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Trabalho de evento-resumo
Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos (2021)
Wanderley, Adilson Barros; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: MECÂNICA QUÂNTICA, TEORIA DOS GRUPOS
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ABNT
WANDERLEY, Adilson Barros e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos. 2021, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2021. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Wanderley, A. B., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2021). Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
NLM
Wanderley AB, Silva JLF da, Sipahi GM. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
Vancouver
Wanderley AB, Silva JLF da, Sipahi GM. Fitting das estruturas de bandas a partir de estratégias que envolvem propriedades de simetrias dos materiais baseadas na teoria de grupos [Internet]. Livro de Resumos. 2021 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/0b1e9cab-4916-4cc5-ab2c-578d4bb9bf02/3055049.pdf
Trabalho de evento-resumo
Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes (2020)
Wanderley, Adilson Barros; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
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WANDERLEY, Adilson Barros e SIPAHI, Guilherme Matos e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes. 2020, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2020. Disponível em: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2020). Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
NLM
Wanderley AB, Sipahi GM, Silva JLF da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Vancouver
Wanderley AB, Sipahi GM, Silva JLF da. Framework para a determinação semiautomática de Hamiltonianos efetivos a partir de estruturas de bandas preexistentes [Internet]. Livro de Resumos. 2020 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://drive.google.com/file/d/1zSpq9v0UajXDmQq5rhvZXa6H1S1icuwc/view
Trabalho de evento-resumo
Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies (2019)
Besse, Rafael; Bastos, Carlos M. O.; Sipahi, Guilherme Matos; Lima, Matheus P.; Guedes Sobrinho, Diego; Caturello, Naidel A. M. S.; Silva, Augusto C. H.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Programa. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BESSE, Rafael et al. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Besse, R., Bastos, C. M. O., Sipahi, G. M., Lima, M. P., Guedes Sobrinho, D., Caturello, N. A. M. S., et al. (2019). Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
NLM
Besse R, Bastos CMO, Sipahi GM, Lima MP, Guedes Sobrinho D, Caturello NAMS, Silva ACH, Silva JLF da. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
Vancouver
Besse R, Bastos CMO, Sipahi GM, Lima MP, Guedes Sobrinho D, Caturello NAMS, Silva ACH, Silva JLF da. Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0509-1.pdf
Artigo de periodico
Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements (2019)
Bastos, Carlos M. O.; Besse, R.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Physical Review Materials. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. Physical Review Materials, v. 3, n. 4, p. 044002-1-044002-10, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Besse, R., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. Physical Review Materials, 3( 4), 044002-1-044002-10. doi:10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
NLM
Bastos CMO, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Physical Review Materials. 2019 ; 3( 4): 044002-1-044002-10.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
Vancouver
Bastos CMO, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Physical Review Materials. 2019 ; 3( 4): 044002-1-044002-10.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044002
Trabalho de evento-resumo
Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian (2019)
Bastos, Carlos Maciel de Oliveira; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Book of abstracts. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. 2019, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2019. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. de O., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. In Book of abstracts. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf
NLM
Bastos CM de O, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf
Vancouver
Bastos CM de O, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/4f96bbd6-da99-439f-bd7e-e2a817583000/P18577.pdf
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 (2019)
Souza, Jeanlex Soares de (cur); Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez (cur) ; Silva, Luis Gregorio Godoy de Vasconcellos Dias da (cur) ; Silva, Juarez Lopes Ferreira da (cur) ; Sipahi, Guilherme Matos (cur)
Unidades: IF, IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. . Fortaleza: Universidade Federal do Ceará - UFC. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf. Acesso em: 24 maio 2024. , 2019
APA
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. (2019). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19. Fortaleza: Universidade Federal do Ceará - UFC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
NLM
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 [Internet]. 2019 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
Vancouver
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 19 [Internet]. 2019 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/c963bde4-c01b-464b-b9d6-63ed21f2a44e/P18327.pdf
Trabalho de evento-resumo
Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian (2019)
Bastos, Carlos M. O.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Programa. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. e SILVA, Juarez Lopes Ferreira da e SIPAHI, Guilherme Matos. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2019). Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
NLM
Bastos CMO, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
Vancouver
Bastos CMO, Silva JLF da, Sipahi GM. Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian [Internet]. Programa. 2019 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2019/sys/resumos/R0205-1.pdf
