Stability and accuracy control of k . p parameters (2016)
- Authors:
- USP affiliated authors: SILVA, JUAREZ LOPES FERREIRA DA - IQSC ; SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidades: IQSC; IFSC
- DOI: 10.1088/0268-1242/31/10/105002
- Subjects: SEMICONDUTORES; MATERIAIS NANOESTRUTURADOS; SPIN; SISTEMAS HAMILTONIANOS
- Keywords: k · p parameters; DFT-HSE; Band structure; Electronic states
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Semiconductor Science and Technology
- ISSN: 0268-1242
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 31, n. 10, p. 105002-1-105002-10, Oct. 2016
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão submetida (Pré-print)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
BASTOS, Carlos M. O. et al. Stability and accuracy control of k . p parameters. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 10, p. 105002-1-105002-10, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002. Acesso em: 08 abr. 2026. -
APA
Bastos, C. M. O., Sabino, F. P., Faria Junior, P. E., Campos, T., Silva, J. L. F. da, & Sipahi, G. M. (2016). Stability and accuracy control of k . p parameters. Semiconductor Science and Technology, 31( 10), 105002-1-105002-10. doi:10.1088/0268-1242/31/10/105002 -
NLM
Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Stability and accuracy control of k . p parameters [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 10): 105002-1-105002-10.[citado 2026 abr. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002 -
Vancouver
Bastos CMO, Sabino FP, Faria Junior PE, Campos T, Silva JLF da, Sipahi GM. Stability and accuracy control of k . p parameters [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 10): 105002-1-105002-10.[citado 2026 abr. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/10/105002 - Theoretical study of transition metal dichalcogenides: stability energy, structural and electronic properties
- Realistic gap and spin-orbit splitting from hybrid-DFT: determining effective mass parameters comparable to experiments
- Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian: the case of GaAs zinc blende
- Size-induced phase evolution of MoSe2 nanoflakes revealed by density functional theory
- Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
- Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
- Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian
- Formation and size evolution of transition metal dichalcogenides nanoflakes from Ab initio studies
- k.p parameters with accuracy control from preexistent first principles band structure calculations
- Study of stability and electronic properties of transition metal dichalcogenides using density functional theory
Informações sobre a disponibilidade de versões do artigo em acesso aberto coletadas automaticamente via oaDOI API (Unpaywall).
Por se tratar de integração com serviço externo, podem existir diferentes versões do trabalho (como preprints ou postprints), que podem diferir da versão publicada.
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
Stability and accuracy co... | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
