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Trabalho de evento-resumo
High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures (2009)
Pusep, Yuri A.; Gozzo, G. C.; La Pierre, R. R.; Gold, A.
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, NANOTECNOLOGIA, FÍSICA DE PARTÍCULAS
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2009, Anais.. Curitiba: Universidade Federal do Paraná, 2009. . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., La Pierre, R. R., & Gold, A. (2009). High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. In Abstracts. Curitiba: Universidade Federal do Paraná.
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities limited by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Trabalho de evento-resumo
High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures (2009)
Pusep, Yuri A.; Gozzo, G. C.; La Pierre, R. R.; Gold, A.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces - ICFSI. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, NANOTECNOLOGIA, FÍSICA DE PARTÍCULAS
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2009, Anais.. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2009. . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., La Pierre, R. R., & Gold, A. (2009). High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. In Abstracts. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR, Gold A. High mobilities by interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. Abstracts. 2009 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices (2008)
Pusep, Yuri A.; Gozzo, G. C.; La Pierre, R. R.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA, MAGNETISMO
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ABNT
PUSEP, Yuri A. e GOZZO, G. C. e LA PIERRE, R. R. Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices. Applied Physics Letters, v. 93, n. 24, p. 242104-1-242104-3, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3050531. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., & La Pierre, R. R. (2008). Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices. Applied Physics Letters, 93( 24), 242104-1-242104-3. doi:10.1063/1.3050531
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR. Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2008 ; 93( 24): 242104-1-242104-3.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3050531
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Pusep YA, Gozzo GC, La Pierre RR. Interface roughness in short-period InGaAs/InP superlattices [Internet]. Applied Physics Letters. 2008 ; 93( 24): 242104-1-242104-3.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3050531
Trabalho de evento-resumo
Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics (2008)
Plante, M. C.; Tirado, M.; Pusep, Yuri A.; Comedi, D.; La Pierre, R. R.
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA, CRESCIMENTO DE CRISTAIS
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ABNT
PLANTE, M. C. et al. Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Plante, M. C., Tirado, M., Pusep, Y. A., Comedi, D., & La Pierre, R. R. (2008). Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf
NLM
Plante MC, Tirado M, Pusep YA, Comedi D, La Pierre RR. Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf
Vancouver
Plante MC, Tirado M, Pusep YA, Comedi D, La Pierre RR. Conduction mechanisms in GaAs nanowire photovoltaics [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/E525.pdf
Trabalho de evento-resumo
Evidence of the miniband formation in INGaAs/InP superlattices (2005)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Comedi, D. M.; La Pierre, R. R.
Source: Program and Abstracts. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications - CLACSA. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Evidence of the miniband formation in INGaAs/InP superlattices. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2005. . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Comedi, D. M., & La Pierre, R. R. (2005). Evidence of the miniband formation in INGaAs/InP superlattices. In Program and Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Comedi DM, La Pierre RR. Evidence of the miniband formation in INGaAs/InP superlattices. Program and Abstracts. 2005 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Comedi DM, La Pierre RR. Evidence of the miniband formation in INGaAs/InP superlattices. Program and Abstracts. 2005 ;[citado 2024 jun. 27 ]

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