Artigo de periodico
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory (2018)
Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, v. 123, n. 6, p. 065702-1-065702-13, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5018325. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2018). A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory. Journal of Applied Physics, 123( 6), 065702-1-065702-13. doi:10.1063/1.5018325
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory [Internet]. Journal of Applied Physics. 2018 ; 123( 6): 065702-1-065702-13.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5018325
Artigo de periodico
Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory (2018)
Besse, Rafael; Caturello, Naidel Antonio Moreira dos Santos; Bastos, Carlos M. O.; Guedes Sobrinho, Diego; Lima, Matheus P.; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Journal of Physical Chemistry C. Unidades: IQSC, IFSC
Assunto: FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
BESSE, Rafael et al. Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory. Journal of Physical Chemistry C, v. 122, n. 35, p. 20483-20488, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b03254. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Besse, R., Caturello, N. A. M. dos S., Bastos, C. M. O., Guedes Sobrinho, D., Lima, M. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2018). Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory. Journal of Physical Chemistry C, 122( 35), 20483-20488. doi:10.1021/acs.jpcc.8b03254
NLM
Besse R, Caturello NAM dos S, Bastos CMO, Guedes Sobrinho D, Lima MP, Sipahi GM, Silva JLF da. Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2018 ; 122( 35): 20483-20488.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b03254
Vancouver
Besse R, Caturello NAM dos S, Bastos CMO, Guedes Sobrinho D, Lima MP, Sipahi GM, Silva JLF da. Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2018 ; 122( 35): 20483-20488.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.8b03254
Trabalho de evento-resumo
Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements (2018)
Bastos, C. M. O. B.; Besse, R.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, C. M. O. B. et al. Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2018. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3584356c-36f2-4154-86f1-66ffc5dda5b5/P18122.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O. B., Besse, R., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2018). Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3584356c-36f2-4154-86f1-66ffc5dda5b5/P18122.pdf
NLM
Bastos CMOB, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3584356c-36f2-4154-86f1-66ffc5dda5b5/P18122.pdf
Vancouver
Bastos CMOB, Besse R, Silva JLF da, Sipahi GM. Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements [Internet]. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3584356c-36f2-4154-86f1-66ffc5dda5b5/P18122.pdf
Trabalho de evento-resumo
g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory (2018)
Bastos, Carlos, M. O.; Sipahi, Guilherme Matos; Sabino, Fernando P.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos et al. g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory. 2018, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2018. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C., Sipahi, G. M., Sabino, F. P., & Silva, J. L. F. da. (2018). g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf
NLM
Bastos C, Sipahi GM, Sabino FP, Silva JLF da. g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf
Vancouver
Bastos C, Sipahi GM, Sabino FP, Silva JLF da. g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory [Internet]. Resumos. 2018 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0259-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory (2017)
Bastos, Carlos Maciel O.; Sabino, Fernando P.; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, LASER, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos Maciel O. et al. Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2017). Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Trabalho de evento-resumo
Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations (2017)
Besse, R.; Caturello, N. A. M. S.; Bastos, C. M. O.; Guedes-Sobrinho, D.; Lima, M. P; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, LASER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BESSE, R. et al. Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Besse, R., Caturello, N. A. M. S., Bastos, C. M. O., Guedes-Sobrinho, D., Lima, M. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2017). Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf
NLM
Besse R, Caturello NAMS, Bastos CMO, Guedes-Sobrinho D, Lima MP, Sipahi GM, Silva JLF da. Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations [Internet]. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf
Vancouver
Besse R, Caturello NAMS, Bastos CMO, Guedes-Sobrinho D, Lima MP, Sipahi GM, Silva JLF da. Relative stability of octahedral and trigonal prismatic phases of MoSe2 flakes from density functional theory calculations [Internet]. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/bfa1b65d-62a3-445a-be7c-0dc9fa863990/P17185.pdf
Trabalho de evento-resumo
Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments (2017)
Sipahi, Guilherme Matos; Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Abstract Booklet. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SPIN, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments. 2017, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP, 2017. Disponível em: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Sipahi, G. M., Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., & Silva, J. L. F. da. (2017). Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments. In Abstract Booklet. São Paulo: Universidade de São Paulo - Instituto de Física - IFUSP. Recuperado de http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
NLM
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Silva JLF da. Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Vancouver
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Silva JLF da. Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments [Internet]. Abstract Booklet. 2017 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://www.bwsp18.if.usp.br/sites/default/files/book-18bwsp_0.pdf
