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Artigo de periodico
Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC (2010)
Lima, Matheus P; Rocha, A R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
LIMA, Matheus P et al. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC. Physical Review B, v. 82, n. 15, p. 1534023/1-153402/4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Lima, M. P., Rocha, A. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2010). Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC. Physical Review B, 82( 15), 1534023/1-153402/4. doi:10.1103/physrevb.82.153402
NLM
Lima MP, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 82( 15): 1534023/1-153402/4.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402
Vancouver
Lima MP, Rocha AR, Silva AJR da, Fazzio A. Mimicking nanoribbon behavior using a graphene layer on SiC [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 82( 15): 1534023/1-153402/4.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.82.153402
Artigo de periodico
Unusual magneto-optical phenomenon reveals low energy spin dispersion in the spin-1 anisotropic Heisenberg antiferromagnetic chain system 'NiCl IND.2´-'4SC('NH IND.2´) IND.2´ (2008)
Cox, S; McDonald, R D; Armanious, M; Sengupta, P; Paduan-Filho, A.
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assuntos: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
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ABNT
COX, S et al. Unusual magneto-optical phenomenon reveals low energy spin dispersion in the spin-1 anisotropic Heisenberg antiferromagnetic chain system 'NiCl IND.2´-'4SC('NH IND.2´) IND.2´. Physical Review Letters, v. 101, n. 1, p. 087602/1-087602, 2008Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000101000008087602000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Cox, S., McDonald, R. D., Armanious, M., Sengupta, P., & Paduan-Filho, A. (2008). Unusual magneto-optical phenomenon reveals low energy spin dispersion in the spin-1 anisotropic Heisenberg antiferromagnetic chain system 'NiCl IND.2´-'4SC('NH IND.2´) IND.2´. Physical Review Letters, 101( 1), 087602/1-087602. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000101000008087602000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Cox S, McDonald RD, Armanious M, Sengupta P, Paduan-Filho A. Unusual magneto-optical phenomenon reveals low energy spin dispersion in the spin-1 anisotropic Heisenberg antiferromagnetic chain system 'NiCl IND.2´-'4SC('NH IND.2´) IND.2´ [Internet]. Physical Review Letters. 2008 ; 101( 1): 087602/1-087602.[citado 2024 set. 25 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000101000008087602000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Cox S, McDonald RD, Armanious M, Sengupta P, Paduan-Filho A. Unusual magneto-optical phenomenon reveals low energy spin dispersion in the spin-1 anisotropic Heisenberg antiferromagnetic chain system 'NiCl IND.2´-'4SC('NH IND.2´) IND.2´ [Internet]. Physical Review Letters. 2008 ; 101( 1): 087602/1-087602.[citado 2024 set. 25 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000101000008087602000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations (2006)
Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lino, Antonio Tadeu; Freire, V N; Farias, G A; Silva, C C; Alves, H W Leite; Rodrigues, S C P; Silva, E F da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 1, p. 104103-1/104103-9, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2386967. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., Silva, C. C., et al. (2006). Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 100( 1), 104103-1/104103-9. doi:10.1063/1.2386967
NLM
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Vancouver
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Artigo de periodico
Evidence of hopping of charge carriers in the clustered state of manganites (2006)
Souza, J A; Jardim, R. F.
