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Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O' (2013)
Santos, Samuel Silva dos; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SANTOS, Samuel Silva dos e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O'. 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1103-1.pdf. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Santos, S. S. dos, Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2013). Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O'. In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1103-1.pdf
NLM
Santos SS dos, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O' [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1103-1.pdf
Vancouver
Santos SS dos, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O' [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1103-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3' (2013)
Santos, Michel Lacerda Marcondes dos; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SANTOS, Michel Lacerda Marcondes dos e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3'. 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1102-1.pdf. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Santos, M. L. M. dos, Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2013). Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3'. In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1102-1.pdf
NLM
Santos MLM dos, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3' [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1102-1.pdf
Vancouver
Santos MLM dos, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3' [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1102-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors (2013)
Caroena, Glaura; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CAROENA, Glaura et al. Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors. 2013, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2013. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Caroena, G., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2013). Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors. In Resumos. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf
NLM
Caroena G, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf
Vancouver
Caroena G, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Rare-earth impurities in wide bandgap semiconductors [Internet]. Resumos. 2013 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvi/sys/resumos/R1104-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential (2012)
Caroena, Glaura; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
CAROENA, Glaura et al. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Caroena, G., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2012). Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf
NLM
Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf
Vancouver
Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Rare-earth impurities in gallium nitride: the role of the Hubbard potential [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0794-1.pdf
Trabalho de evento
Structural and thermal properties of silicon nanowires: a theoretical investigation (2006)
Menezes, Rafael Dias; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
MENEZES, Rafael Dias e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Structural and thermal properties of silicon nanowires: a theoretical investigation. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1001-1.pdf. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Menezes, R. D., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2006). Structural and thermal properties of silicon nanowires: a theoretical investigation. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1001-1.pdf
NLM
Menezes RD, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and thermal properties of silicon nanowires: a theoretical investigation [Internet]. 2006 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1001-1.pdf
Vancouver
Menezes RD, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and thermal properties of silicon nanowires: a theoretical investigation [Internet]. 2006 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1001-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault (2000)
Schmidt, Tome Mauro; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, Tome Mauro e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2000). Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of si doped GaAs with stacking fault. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation (2000)
Mota, Fernando de Brito; Fazzio, Adalberto; Justo Filho, João Francisco
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e FAZZIO, Adalberto e JUSTO FILHO, João Francisco. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Mota, F. de B., Fazzio, A., & Justo Filho, J. F. (2000). Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Fazzio A, Justo Filho JF. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Mota F de B, Fazzio A, Justo Filho JF. Electronic properties of 'a-SiN IND.X'(1.0 < x < 1.8): an ab initio investigation. Resumos. 2000 ;[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado (1999)
Mota, Fernando de Brito; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, Fernando de Brito e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. 1999, Anais.. São Paulo: SBF, 1999. . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Mota, F. de B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1999). Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Mota F de B, Justo Filho JF, Fazzio A. Propriedades estruturais e eletrônicas do nitreto de silício amorfo hidrogenado. Resumos. 1999 ;[citado 2024 out. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of a-SiN (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural and electronic properties of a-SiN. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural and electronic properties of a-SiN. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural and electronic properties of a-SiN. Resumos. 1998 ;[citado 2024 out. 11 ]

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