Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" (2005)
- Authors:
- Autor USP: OLIVEIRA NETO, FREDERICO AYRES DE - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FMT
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO; PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS; FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Português
- Abstract: O iodeto de mercúrio em sua fase vermelha, "alfa"-"HgI IND.2, é um material semicondutor que desperta grande interesse tecnológico devido à sua potencial aplicação como detector, a temperatura ambiente, de raios-"gama" e X. Sua imediata aplicação como detector de radiação, no entanto, ainda sofre algumas restrições devido às dificuldades de controle sobre a concentração de defeitos pontuais e extensos, durante sua síntese, e sua fácil degradação quando exposto ao ambiente. A presença destes defeitos gera uma redução na mobilidade de portadores de carga, diminuindo a eficiência de detecção. Neste trabalho, realizamos uma investigação teórica das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas do "alfa"-"HgI IND.2" e do "ZnI IND.", cuja estrutura cristalina é análoga à do "alfa"-"HgI IND.2". Estudamos, também, o comportamento de tais propriedades do material contendo vacâncias de Hg e de I para entendermos o papel desempenhado por estes defeitos nas propriedades do material. Na análise dos resultados, sempre que possível, são apresentadas comparações com outros resultados teóricos e com dados experimentais. Nossos cálculos foram efetuados dentro do formalismo do funcional da densidade em combinação com duas diferentes aproximações para o termo de exchange e correlação. Utilizamos o método Augmented Plane Wave plus local orbitals (APW+lo), que é um método de primeiros princípios e inclui todos os elétrons do sistema (all electron). Adicionalmente, foram utilizadosesquemas que incluem efeitos relativísticos e polarização de spin. O estudo dos defeitos foi simulado através do esquema da supercélula
- Imprenta:
- Data da defesa: 14.07.2005
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ABNT
OLIVEIRA NETO, Frederico Ayres de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2". 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/. Acesso em: 27 jan. 2026. -
APA
Oliveira Neto, F. A. de. (2005). Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/ -
NLM
Oliveira Neto FA de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" [Internet]. 2005 ;[citado 2026 jan. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/ -
Vancouver
Oliveira Neto FA de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores "HgI IND.2" e "ZnI IND.2" e de defeitos em "HgI IND.2" [Internet]. 2005 ;[citado 2026 jan. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-05122006-114829/
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