Fonte: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidade: IF
Assuntos: RESISTÊNCIA ELÉTRICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SOUZA, J A e JARDIM, R. F. Evidence of hopping of charge carriers in the clustered state of manganites. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 352, n. 32-35, p. 3725-3728, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.02.123. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Souza, J. A., & Jardim, R. F. (2006). Evidence of hopping of charge carriers in the clustered state of manganites. Journal of Non-Crystalline Solids, 352( 32-35), 3725-3728. doi:10.1016/j.jnoncrysol.2006.02.123
NLM
Souza JA, Jardim RF. Evidence of hopping of charge carriers in the clustered state of manganites [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2006 ; 352( 32-35): 3725-3728.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.02.123
Vancouver
Souza JA, Jardim RF. Evidence of hopping of charge carriers in the clustered state of manganites [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2006 ; 352( 32-35): 3725-3728.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.02.123
Artigo de periodico
Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors (2006)
Silva, Antonio José Roque da; Fazzio, Adalberto; Santos, Raimundo R dos; Oliveira, Luiz E
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA, Antonio José Roque da et al. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3B, p. 813-816, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., Santos, R. R. dos, & Oliveira, L. E. (2006). Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors. Brazilian Journal of Physics, 36( 3B), 813-816. doi:10.1590/s0103-97332006000600004
NLM
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 813-816.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004
Vancouver
Silva AJR da, Fazzio A, Santos RR dos, Oliveira LE. Effects of disorder on the exchange coupling in (Ga,Mn)As diluted magnetic semiconductors [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 813-816.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600004
Artigo de periodico
Mechanical properties of amorphous nanosprings (2006)
Fonseca, Alexandre F da; Malta, Coraci Pereira; Galvão, Douglas Soares
Fonte: Nanotechnology. Unidade: IF
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, MATERIAIS (PROPRIEDADES MECÂNICAS), PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FONSECA, Alexandre F da e MALTA, Coraci Pereira e GALVÃO, Douglas Soares. Mechanical properties of amorphous nanosprings. Nanotechnology, v. 17 (22), p. 5620-5626, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/22/015. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Fonseca, A. F. da, Malta, C. P., & Galvão, D. S. (2006). Mechanical properties of amorphous nanosprings. Nanotechnology, 17 (22), 5620-5626. doi:10.1088/0957-4484/17/22/015
NLM
Fonseca AF da, Malta CP, Galvão DS. Mechanical properties of amorphous nanosprings [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17 (22) 5620-5626.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/22/015
Vancouver
Fonseca AF da, Malta CP, Galvão DS. Mechanical properties of amorphous nanosprings [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17 (22) 5620-5626.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/22/015
Artigo de periodico
Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions (2006)
Gonzales Ormeño, Pablo Guillermo ; Petrilli, Helena Maria ; Schön, Cláudio Geraldo
Fonte: Scripta Materialia. Unidades: IF, EP
Assuntos: TERMODINÂMICA, DIAGRAMA DE TRANSFORMAÇÃO DE FASE, INTERAÇÕES ELETROMAGNÉTICAS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GONZALES ORMEÑO, Pablo Guillermo e PETRILLI, Helena Maria e SCHÖN, Cláudio Geraldo. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions. Scripta Materialia, v. 54, n. 7, p. 1271-1276, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Gonzales Ormeño, P. G., Petrilli, H. M., & Schön, C. G. (2006). Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions. Scripta Materialia, 54( 7), 1271-1276. doi:10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
NLM
Gonzales Ormeño PG, Petrilli HM, Schön CG. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions [Internet]. Scripta Materialia. 2006 ; 54( 7): 1271-1276.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
Vancouver
Gonzales Ormeño PG, Petrilli HM, Schön CG. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions [Internet]. Scripta Materialia. 2006 ; 54( 7): 1271-1276.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
Artigo de periodico
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems (2006)
Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, L M R
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235205, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, 73( 23), 235205. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2024 set. 25 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2024 set. 25 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube (2006)
Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Journal of Physical Chemistry. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, v. 110, n. 42, p. 21184-21188, 2006Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Baierle, R. J., Piquini, P., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2006). Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, 110( 42), 21184-21188. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
NLM
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2024 set. 25 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Vancouver
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2024 set. 25 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Artigo de periodico
Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study (2006)
Silva, L B da; Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Fazzio, Adalberto
Fonte: Nanotechnology. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, L B da et al. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study. Nanotechnology, v. 17, n. 16, p. 4088-4091, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Silva, L. B. da, Fagan, S. B., Mota, R., & Fazzio, A. (2006). Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study. Nanotechnology, 17( 16), 4088-4091. doi:10.1088/0957-4484/17/16/016
