Structural and thermal properties of silicon nanowires: a theoretical investigation (2006)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SILÍCIO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
MENEZES, Rafael Dias e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Structural and thermal properties of silicon nanowires: a theoretical investigation. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1001-1.pdf. Acesso em: 19 abr. 2024. -
APA
Menezes, R. D., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2006). Structural and thermal properties of silicon nanowires: a theoretical investigation. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1001-1.pdf -
NLM
Menezes RD, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and thermal properties of silicon nanowires: a theoretical investigation [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1001-1.pdf -
Vancouver
Menezes RD, Justo Filho JF, Assali LVC. Structural and thermal properties of silicon nanowires: a theoretical investigation [Internet]. 2006 ;[citado 2024 abr. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1001-1.pdf - Electronic structure of erbium centers in silicon
- Propriedades físicas de impurezas profundas em silício
- Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors
- Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys
- Structural and electronic properties of hydrogen impurities in MgO
- A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond
- Complex centers of hydrogen in tin dioxide
- General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond
- Estados eletronicos de complexos envolvendo cobre e litio em germanio
- Calculos da estrutura eletronica de defeitos complexos em 'GA''AS' e em outros cristais semicondutores com carater ionico
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