Trabalho de evento-resumo
Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties (2017)
Bastos, C. M. O.; Sabino, F. P.; Besse, R.; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, C. M. O. et al. Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties. 2017, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017. . Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Besse, R., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2017). Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Besse R, Sipahi GM, Silva JLF da. Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 maio 24 ]
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Besse R, Sipahi GM, Silva JLF da. Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties. Livro de Resumos. 2017 ;[citado 2024 maio 24 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations (2016)
Sipahi, Guilherme Matos; Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Faria Junior, Paulo E.; Campos, Tiago de; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: APS March Meeting. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, BLENDAS, ZINCO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11. Acesso em: 24 maio 2024. , 2016
APA
Sipahi, G. M., Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Faria Junior, P. E., Campos, T. de, & Silva, J. L. F. da. (2016). k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11
NLM
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T de, Silva JLF da. k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2016 ; 61( 2):[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11
Vancouver
Sipahi GM, Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T de, Silva JLF da. k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2016 ; 61( 2):[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://meetings.aps.org/link/BAPS.2016.MAR.V51.11
Trabalho de evento-resumo
Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised (2016)
Bastos, Carlos Maciel de Oliveira; Sabino, Fernando Pereira; Sipahi, Guilherme Matos; Silva, Juarez Lopes Ferreira da
Source: Program Book. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IFSC, IQSC
Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, LASER
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ABNT
BASTOS, Carlos Maciel de Oliveira et al. Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised. 2016, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2016. Disponível em: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. de O., Sabino, F. P., Sipahi, G. M., & Silva, J. L. F. da. (2016). Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised. In Program Book. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK
NLM
Bastos CM de O, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK
Vancouver
Bastos CM de O, Sabino FP, Sipahi GM, Silva JLF da. Hybrid-density functional theory study of the III-V semiconductors: structural, energetic and electronic properties revised [Internet]. Program Book. 2016 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://www.eventweb.com.br/xvsbpmat/specific-files/grabFile.php?codigo=B2SK
Artigo de periodico
Stability and accuracy control of k . p parameters (2016)
Bastos, Carlos M. O.; Sabino, Fernando P.; Faria Junior, Paulo E.; Campos, Tiago; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, SPIN, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. Stability and accuracy control of k . p parameters. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 10, p. 105002-1-105002-10, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Faria Junior, P. E., Campos, T., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2016). Stability and accuracy control of k . p parameters. Semiconductor Science and Technology, 31( 10), 105002-1-105002-10. doi:10.1088/0268-1242/31/10/105002
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Stability and accuracy control of k . p parameters [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 10): 105002-1-105002-10.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Stability and accuracy control of k . p parameters [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 10): 105002-1-105002-10.[citado 2024 maio 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002
Trabalho de evento-resumo
g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory (2016)
Bastos, C. M. O.; Sabino, F. P.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, LASER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, C. M. O. et al. g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory. 2016, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016. Disponível em: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf. Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2016). g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Silva JLF da, Sipahi GM. g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Silva JLF da, Sipahi GM. g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory [Internet]. Livro de Resumos. 2016 ;[citado 2024 maio 24 ] Available from: http://sifsc.ifsc.usp.br/2016/livro_de_resumos_2016.pdf
Trabalho de evento-resumo
Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende (2015)
Bastos, C. M. O.; Sabino, F.; Faria Junior, P. E.; Campos, T.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidades: IQSC, IFSC
Subjects: BLENDAS, ZINCO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASTOS, C. M. O. et al. Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende. 2015, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2015. . Acesso em: 24 maio 2024.
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F., Faria Junior, P. E., Campos, T., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2015). Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Bastos CMO, Sabino F, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende. Livro de Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 24 ]
Vancouver
Bastos CMO, Sabino F, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende. Livro de Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 24 ]

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