NLM
Silva LB da, Fagan SB, Mota R, Fazzio A. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17( 16): 4088-4091.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016
Vancouver
Silva LB da, Fagan SB, Mota R, Fazzio A. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17( 16): 4088-4091.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016
Artigo de periodico
Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA (2006)
Novaes, Frederico Dutilh; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOVAES, Frederico Dutilh e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3A, p. 799-807, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics, 36( 3A), 799-807. doi:10.1590/s0103-97332006000500039
NLM
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3A): 799-807.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039
Vancouver
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3A): 799-807.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039
Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Artigo de periodico
Numerical and experimental analyses on the indentation of coated systems with substrates with different mechanical properties (2005)
Piana, L A; Pérez Ruiz, Eduardo Alberto ; Souza, Roberto Martins de ; Kunrath, A O; Strohaecker, Telmo Roberto
Fonte: Thin Solid Films. Unidade: EP
Assuntos: FILMES FINOS, MECÂNICA DA FRATURA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, COMPUTAÇÃO APLICADA, AÇO, RESISTÊNCIA DOS MATERIAIS, TITÂNIO, NITRATOS
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ABNT
PIANA, L A et al. Numerical and experimental analyses on the indentation of coated systems with substrates with different mechanical properties. Thin Solid Films, v. No 2005, n. 1-2, p. 197-203, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.06.025. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Piana, L. A., Pérez Ruiz, E. A., Souza, R. M. de, Kunrath, A. O., & Strohaecker, T. R. (2005). Numerical and experimental analyses on the indentation of coated systems with substrates with different mechanical properties. Thin Solid Films, No 2005( 1-2), 197-203. doi:10.1016/j.tsf.2005.06.025
NLM
Piana LA, Pérez Ruiz EA, Souza RM de, Kunrath AO, Strohaecker TR. Numerical and experimental analyses on the indentation of coated systems with substrates with different mechanical properties [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; No 2005( 1-2): 197-203.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.06.025
Vancouver
Piana LA, Pérez Ruiz EA, Souza RM de, Kunrath AO, Strohaecker TR. Numerical and experimental analyses on the indentation of coated systems with substrates with different mechanical properties [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; No 2005( 1-2): 197-203.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.06.025
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of... (2005)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C. ; Pereyra, Inés ; Silva, C R S da
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., Pereyra, I., & Silva, C. R. S. da. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 set. 25 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 set. 25 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface (2005)
Zanella, Ivana; Fazzio, Adalberto; Silva, Antonio Jose Roque da
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICO-QUÍMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
ZANELLA, Ivana e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, v. 103, n. 5, p. 557-561, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.20528. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Zanella, I., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2005). Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, 103( 5), 557-561. doi:10.1002/qua.20528
NLM
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Vancouver
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Artigo de periodico
Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation (2005)
Assali, L. V. C. ; Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
NLM
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Vancouver
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Artigo de periodico
Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant (2005)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.
Fonte: Thin Solid Films. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Artigo de periodico
Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride (2005)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Artigo de periodico
Band gap engineering for poly(pphenylene) and poly(p-phenylene vinylene) copolymers using the tight- binding approach (2005)
Giro, R; Caldas, Marília Junqueira; Galvão, D S
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICO-QUÍMICA, POLÍMEROS (MATERIAIS), PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GIRO, R e CALDAS, Marília Junqueira e GALVÃO, D S. Band gap engineering for poly(pphenylene) and poly(p-phenylene vinylene) copolymers using the tight- binding approach. International Journal of Quantum Chemistry, v. 103, n. 5, p. 588-596, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.20551. Acesso em: 25 set. 2024.
APA
Giro, R., Caldas, M. J., & Galvão, D. S. (2005). Band gap engineering for poly(pphenylene) and poly(p-phenylene vinylene) copolymers using the tight- binding approach. International Journal of Quantum Chemistry, 103( 5), 588-596. doi:10.1002/qua.20551
NLM
Giro R, Caldas MJ, Galvão DS. Band gap engineering for poly(pphenylene) and poly(p-phenylene vinylene) copolymers using the tight- binding approach [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 588-596.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20551
Vancouver
Giro R, Caldas MJ, Galvão DS. Band gap engineering for poly(pphenylene) and poly(p-phenylene vinylene) copolymers using the tight- binding approach [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 588-596.[citado 2024 set. 25 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20551

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