. 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1102-1.pdf. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Santos, M. L. M. dos, Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2013). Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3'. In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1102-1.pdf
NLM
Santos MLM dos, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3' [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1102-1.pdf
Vancouver
Santos MLM dos, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3' [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1102-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors (2013)
Caroena, Glaura; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CAROENA, Glaura et al. Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors. 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Caroena, G., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2013). Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors. In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf
NLM
Caroena G, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf
Vancouver
Caroena G, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf
Artigo de periodico
Group IV Graphene- and Graphane-Like Nanosheets (2011)
Garcia, Joelson Cott; Lima, Denille Brito de; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: The Journal of Physical Chemistry C. Unidades: IF, EP
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Group IV Graphene- and Graphane-Like Nanosheets. The Journal of Physical Chemistry C, v. 115, n. 27, p. 13242-13246, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/jp203657w. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Garcia, J. C., Lima, D. B. de, Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2011). Group IV Graphene- and Graphane-Like Nanosheets. The Journal of Physical Chemistry C, 115( 27), 13242-13246. doi:10.1021/jp203657w
NLM
Garcia JC, Lima DB de, Justo Filho JF, Assali LVC. Group IV Graphene- and Graphane-Like Nanosheets [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2011 ;115( 27): 13242-13246.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp203657w
Vancouver
Garcia JC, Lima DB de, Justo Filho JF, Assali LVC. Group IV Graphene- and Graphane-Like Nanosheets [Internet]. The Journal of Physical Chemistry C. 2011 ;115( 27): 13242-13246.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1021/jp203657w
Artigo de periodico
Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes (2006)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Physica B. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MUDANÇA DE FASE
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, v. 376, p. 378-381, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2006). Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes. Physica B, 376, 378-381. doi:10.1016/j.physb.2005.12.097
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 378-381.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.097
Artigo de periodico
Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond (2006)
Larico, R; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes
Fonte: Physica B. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, v. 376, p. 292-295, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Larico, R., Assali, L. V. C., Justo Filho, J. F., & Machado, W. V. M. (2006). Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond. Physica B, 376, 292-295. doi:10.1016/j.physb.2005.12.075
NLM
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Vancouver
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF, Machado WVM. Band gap states of interstitial nickel-complexes in diamond [Internet]. Physica B. 2006 ; 376 292-295.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2005.12.075
Artigo de periodico
Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond (2006)
Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LARICO, R et al. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 267-269, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Larico, R., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2006). Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 267-269. doi:10.1590/s0103-97332006000300009
NLM
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
Vancouver
Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Microscopic structure of nickel-dopant centers in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 267-269.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300009
Artigo de periodico
Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 (2006)
Ayres, Frederico; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, DETETORES, MERCÚRIO (ELEMENTO QUÍMICO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
AYRES, Frederico et al. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, v. 88, n. 1, p. 011918-1/011918-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2159573. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, 88( 1), 011918-1/011918-3. doi:10.1063/1.2159573
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of... (2005)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C. ; Pereyra, Inés ; Silva, C R S da
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., Pereyra, I., & Silva, C. R. S. da. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation (2005)
Assali, L. V. C. ; Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
NLM
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Vancouver
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Tese (Doutorado)
Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" (2005)
Oliveira Neto, Frederico Ayres de; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA NETO, Frederico Ayres de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2". 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Oliveira Neto, F. A. de. (2005). Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/
NLM
Oliveira Neto FA de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" [Internet]. 2005 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/
Vancouver
Oliveira Neto FA de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" [Internet]. 2005 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/
Artigo de periodico
Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride (2005)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation (2004)
Barbosa, K O; Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Computational Materials Science. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARBOSA, K O et al. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Barbosa, K. O., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation. Computational Materials Science. doi:10.1016/j.commatsci.2004.01.008
NLM
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
Vancouver
Barbosa KO, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Structural and electronic properties of Ti impurities in SiC: an ab initio investigation [Internet]. Computational Materials Science. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2004.01.008
Artigo de periodico
Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: IF, EP
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400016
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Titanium impurities in silicon, diamond, and silicon carbide [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400016
Trabalho de evento
Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' (2004)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Anais. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F et al. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2'. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0450-1.pdf. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2004). Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2'. In Anais. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0450-1.pdf
NLM
Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' [Internet]. Anais. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0450-1.pdf
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' [Internet]. Anais. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/A0450-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' (2004)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F et al. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2'. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0450-1.pdf. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2004). Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2'. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0450-1.pdf
NLM
Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0450-1.pdf
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Propriedades estruturais e mecânicas do 'alfa'-'HgI IND.2' [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0450-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide (2004)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Transition metal impurities in cubic and hexagonalsilicon carbide [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0610-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
A theoretical microscopic model for the nickel-related defect centers in diamond (2004)
Larico, R; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R e ASSALI, L. V. C. e JUSTO FILHO, João Francisco. A theoretical microscopic model for the nickel-related defect centers in diamond. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0514-1.pdf. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Larico, R., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2004). A theoretical microscopic model for the nickel-related defect centers in diamond. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0514-1.pdf
NLM
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF. A theoretical microscopic model for the nickel-related defect centers in diamond [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0514-1.pdf
Vancouver
Larico R, Assali LVC, Justo Filho JF. A theoretical microscopic model for the nickel-related defect centers in diamond [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0514-1.pdf
Artigo de periodico
Electronic properties of isolated nickel in diamond (2004)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: EP, IF
Assuntos: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2004). Electronic properties of isolated nickel in diamond. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400038
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic properties of isolated nickel in diamond [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400038

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